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[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法-CN201810082618.5有效
发明人： 布丽塔·格厄特茨;约恩·斯托;诺温·文马尔姆 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有像素区域(2)的半导体本体(1)，所述像素区域具有至少两个不同的子像素区域(3)，‑将导电层(18)施加到至少一个子像素区域(3)的辐射出射面(9)上，其中导电层(18)适合于与质子的反应参与物至少部分地构成盐，‑通过电泳工艺在导电层(18)上沉积转换层(19，19’)。
用于制造光电子半导体芯片方法

[发明专利]具有辐射转换元件的光电子装置和用于制造辐射转换元件的方法-CN201680007846.5有效
发明人：沃尔夫冈·门希;布丽塔·格厄特茨;弗兰克·辛格;马丁·斯特拉斯伯格;蒂尔曼·申普克 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：提出一种光电子装置(1)，其具有半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有设为用于产生辐射的有源区域，其中‑沿放射方向(21)在半导体芯片下游设置有辐射转换元件(3)；‑辐射转换元件具有多个转换体(4)，所述转换体分别具有对称轴线(40)；‑对称轴线的空间定向具有优先方向(45)；‑由辐射转换元件(3)放射的辐射具有优先偏振(48)；并且‑光电子装置具有进行反射的偏振元件(5)，所述偏振元件沿放射方向设置在辐射转换元件下游，其中进行反射的偏振元件允许具有优先偏振的辐射大部分地通过，并且将垂直于优先偏振来偏振的辐射大部分地反射。此外，提出一种用于制造辐射转换元件(3)的方法。
具有辐射转换元件光电子装置用于制造方法

[发明专利]发光机构-CN201610928929.X有效
发明人：卡斯滕·狄克曼;布丽塔·格厄特茨;史蒂文·罗斯巴赫;索克·格克·贝;沙赫罗尔·伊扎尼·阿卜杜拉马纳夫;马迪安娜·宾蒂哈立德;蔻克·恩·吾;博恩·梁·叶 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：提出一种具有辐射出射面(2)的发光机构(1)，其中发光机构包括具有容纳部(9)的壳体件(3)、设置在容纳部中的至少一个有机光电子器件(5)和与壳体件连接的至少一个覆盖件(4)，其中器件固持在覆盖件和壳体件之间。此外，提出一种将用于插塞连接的至少一个连接件作为具有有机光电子器件的发光机构的外部的电接口件的应用。
发光机构

[发明专利]发光半导体器件-CN201880057334.9在审
发明人：亚历山大·通基赫;布丽塔·格厄特茨 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：提出一种发光半导体器件(100)，所述发光半导体器件具有基于磷化物和/或砷化物化合物半导体材料体系的半导体层序列(1)，其中半导体层序列(1)具有在第一包覆层(11)和第二包覆层(12)之间的发光半导体层(10)以及至少一个第一半导体保护层(13)，所述发光半导体层构建用于，在半导体器件(100)的运行中放射光，第一半导体保护层(13)在构成为外层的第一包覆层(11)之内或直接在第一包覆层(11)上在背离发光半导体层(10)的侧上作为外层设置，并且第一半导体保护层(13)具有比第一包覆层更低的铝含量。
发光半导体器件

[发明专利]有机发光二极管、用于其制造的方法和模块-CN201610898923.2有效
发明人： 布丽塔·格厄特茨;卡斯滕·狄克曼;罗伯特·特雷斯 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：提出一种具有下述元件的有机发光二极管(1)：衬底(2)；有机层序列(5)，所述有机层序列在工作中产生电磁辐射，其中有机层序列(5)设置在衬底(2)的中央区域(4)中；金属化部(9)，所述金属化部设置在衬底(2)的边缘区域(8)中并且构成为用于有机层序列(5)的电接触；以及单独制造的金属的接触结构(12)，所述接触结构通过基于超声波技术的接合过程与金属化部(9)材料配合地并且导电地连接。此外，提出一种用于制造有机发光二极管的方法以及具有至少两个有机发光二极管的模块。
有机发光二极管用于制造方法具有至少两个模块

