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[发明专利]铕络合物-CN201880076675.0有效
发明人：荒木启介;本田宽哉;小矶尚之;仲龟良;吉富史晃;岩永宏平;古川泰志 -专利权人：东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C07F9/53 文献下载
摘要：提供具有高的光稳定性的铕络合物。式(A)表示的铕络合物。〔式中，RA及RB各自独立地为碳原子数3～10的环状烷基，RC为碳原子数3～10的环状烷基或者式(B)(式中，XA、XB、XC、XD、及XE各自独立地表示氢原子；氟原子；碳原子数1～3的烷基；碳原子数1～3的烷氧基；碳原子数6～10的芳氧基；碳原子数1～3的氟烷基；碳原子数1～3的氟烷氧基；或者任选被氟原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、氟苯基、羟基、或氰基取代的苯基。)表示的苯基；或者RA为碳原子数3～10的环状烷基，RB及RC为式(B)表示的苯基，其中，不包括RA为环己基、并且RB、RC为苯基的情况。或者RA、RB及RC各自独立地表示式(Ba)表示的邻位取代苯基(式中，XF表示氢原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、任选被氟原子取代的萘基、任选被氟原子取代的吡啶基、或者式(C)[式中，ZA、ZC及ZE各自独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、任选被氟原子取代的苯基、羟基、或氰基。ZB及ZD各自独立地表示氢原子或氟原子。]表示的苯基。其中，不包括RA、RB及RC全部为苯基的情况。)。RD表示氢原子、氘原子、或氟原子。WA及WB各自独立地表示碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的氟烷基、苯基、2‑噻吩基或3‑噻吩基。n表示1～3的整数。〕。
络合物

[发明专利]锂离子二次电池用负极活性物质及其制造方法-CN201580016235.2有效
发明人：三崎日出彦;阿部昌则;津吉彻;向后雅则;高东修二;荒川太地;岩永宏平 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供一种保持高的初期效率和电池容量，并且循环特性优异的锂离子二次电池用负极活性物质及其制造方法。一种锂离子二次电池用负极活性物质，其含有Si化合物、碳质物或碳质物和石墨而成，其中，通过以下工序得到负极活性物质，所述工序为：将Si化合物、碳前体、以及根据需要的石墨的粉末进行混合的工序；进行制粒/压实化的工序；将混合物进行粉碎而形成复合粒子的工序；将该复合粒子在非活性气体气氛中进行焙烧的工序；和将进行了粉碎及球形处理的复合粉或焙烧粉进行风力分级的工序。
锂离子二次电池负极活性物质及其制造方法

[发明专利]制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法-CN201510363768.X有效
发明人：木下智之;岩永宏平;浅野祥生;川畑贵裕;大岛宪昭;平井聪里;原田美德;新井一喜;多田贤一 -专利权人：东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C07F7/28 文献下载
摘要：本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。
用材 iv 金属氧化物制造方法

[发明专利]钌络合物及其制造方法以及含钌薄膜的制作方法-CN201380069822.9有效
发明人：多田贤一;山本俊树;尾池浩幸;摩庭笃;千叶洋一;岩永宏平;河野和久 -专利权人：东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数。)
络合物及其制造方法以及薄膜制作方法

[发明专利]制膜用材料、IV族金属氧化物膜和亚乙烯基二酰胺络合物-CN201280054346.9无效
发明人：木下智之;岩永宏平;浅野祥生;川畑贵裕;大岛宪昭;平井聪里;原田美德;新井一喜;多田贤一 -专利权人：东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C01B13/32 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。
用材 iv 金属氧化物乙烯基二酰胺络合物

[发明专利]含氢硅烷衍生物、其制造方法及含硅薄膜的制造法-CN201180036572.X有效
发明人：多田贤一;岩永宏平;山本俊树;摩庭笃 -专利权人：东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在500℃以下的低温下即使不使用等离子体等也可以高效地制作含硅薄膜的材料。本发明使氯硅烷衍生物(3)和化合物M²Z(4)进行反应，制造通式(1’)所示的含氢硅烷衍生物，并以该含氢硅烷衍生物作为材料制造含硅薄膜，在通式(1’)中，R¹及R²分别独立地表示表示碳原子数3~12的烷基。在Z为异氰酸基或异硫氰酸基的情况下，M²表示钠原子等。在Z为氨基、NHR³所示的一取代氨基或NR⁴R⁵所示的二取代氨基的情况下，M²表示氢原子等。R³表示任选被氟原子取代的碳原子数1~12的烷基。R⁴及R⁵分别独立地表示表示碳原子数1~4的烷基。在Z为碳原子数2~6的链烯基的情况下，M²表示卤化镁基团。
硅烷衍生物制造方法薄膜

[发明专利]钛络合物及其制备方法、含钛薄膜及其制备方法-CN200980123896.X有效
发明人：多田贤一;山本俊树;千叶洋一;岩永宏平;摩庭笃;肆矢忠宽;大岛宪昭 -专利权人：东曹株式会社;财团法人相模中央化学研究所
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C07C211/65 文献下载
摘要：本发明的主题是提供新的钛络合物，其具有高的蒸气压和高的热稳定性，并用作通过如CVD方法或ALD方法的技术制备含钛薄膜的出色材料，还提供制备这些络合物的方法、由所述络合物制备的含钛薄膜和制备薄膜的方法。本发明涉及制备通式(1)表示的钛络合物(其中R¹和R⁴分别独立地表示具有1～16个碳原子的烷基；R²和R³分别独立地表示氢原子或具有1～3个碳原子的烷基；R⁵表示具有1～16个碳原子和任选被一个或多个氟原子取代的烷基)，以及涉及使用该络合物制备含钛薄膜。
络合物及其制备方法薄膜

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