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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储元件和存储元件的制造方法-CN201780019005.0有效
发明人：伊藤琢哉;嵯峨幸一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：[问题]为了提高存储元件的元件可靠性。[解决方案]提供了一种存储元件，其通过在基板上排列各自具有MTJ结构的多个磁阻元件而构成，其中，在每个磁阻元件中，在用作存储层的磁体层中的除了用作磁阻元件的区域之外的区域中存在去磁区域，并且该去磁区域包括合金，该合金包括：形成磁体层的第一化学元素；以及第二化学元素，其当与第一化学元素一起形成合金时具有fcc结构。
存储元件制造方法

[发明专利]摄像装置和光接收元件-CN202180063576.0在审
发明人：中泽圭一;小岛尚;今井愼一;金口时久;嵯峨幸一郎;徳弘快;平野嵩明 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开实施方案的摄像装置包括：第一半导体层，其针对各个像素包括光电转换部和累积在光电转换部中产生的信号电荷的电荷累积部；第二半导体层，其堆叠在第一半导体层上，并且具有设置有像素晶体管的第一表面，其中像素晶体管具有三维结构并且从电荷累积部读取信号电荷；和贯通配线，其将电荷累积部和像素晶体管的栅极电极彼此直接连接。
摄像装置接收元件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080036161.X在审
发明人：藤井宣年;瀬岛幸一;嵯峨幸一郎;三宅慎一 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-06-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种能够减小用于电连接上基板和下基板的导电路径的电阻值的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一半导体层，其包括经由元件分离区彼此相邻设置的多个元件形成区，多个元件形成区分别设置有第一有源元件；接触区域，其分别设置在多个元件形成区各者的表面的元件分离区侧；导电焊盘，其连接到多个元件形成区的各者，导电焊盘跨越所述元件分离区；第一绝缘层，其覆盖第一半导体层和导电焊盘；第二半导体层，其设置在第一绝缘层上，并设置有第二有源元件；第二绝缘层，其覆盖第二半导体层；和导电插塞，其嵌入在从第二绝缘层到达导电焊盘的连接孔中，由与导电焊盘的材料相同的材料形成并且与导电焊盘一体地形成。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]显示器、制造和驱动显示器的方法以及电子设备-CN201410058610.7有效
发明人：坂入卓;萩本贤哉;岩元勇人;嵯峨幸一郎;藤井宣年 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及显示器、制造和驱动显示器的方法以及电子设备。一种显示器包括：发光部，设置在显示区域内；以及受光部，设置在显示区域内并且被配置为接收来自所述发光部的光。
显示器制造驱动方法以及电子设备

[发明专利]洗涤方法以及半导体装置的制备方法-CN200680031456.8无效
发明人： 嵯峨幸一郎;山田健二;东友之;村田裕史 -专利权人：索尼公司;三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法，该洗涤方法为除去基体表面上附着的金属化合物的洗涤方法，其特征在于，该方法包括对上述基体表面供给含有三烯丙基胺和三(3－氨丙基)胺中的至少一种的超临界二氧化碳流体并进行洗涤。对于构成导电层的导电材料，通过本发明的洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法，可以有选择性地、高效地除去含有金属化合物的蚀刻残渣或研磨残渣。从而，导电层为配线时，可以防止因金属化合物的残留引起的配线的高电阻化的同时，防止因金属从金属化合物扩散到绝缘膜上引起的漏电流的增加。因此，可以提高配线可靠性，并且可以提高半导体装置的成品率。
洗涤方法以及半导体装置制备

[发明专利]生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂-CN200410104615.5无效
发明人： 嵯峨幸一郎;渡边广也;东友之 -专利权人：索尼株式会社;三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过包括下述步骤的方法：在基底上按序形成由氧化硅膜制造的牺牲层和结构层的膜沉积步骤；通过用处理流体蚀刻除去牺牲层，在基底与结构层之间形成空隙的空隙形成步骤，和清洗步骤，从而生产包括基底和经空隙在基底上形成的结构层的结构体，所述结构层充当微型可移动元件。通过使用含氟化合物、水溶性有机溶剂和水的超临界二氧化碳流体作为处理流体，采用小量处理流体，在短时间内除去牺牲层，且对结构体没有任何破坏。
生产结构方法氧化硅膜用蚀刻

[发明专利]表面处理方法、半导体器件、半导体器件的制造方法以及处理设备-CN03806748.X无效
发明人： 嵯峨幸一郎 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-01-30 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种使用超临界流体(4)处理其上形成有结构体的表面的表面处理方法，其特征在于将如氢氧化铵、链烷醇胺、氟化胺、氢氟酸等的共溶剂或反应剂(5)添加到超临界流体(4)。超临界流体(4)同样可以和共溶剂或反应剂(5)一起添加有表面活性剂(6)。可以使用极性溶剂作为表面活性剂(6)。本发明可以提供一种能够仅使用超临界流体处理完全除去残留物的表面处理方法。
表面处理方法半导体器件制造以及设备

[发明专利]清洗方法-CN200410033070.3无效
发明人： 嵯峨幸一郎;渡边广也;东友之 -专利权人：索尼株式会社;三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2004-02-19 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：公开了一种使用超临界流体清洗具有微细结构的衬底的简单和可靠的方法。首先，衬底放置于处理室后密闭处理室。当压力/温度控制装置调节压力和温度时，气态二氧化碳从供应源引入处理室，且通过调整压力和温度引起相变以直接转变成超临界二氧化碳。其次，从供应源添加预定量叔胺化合物。提供超临界二氧化碳直到排出阀开启和处理室内部完全替换为超临界二氧化碳。将衬底浸入超临界二氧化碳预定时间进行清洗工序以除去粘附于衬底的外来物。此后，停止供应叔胺化合物和仅提供超临界二氧化碳在衬底上执行漂洗工序。最后，停止供应二氧化碳，排出超临界二氧化碳，使处理室内部温度和压力下降导致处理室内部的二氧化碳气化和衬底被超临界干燥。
清洗方法

[发明专利]清洁处理基片的方法-CN96107213.X无效
发明人： 嵯峨幸一郎;小谷田作夫;服部毅 -专利权人：索尼公司
申请日： 1996-03-27 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种清洁处理基片表面的方法，其中，清洁处理基片工艺的包括利用酸溶液、氧化溶液、或碱溶液清洁处理基片表面的步骤的第1步骤，包括清除在基片表面上形成的自然氧化膜的步骤。$
清洁处理方法

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