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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括金属互连的半导体器件及其制造方法-CN200810127785.3无效
发明人：李钟鸣;崔吉铉;洪琮沅;朴显;崔庆寅;李贤培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种包括金属互连的半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：位于半导体层上并包括沟道的第一层间电介质；位于所述第一层间电介质上的掩模图案；位于所述沟道中的第一导电图案；和位于所述掩模图案上的第二层间电介质。所述第二层间电介质包括位于所述第一导电图案之上的开口。第二导电图案位于所述开口中并电连接至所述第一导电图案。所述第一导电图案具有低于所述掩模图案的上表面的上表面。
包括金属互连半导体器件及其制造方法

[发明专利]低阻导电结构、包括其的器件和系统以及形成其的方法-CN200810108794.8无效
发明人：朴津镐;崔吉铉;李相遇;李虎基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种低阻导电结构、包括其的器件和系统以及形成其的方法，所述导电结构包括通过在衬底上执行循环淀积工艺形成的第一成核层、通过CVD工艺形成于所述第一成核层上的第二成核层以及形成于所述第二成核层上的体金属层。
导电结构包括器件系统以及形成方法

[发明专利]具有金属互连的半导体器件、制造方法及半导体集群设备-CN200810127762.2无效
发明人：崔庆寅;李贤培;崔吉铉;李钟鸣;洪琮沅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括提供具有导电图案的半导体衬底和在导电图案和半导体衬底上形成绝缘层。对绝缘层进行构图以形成露出一部分导电图案的开口。在开口的内壁和绝缘层的顶面上形成预扩散阻挡层。向预扩散阻挡层上提供氧原子以形成第一扩散阻挡层。在第一扩散阻挡层上形成金属层。金属层形成为填充由第一扩散阻挡层围绕的开口。本发明还提供通过该方法制造的半导体器件和用于制造该半导体器件的半导体集群设备。
具有金属互连半导体器件制造方法半导体集群设备

[发明专利]盐化物处理过程以及制造半导体器件的方法-CN200510091182.9无效
发明人：郑硕祐;崔吉铉;尹钟皓;卢官钟;郑恩志;金贤洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：形成金属硅化物层的方法包括基于对流(或者传导)的退火步骤，以将金属层转换为金属硅化物层。这些方法可以包括：在衬底上形成硅层；以及接触该硅层形成金属层(例如，镍层)。然后，执行至少使部分金属层转换为金属硅化物层的步骤。该转换步骤包括在对流或者传导加热设备中使该金属层暴露在传热气体(例如，氩气、氮气)中。
盐化处理过程以及制造半导体器件方法

[发明专利]包括高K－介质材料的半导体器件及其形成方法-CN200510104111.8无效
发明人：尹宣弼;李彰原;孙雄喜;崔吉铉;柳宗烈;林东灿;朴在花;李柄学;朴嬉淑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种半导体器件包括，半导体衬底上的第一导电层，第一导电层上的包括高K－介质材料的介质层，介质层上的包括掺有P型杂质的多晶硅的第二导电层，以及第二导电层上的包括金属的第三导电层。在某些器件中，在主单元区中形成第一栅极结构，第一栅极结构包括隧道氧化物层、浮栅、第一高K－介质层和控制栅。控制栅包括掺有P型杂质的多晶硅层和金属层。在主单元区外面形成第二栅极结构，第二栅极结构包括隧道氧化物层、导电层和金属层。在外围单元区中形成第三栅极结构，第三栅极结构包括隧道氧化物、导电层和具有比导电层更窄宽度的高K－介质层。也公开了方法实施例。
包括介质材料半导体器件及其形成方法

[发明专利]在接触孔中形成金属－氮化物层的方法和如此形成的层-CN200510073873.6无效
发明人：韩成镐;崔吉铉;李相遇;金洛焕;崔庆寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-05-25 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：通过在凹槽中形成金属－氮化物层可以在集成电路中形成金属层，包括在凹槽底部的金属－氮化物层中的第一氮浓度，第一氮浓度小于紧邻凹槽开口的金属－氮化物层中的第二氮浓度。在凹槽中包括的金属－氮化物层上可以形成金属层。
接触形成金属氮化物方法如此

[发明专利]准直器及其制造方法-CN95101479.X无效
发明人：李正吉;朴宣厚;崔吉铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1995-01-28 - 公布日： 2000-12-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种能生长具有均匀厚度和低缺陷率的溅射装置的准直器包括许多以圆柱体形状形成的蜂窝状格子以及在每个格子的侧壁表面上形成的精细的槽和脊，由此来改善形成在侧壁表面上的粒子的粘附性。由于形成在每个格子的侧壁表面上的槽和脊增加了溅射期间在水平方向运动的粒子的粘附性。其结果是，可抑制粒子的产生，可得到半导体器件的高可靠性以及能使溅射装置进行稳定操作。
准直器及其制造方法

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