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[发明专利]鳍片式场效应晶体管装置-CN201910620402.4有效
发明人： 布莱戴恩杜瑞兹;马汀克里斯多福荷兰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种形成鳍片式场效应晶体管装置之方法及设备，晶体管其方法包含：提供由第一半导体材料形成的基板，其中该基板包含多个隔离区域；将该基板的上部部分蚀刻除去以形成多个沟槽，其中每一沟槽位于两个邻近隔离区域之间；经由外延生长工艺使多个半导体鳍片在该基板的上的这些沟槽中过度生长，其中这些半导体鳍片的上部部分位于这些隔离区域的顶表面上方；将平坦化工艺应用于这些半导体鳍片，其中由于应用该平坦化工艺的该步骤的执行，这些半导体鳍片的顶表面与这些隔离区的顶表面相齐；以及将缺陷半导体鳍片移除以形成空沟槽。由于在半导体装置的顶表面上具有差排缺陷的机率较低，所以利用本发明的形成鳍片式场效应晶体管的方法可得到无缺陷FinFET装置。
鳍片式场效应晶体管装置

[发明专利]形成鳍片式场效应晶体管装置的方法-CN201510860680.9有效
发明人： 布莱戴恩杜瑞兹;马汀克里斯多福荷兰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种形成鳍片式场效应晶体管装置之方法，晶体管其方法包含：提供由第一半导体材料形成的基板，其中该基板包含多个隔离区域；将该基板的上部部分蚀刻除去以形成多个沟槽，其中每一沟槽位于两个邻近隔离区域之间；经由外延生长工艺使多个半导体鳍片在该基板的上的这些沟槽中过度生长，其中这些半导体鳍片的上部部分位于这些隔离区域的顶表面上方；将平坦化工艺应用于这些半导体鳍片，其中由于应用该平坦化工艺的该步骤的执行，这些半导体鳍片的顶表面与这些隔离区的顶表面相齐；以及将缺陷半导体鳍片移除以形成空沟槽。由于在半导体装置的顶表面上具有差排缺陷的机率较低，所以利用本发明的形成鳍片式场效应晶体管的方法可得到无缺陷FinFET装置。
形成鳍片式场效应晶体管装置方法设备

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201510845060.8有效
发明人：马汀克里斯多福荷兰;布莱戴恩杜瑞兹;马克范达尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其形成方法。模板层形成于基板之上，该模板层中具有凹部。多个纳米线形成于该凹部中。栅极堆叠形成于基板之上，该栅极堆叠包围多个纳米线。使用多个纳米线可改良栅极控制，而于此同时维持高通态电流I_ON。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201510845080.5有效
发明人：雅利安阿弗萨蓝;布莱戴恩杜瑞兹;马克范达尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其形成方法。其半导体装置包含基板，基板上包含第一源极/漏极构件及第二源极/漏极构件，半导体装置进一步包含第一纳米线于第一源极/漏极构件上及第二纳米线于第二第一源极/漏极构件上，其第一纳米线从第一源极/漏极构件的上表面垂直延伸而其第二纳米线从第二源极/漏极构件的上表面垂直延伸，半导体装置进一步包含第三纳米线从第一纳米线上端延伸至第二纳米线上端，其中第一纳米线、第二纳米线及第三纳米线间形成一通道，通道具有垂直和水平部分。纳米线可用以在环绕式栅极配置中形成场效应晶体管，其中栅极堆叠环绕通道以改善栅极控制。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]形成纳米线的方法-CN201611028061.4在审
发明人：杨育佳;布莱戴恩杜瑞兹;马汀克里斯多福荷兰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本揭露为一种制造半导体装置的方法。此方法包括形成第一材料层于基板上。此第一材料层具有界定第一开口的侧壁，其中此第一开口具有第一形状。此方法亦包括在第一开口内形成牺牲特征且此牺牲特征具有第二形状，此第二形状不同于第一形状以使得在牺牲特征的边缘与第一材料层的侧壁之间存在空腔。此方法亦包括用第二材料层填充空腔，移除牺牲特征以形成第二开口，用第三材料层填充第二开口，移除第二材料层以显露空腔并在空腔内形成导电特征。
形成纳米方法

[发明专利]半导体元件的制作方法-CN201610946516.4在审
发明人：理查·肯尼斯·奥克兰;布莱戴恩杜瑞兹;马克范达尔;马汀克里斯多福荷兰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体元件的制作方法，包括在一半导体基板上磊晶生长多个长条形半导体结构的第一部分，长条形半导体结构垂直于此基板延伸。方法进一步包括在基板上形成栅极层，栅极层与长条形半导体结构接触。方法进一步包括在栅极层及长条形半导体结构上执行平坦化制程，及磊晶生长多个长条形半导体结构的第二部分，第二部分包含与第一部分不同的材料。
半导体元件制作方法