[发明专利]波长转换元件、发光半导体部件及其制造方法-CN201580010013.X有效
发明人： 布丽塔·格厄特茨;克里斯多佛·A·塔里 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种波长转换元件(1)，其包括至少一种烧结的波长转换材料(20)，其中，网格(3)由在烧结的波长转换材料(20)内的通道(2)形成，通道(2)被烧结的波长转换材料(20)至少部分地包围，通道(2)沿垂直于或倾斜于波长转换元件(1)的主延伸方向的方向至少部分地穿进烧结的波长转换材料(20)，并且通道(2)包含非转换烧结的分隔件材料(30)。
波长转换元件包括发光半导体部件用于制造方法

[发明专利]用于制造横向结构化的磷光层的方法和具有这种磷光层的光电子半导体组件-CN201580005166.5有效
发明人： 布丽塔·格厄特茨;约恩·斯托;亚历山大·F·普福伊费尔;多米尼克·斯科尔茨;伊莎贝尔·奥托 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：一种用于制造横向结构化的层、尤其发光材料小板(1)的方法，所述方法具有如下步骤：提供载体(2)，所述载体具有在载体上侧(20)上的第一导电层(21)，将绝缘层(23)施加到第一导电层(21)上并且将第二导电层(22)施加到绝缘层(23)上，将蚀刻掩模(3)施加到第二导电层(22)上并且结构化，蚀刻第二导电层(22)和绝缘层(23)，其中第一导电层(21)保持作为连贯的层，将电压施加到所述第一导电层(21)上并且用第一材料(4)对第一导电层(21)电泳覆层，并且将电压施加到第二导电层(22)上并且用第二材料(5)对第二导电层(22)电泳覆层。
用于制造横向结构磷光方法具有这种光电子半导体组件

[发明专利]光电子器件-CN201580030303.0有效
发明人：胡贝特·哈尔布里特;布丽塔·格厄特茨 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种光电子器件(10)，所述光电子器件包括:‑发射辐射的半导体芯片(2)；‑转换元件(8)，所述转换元件适合于将由半导体芯片(2)发射的辐射(12)的至少一部分变换成转换的辐射(13)，其中转换的辐射(13)具有比发射的辐射(12)更大的波长；和‑至少对于转换的辐射(13)而言辐射可穿透的覆盖件(9)，所述覆盖件沿主放射方向跟随转换元件(8)，其中‑转换元件(8)包括量子点转换材料(7)；‑转换元件(8)设置在覆盖件(9)的朝向半导体芯片的内侧(15)上；并且‑覆盖件具有硅(9)或由硅构成。
光电子器件

[发明专利]用于制造多个转换元件的方法、转换元件和光电子器件-CN201580031010.4有效
发明人：崔海玲;诺温·文马尔姆;布丽塔·格厄特茨;罗伯特·舒尔茨;多米尼克·斯库尔滕 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：提出一种用于制造多个转换元件(10)的方法，所述方法包括：提供载体衬底(1)；将转换材料(3)引入到基体材料(2)中；将具有转换材料(3)的基体材料(2)以不连贯的样式施加到载体衬底(1)的各个区域(8)上；将阻挡衬底(5)施加到基体材料(2)和载体衬底(1)上；并且将载体衬底(1)连同基体材料(2)和阻挡衬底(5)沿着分割线(V)分割成多个转换元件(10)，其中转换元件(10)分别包括基体材料(2)的区域(8)中的至少一个。
用于制造转换元件方法光电子器件

[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件-CN201580054055.3有效
发明人：弗兰克·辛格;布丽塔·格厄特茨;大卫·拉奇;马蒂亚斯·斯佩尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-10-01 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种用于制造多个光电子半导体器件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供多个设置用于产生电磁辐射的半导体芯片(4)，b)将多个半导体芯片(4)设置在一个平面中；c)构成壳体本体复合件(8)，所述壳体本体复合件至少局部地设置在半导体芯片(4)之间；d)构成多个转换元件(12)，其中每个转换元件包括转换波长的转换材料并且设置在半导体芯片(4)中的一个半导体芯片上；e)对多个转换元件(12)至少在其侧向边缘(20)处借助封装材料进行封装；和f)将壳体本体复合件(8)分割成多个光电子半导体器件(100)。此外，提出一种半导体器件(100)。
用于制造光电子半导体器件方法

