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- [发明专利]场效应晶体管-CN99103447.3无效
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尾藤康则;岩田直高
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日本电气株式会社
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1999-03-05
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2004-08-04
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H01L29/772
- 一种FET(场效应晶体管)具有包括Al0.2Ga0.8As栅接触层的外延晶片。通过外延生长，在栅接触层上依次形成掺杂有Si的GaAs栅掩埋层、掺杂有Si的Al0.2Ga0.8As宽凹槽停止层、未掺杂的GaAs层和掺杂有Si的GaAs帽盖层。电子累积层形成于未掺杂的GaAs层上，降低了势垒。从而可以使电子以高几率通过AlGaAs层的势垒。由于GaAs层未掺杂有杂质，所以电子几乎不散射，实现了高迁移率。因此，可以减小从帽盖层到沟道层的接触电阻。此外，由于栅接触层未暴露于外部，所以薄层电阻稍有增大。得到了低到1.4Ω·mm的导通电阻，该值比常规导通电阻小0.2Ω·mm。
- 场效应晶体管
- [发明专利]单片微波集成电路-CN98102322.3无效
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山口佳子;岩田直高
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日本电气株式会社
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1998-06-02
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2003-11-19
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H01L27/04
- 一种单片微波集成电路，它包括：螺旋电感；螺旋电感的一开口，开口被设置为由螺旋电感围绕；螺旋电感的第一端；螺旋电感的第二端，第二端设置开口中；设置在开口中的接合盘；设置在开口中的高介电系数薄膜；设置在开口中的使用高介电系数薄膜的第一高介电系数薄膜电容器，它的一端与接合盘连接，它的另一端与螺旋电感的第二端连接；以及设置在开口中的使用高介电系数薄膜的第二高介电系数薄膜电容器，它的一端与第一高介电系数薄膜电容器的另一端和螺旋电感的所述第二端连接，它的另一端与地连接；第一高介电系数薄膜电容器和第二高介电系数薄膜电容器共用同一层高介电系数薄膜。
- 单片微波集成电路
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