专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]MOSFET封装结构及其制作方法-CN201610397411.8有效
  • 于大全;肖智轶;崔志勇;耿增华 - 华天科技(昆山)电子有限公司
  • 2016-06-07 - 2019-03-26 - H01L23/498
  • 本发明公开了一种MOSFET封装结构及其制作方法,封装结构,包括硅基板和MOSFET芯片,MOSFET芯片正面包含有源极导电垫和栅极导电垫,背面包含有漏极区及金属层,硅基板表面有下沉凹槽,下沉凹槽底部铺设有延伸至基板表面上的导电层,作为漏极导电垫,MOSFET芯片背面贴装到下沉凹槽的底部,金属层与下沉凹槽底部的导电层通过金属键合连接,源极导电垫、栅极导电垫及漏极导电垫上均形成有与外部互连的导电体,硅基板正面上导电体以外部分由保护层包封。本发明将垂直结构的MOSFET背面漏极电流引至MOSFET的正面,实现了源极、栅极、漏极电性在同一侧面,以便进行晶圆级封装,且大面积导电层保证了芯片良好的散热效果;避免硅通孔TSV制程,简化了工艺步骤,降低了封装成本。
  • mosfet封装结构及其制作方法

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