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[发明专利]激光器模块-CN202180049317.2在审
发明人：大森弘治;多田昌浩;内田贵史;岩泽绫子;村尾文弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：在第1块件(10)设置有内部流路(15)。冷却介质在内部流路(15)的内部流动。在内部流路(15)的底面(54)与侧壁面(55)的角部设置有弯曲部(56)。弯曲部(56)与内部流路(15)的底面(54)和侧壁面(55)连续地连结为弯曲状。
激光器模块

[发明专利]激光二极管条以及波长光束耦合系统-CN202011175685.5在审
发明人： 岩泽绫子;大野启;多田昌浩;菱田光起 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本公开提供一种激光二极管条以及波长光束耦合系统。在本公开的激光二极管条(100)中，关于注入区域(101)的面积，越靠近注入区域(101)的排列方向的中央部的注入区域(101)越小。由此，越靠近散热少的排列方向的中央部则越能够抑制发热，因此能够抑制发射极的排列方向上的温度差。
激光二极管以及波长光束耦合系统

[发明专利]III族氮化物半导体的制造方法-CN202010302443.1在审
发明人： 岩泽绫子;冈山芳央;冈本贵敏 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供制造III族氮化物半导体的方法。III族氮化物半导体的制造方法具有如下工序。准备从背面向表面依次层叠有第一III族氮化物层和第二III族氮化物层的III族氮化物基板的工序，所述第一III族氮化物层对于400nm～700nm的规定波长具有60％以上的透射率，所述第二III族氮化物层以1×1020cm‑3以上的浓度含有作为杂质的氧，且对于上述规定波长具有0.1％以下的透射率，并设置在上述第一III族氮化物层上。在上述III族氮化物基板的表面侧形成设备结构的工序。使激光的聚光点在从上述III族氮化物基板的背面侧的上述第一III族氮化物层比上述第二III族氮化物层更靠前处聚集，利用多光子吸收在上述第一III族氮化物层形成内部改性层，以上述内部改性层作为边界来分割上述III族氮化物基板的工序。
iii 氮化物半导体制造方法

[发明专利]配线基板及其制造方法-CN201380000514.0无效
发明人：柏木隆文;镰田英里;奥岛芳树;新见秀树;岩泽绫子;中村祯志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明提供一种配线基板及其制造方法，所述配线基板具有绝缘树脂层、多个配线和通孔导体。配线经由绝缘树脂层配设且由铜箔形成。通孔导体以贯通绝缘树脂层的方式设置，且将多个配线电连接。通孔导体具有树脂部分和含有铜、锡及铋的金属部分。金属部分包括：包含铜微粒子的结合体的第一金属区域；以锡、锡-铜合金、锡与铜的金属间化合物中的至少任一个为主成分的第二金属区域；以铋为主成分的第三金属区域。金属部分中的铜、锡、铋的重量组成比在三元相图中位于规定的区域。铜箔的与通孔导体相接的表面是粗糙度曲线的偏度为0以下的粗糙面。并且，铜微粒子的一部分与铜箔的粗糙面进行面接触，且第二金属区域的至少一部分形成在结合体的表面和铜箔的粗糙面上。
配线基板及其制造方法