[发明专利]用于制造发光二极管显示器的方法和发光二极管显示器-CN201380052303.1有效
发明人：诺温·文马尔姆;马丁·曼德尔;亚历山大·F·普福伊费尔;布丽塔·格厄特茨 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：在至少一个实施方式中，方法设立用于制造发光二极管显示器(1)。所述方法包括下述步骤：·A)提供生长衬底(2)，·B)将缓冲层(4)间接地或者直接地施加到衬底上侧(20)上，·C)在缓冲层(4)处或在缓冲层上产生多个分开的生长点(45)，·D)从生长点(45)起产生各个辐射活性的岛(5)，其中岛(5)分别包括具有至少一个有源区(55)的无机的半导体层序列(50)，并且在衬底上侧(20)的俯视图中观察，岛(5)的平均直径在50nm和20μm之间，其中包括边界值，以及·E)将岛(5)与晶体管(6)互联以用于电控制所述岛(5)。
发光二极管显示器缓冲层衬底生长点半导体层序列电控制俯视图晶体管源区制造互联施加辐射生长观察

[发明专利]波长转换元件、制造方法和具有波长转换元件的发光半导体部件-CN201480060009.X有效
发明人： 布丽塔·格厄特茨;艾伦·皮凯特;克里斯多佛·A·塔里 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：波长转换元件、包括波长转换元件的发光半导体部件以及用于制作波长转换元件和包括波长转换元件的发光半导体部件的方法。详细说明了波长转换元件(10)，波长转换元件(10)包括陶瓷格栅材料(1)，陶瓷格栅材料(1)形成具有多个开口(3)的格栅(2)，开口(3)在格栅(2)的主延伸平面中被格栅材料(1)包围并且在与格栅(2)的主延伸平面(9)垂直的方向上延伸穿过格栅(2)，其中，开口(3)填充有转换区段(4)。此外，还详细说明了包括波长转换元件(10)的发光半导体部件(100)和用于制作波长转换元件(10)和包括波长转换元件(10)的发光半导体部件(100)的方法。
波长转换元件制造方法具有发光半导体部件

[发明专利]转换元件、光电子半导体器件和用于制造转换元件的方法-CN201580075102.2在审
发明人：托马斯·施瓦茨;弗兰克·辛格;斯特凡·伊莱克;迈克尔·齐茨尔斯佩格;布丽塔·格厄特茨;多米尼克·斯库尔滕 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：描述一种转换元件(100)。转换元件(100)包括转换层(16)，所述转换层包括转换波长的转换材料；在转换层的第一主面(20)上的第一封装层(30)，其中第一封装层具有在10μm和500μm之间的厚度；和在转换层的第二主面(22)上的第二封装层(32)，其中第二封装层具有在0.1μm和20μm之间的厚度。此外，提出一种光电子半导体器件(200)和一种用于制造转换元件的方法。
转换元件光电子半导体器件用于制造方法

[发明专利]用于制造波长转换元件的方法、波长转换元件和具有波长转换元件的器件-CN201480025741.3有效
发明人： 布丽塔·格厄特茨;马丁·布兰德尔;马库斯·布格尔;诺温·文马尔姆 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-05-06 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：提出一种用于制造波长转换元件(10)的方法，其中提供波长转换层(100)，用等离子体(50)处理所述波长转换层的表面并且冲裁波长转换层。此外，提出一种波长转换层和一种具有波长转换层的光电子器件。
用于制造波长转换元件方法具有器件

[发明专利]光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法-CN201580066176.X在审
发明人： 布丽塔·格厄特茨;沃尔特·韦格莱特;斯特凡·格勒奇 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体组件(100)，所述光电子半导体组件具有半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有主侧(10)，其中主侧(10)包括多个并排设置的发射区(11)。发射区(11)能够单独地且彼此独立地控制并且经由所述发射区在运行时分别从半导体芯片(1)中耦合输出辐射。将进行反射的分离壁(30)施加到主侧(10)上，所述分离壁设置在相邻的发射区(11)之间并且在主侧(10)的俯视图中至少部分地包围发射区(11)。此外，将具有朝向半导体芯片(1)的下侧(41)和背离的上侧(42)的转换元件(4)施加到主侧(10)上。分离壁(20)由与半导体芯片(1)的半导体材料不同的材料形成，并且沿远离主侧(10)的方向超出半导体芯片(1)。转换元件(4)至少部分地遮盖至少一个发射区(11)并且与该发射区(11)机械稳定地连接。转换元件(4)的下侧(41)在被遮盖的发射区(11)的区域中沿远离主侧(10)的方向超出分离壁(20)最多为分离壁(20)的高度的10％。
光电子半导体组件用于制造方法

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