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[发明专利]应变材料层的松弛和转移-CN201080006938.4有效
发明人：法布里斯·勒泰特;布鲁斯·富尔;帕斯卡·昆纳德 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及形成至少部分地松弛的应变材料层的方法，所述方法包括以下步骤：提供晶种基板；对所述晶种基板进行图案化；在经图案化的所述晶种基板上生长应变材料层；将所述应变材料层由经图案化的所述晶种基板转移到中间基板上；和通过热处理来至少部分地松弛所述应变材料层。
应变材料松弛转移

[发明专利]对刻蚀后的半导体结构的钝化-CN200980130163.9无效
发明人： 布鲁斯·富尔;帕斯卡·昆纳德 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：提供至少一个第一材料层；在第一材料层上形成待图案化的至少一个第二材料层；在至少一个第二材料层与至少一个第一材料层之间形成扩散阻挡层，由此形成多层堆叠；以及对至少一个第二材料层向下进行图案化特别是刻蚀，但不完全穿透扩散阻挡层并且不露出至少一个第一材料层中的多个部分，使得基本上防止在对多层堆叠进行后续热处理期间至少一个第一材料层的材料穿过扩散阻挡层进行扩散。本发明还涉及一种半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：提供包括形成在第二材料层下方的至少一个掩埋层的多层堆叠；对多层堆叠的表面进行图案化特别是刻蚀，穿透第二材料层，由此露出至少一个掩埋层的多个部分；至少在至少一个掩埋层的露出的部分上沉积扩散阻挡层，使得基本上防止在对多层堆叠进行后续热处理期间至少一个掩埋层的材料穿过扩散阻挡层进行扩散。
刻蚀半导体结构钝化

[发明专利]应变层松弛用补强层-CN200980132031.X有效
发明人： 布鲁斯·富尔 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于使应变材料层松弛的方法，所述方法包括提供应变材料层和在所述应变材料层的第一面上形成的低粘性层；在应变材料层的与所述第一面相反的第二面的至少一部分上形成补强层，由此形成多层叠层；和对所述多层叠层进行热处理，由此至少部分地使应变材料层松弛。
应变松弛用补强层

[发明专利]应变层的松弛与转移-CN200980130447.8有效
发明人：法布里斯·勒泰特;布鲁斯·富尔;帕斯卡·昆纳德;迈克·卡梅斯;尼尔逊·麦克劳林;纳特·加的纳 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及在目标基板上形成至少部分地松弛的应变材料的方法，该方法包括相继执行的以下步骤：在中间基板上从应变材料层形成岛；通过第一热处理来至少部分地松弛所述应变材料岛；以及，将所述至少部分地松弛的应变材料岛转移到所述目标基板。
应变松弛转移

[发明专利]特别是用于光学、电子或光电子领域的基片的制造方法和根据所述方法获得的基片-CN200680047849.8有效
发明人：艾丽丝·布萨戈尔;布鲁斯·富尔;布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及特别是用于光学、电子或光电子领域的基片的制造方法，和根据所述方法形成的基片。本发明的方法至少包括下列阶段：将种子层(5)转移到接收支持体(3)上，和可用层(6)外延生长到所述种子层(5)上，其特征在于，所述接收支持体(3)的热膨胀系数等于或稍微大于所述可用层(6)的热膨胀系数，以及所述种子层(5)的热膨胀系数约等于所述接收支持体(3)的热膨胀系数。
特别是用于光学电子光电子领域制造方法根据获得

[发明专利]用于光电子应用的基板的制造方法-CN200680001546.2有效
发明人：法布里斯·勒泰特;布鲁斯·富尔 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2006-01-12 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光电子应用的基板的制造方法，所述基板具有在最终载体上的至少一个活性氮化物层及最终载体与至少一个活性氮化物层之间的金属中间层，其中，所述方法包括以下步骤：制备辅助基板，其中将一个半导体氮化物层置于辅助载体上；金属化所述氮化物层一侧的所述辅助基板；将金属化的载体基板与所述最终基板相接合；以及在所述接合步骤之后移除所述辅助载体。本发明的目的是提供一种上述类型的可以提高活性氮化物层的结晶质量的方法。通过上述类型的以下方法来达到这一目的，在所述方法中，制备所述辅助基板的步骤包括：从大块半导体氮化物基板分离一部分；以及将所述部分转移到所述辅助载体上，从而在其上形成所述半导体氮化物层。
用于光电子应用制造方法

[发明专利]外延基片的制备方法-CN200480015751.5有效
发明人： 布鲁斯·富尔 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延基片的制备方法，特别是制备GaN、SiGe、AIN或InN外延基片的方法。本发明的目的是提供一种外延基片的制备方法，该方法能够进一步降低基片的影响，同时在经济上也是可行的。本发明的目的通过下述步骤实现：提供底层基片，在底层基片中注入原子物质以产生较弱的层状区，在第一温度下在底层基片表面提供外延加强层，和在更高的第二温度下分离加强层，特别是与底层基片的子层一起从底层基片残余部分上分离，由此使所分离的材料产生伪基片，在该伪基片上提供均相外延层或异质外延层。
外延制备方法

[发明专利]绝缘体上覆锗型晶片的制造方法-CN200510123683.0有效
发明人：康斯坦丁·布德尔;法布里斯·勒泰特;布鲁斯·富尔;克里斯托夫·莫拉莱斯;克里斯特洛·德盖 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司;法国原子能委员会
申请日： 2005-11-18 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及绝缘体上覆锗型晶片的制造方法，该方法包括以下步骤：提供锗基材或包含外延锗层的基材，在所述锗基材的一个主表面上或该主表面内提供电介质层，将所述源基材附着在操作基材上以形成源－操作－化合物和在预先设置在源基材内并基本与所述主表面平行的预定分离区将所述基材从源－操作－化合物上拆分，从而制造绝缘体上覆锗型晶片。为改善电介质薄膜的品质并同时实现更具有成本效益的制造工艺，本发明提出在所述锗基材和所述操作基材之间提供锗氮氧化物层作为电介质层。
绝缘体上覆锗型晶片制造方法