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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202210904957.3在审
发明人： 川城史义 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：半导体装置具备：引线框，具有包含第一上表面的第一框身部和与之连接的第一外引线；第一接线柱部，具有包含第二上表面的第二框身部和与之连接的第二外引线，第一框身部配置于第一外引线与第一接线柱部之间；第二接线柱部；半导体芯片，设于第一上表面之上，具有包含电极及控制电极的第四上表面和设于其上且包含设于电极之上的第一开口部及设于控制电极之上的第二开口部的绝缘膜；第一接合材料，设于第一上表面与半导体芯片之间，控制电极之下的第一接合材料部分的第一膜厚比设于第一接合材料部分之下的第一框身部的第一部分与第一外引线之间的第一框身部的第二部分之上的第二接合材料部分的第二膜厚薄；第一连接器；第二接合材料；第三接合材料。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210154800.3在审
发明人： 川城史义 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：实施方式提供半导体装置，具备能够与各种尺寸的半导体芯片的电极连接的突起部。本实施方式涉及的半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有第一面和位于该第一面的相反侧的第二面，并在第一面内具有第一电极。第一金属部件具有与第一电极对置且外形比该第一电极大的第一对置面，并具有从第一对置面向第一电极突出而与第一电极电连接的第一突起部。绝缘部件覆盖半导体芯片以及第一金属部件。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110833899.5在审
发明人： 川城史义 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供供给能力有所提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体芯片；设置在半导体芯片的周围且具有长方体状的形状且在底面的端部具有凹部的注塑树脂；以及设置在凹部的第一上表面且与半导体芯片电连接的第一端子。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110835836.3在审
发明人：小林达也;川城史义;富田悠志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式提供一种可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具有：半导体芯片，在第1面上具有第1电极；金属板；以及第1导电性接合片，位于半导体芯片的第1面与金属板之间，将第1电极与金属板接合。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010069971.7在审
发明人： 川城史义 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：实施方式提供提高了可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具有：基体；设置在基体之上的半导体芯片；第1端子板，经由设置在基体之上的第1超声波接合部与半导体芯片电连接，具有与半导体芯片对置的第1面；以及第1粘接层，设置于第1面，包含第1粘接剂。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010074732.0在审
发明人： 川城史义 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：实施方式提供成品率提高的半导体装置。半导体装置具备第1基体部件，具有第1侧面；第1绝缘板，设置于第1基体部件的上方；第1金属板，设置于第1绝缘板的上方；第1半导体芯片，设置于第1金属板的上方；第1接合部件，将第1金属板与第1半导体芯片接合；第2接合部件，将第1基体部件与第1绝缘板接合；第2基体部件，具有第2侧面；第2绝缘板，设置于第2基体部件的上方；第2金属板，设置于第2绝缘板的上方；第2半导体芯片，设置于第2金属板的上方；第3接合部件，将第2金属板与第2半导体芯片接合；第4接合部件，将第2基体部件与第2绝缘板接合；以及基体接合部，设置于第1侧面与第2侧面之间，第1侧面与第2侧面接合。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810926077.X在审
发明人： 川城史义 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体芯片，其具有半导体层和设置于半导体层上的电极；以及接合线，其与电极连接，电极具有包含铜的第1金属层、设置于第1金属层与半导体层之间且包含铝的第2金属层、以及设置于第1金属层与第2金属层之间且与第1金属层及第2金属层不同的材料的第3金属层，第1金属层的厚度比第2金属层的厚度及第3金属层的厚度厚。
金属层第1金属层半导体装置半导体层电极半导体芯片电极连接厚度比接合线制造

[发明专利]半导体器件-CN201110075964.9有效
发明人： 川城史义 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：互连衬底，在所述互连衬底上安装有半导体芯片；电极，所述电极形成在互连衬底的表面上；以及焊料凸块，所述焊料凸块形成在电极上。焊料凸块包括基部和覆盖该基部的表面层部。表面层部至少包括选自由Cu、Ni、Au和Ag构成的组中的导电金属和Sn，并且每单位体积的导电金属的原子的数目与Sn原子的数目的比率大于0.01。
半导体器件

[发明专利]助焊剂和使用其制造半导体装置的方法-CN201110077274.7无效
发明人： 川城史义 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： B23K35/362 文献下载
摘要：本发明涉及助焊剂和使用其制造半导体装置的方法。助焊剂包含：在水中的溶解度为0.01重量％以上且6.8重量％以下的溶剂；有机酸成分；以及中和所述有机酸成分的胺。所述胺在水中的溶解度为5.0重量％以上，且所述胺能够通过配位键与导电金属连接。通过将焊球与所述助焊剂一起加热而形成焊料凸块。所述焊料凸块表面上的助焊剂残留物具有水溶性，因此容易除去。而且，通过水洗将与所述胺配位的导电金属淀积在焊料凸块的表面上。结果，当通过与焊料凸块接触的触针测试具有焊料凸块(7)的半导体装置时，防止触针受到污染，可靠地使触针与焊料凸块接触，且准确地测试半导体装置。
焊剂使用制造半导体装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110058557.7无效
发明人： 川城史义 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。其中树脂密封结构包括互连衬底板、半导体芯片、散热片和密封树脂。该方法通过以下步骤实现：使用片切割刀片在第一方向上沿着第一散热片切割线切割散热片；在通过片切割刀片在第一方向上进行切割之后，通过片切割刀片在第二方向上沿着第二散热片切割线切割散热片；和分别沿着第一和第二互连衬底板切割线通过衬底板切割刀片在第一方向和第二方向上切割互连衬底板和密封树脂。第二散热片切割线和第二互连衬底板切割线在与第一方向和第二方向正交的第三方向上的位置相互对应。第一散热片切割线在与第二方向相反的方向上从第一互连衬底板切割线移位预置移位量。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有外部连接端子的半导体器件及其制造方法-CN200810144027.2无效
发明人： 川城史义 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：在一个实施例中，半导体器件具有半导体元件，该半导体元件由半导体芯片、设置在该半导体芯片上的第一焊球和其上经由第一焊球安装有该半导体芯片的BGA基板组成。另外，该半导体器件在BGA基板的、与其上安装有该半导体芯片的表面相反的表面上具有外部端子。该外部端子包括具有通孔的氧化膜。
具有外部连接端子半导体器件及其制造方法

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