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- [发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法-CN201710893730.2有效
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岩井哲博;原基子
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松下知识产权经营株式会社
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2017-09-27
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2021-05-07
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H01J37/32
- 提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法，在等离子体处理时使覆盖件与盖一同下降而对运输载体进行保护。等离子体处理装置具备：基座，具有电极体以及对电极体进行支承的基体，电极体具有对保持在运输载体的基板进行载置的载置面；以及盖，能够相对于基座进行升降，在通过盖下降并与基体密接而形成的密闭空间产生等离子体，进行载置在载置面的基板的等离子体处理，运输载体具备保持片以及配置在保持片的外周部的框架，基板保持在保持片，并且经由保持片载置在载置面，等离子体处理装置还具备：引导件，沿着电极体的周围配置，并对框架进行定位；以及覆盖件，与盖一体设置，在形成有密闭空间时，至少覆盖运输载体的框架。
- 等离子体处理装置以及方法
- [发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN201410113648.X有效
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西崎展弘;针贝笃史;岩井哲博;广岛满
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松下知识产权经营株式会社
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2014-03-25
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2018-11-23
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H01L21/3065
- 本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，使得即使在实施等离子处理的情况下保持片也不会受到不良影响。具备：室(11)；在室(11)内产生等离子的等离子源(13)；设置于室(11)内且载置输送载体(5)的台(16)；配置于台(16)的上方并覆盖保持片(6)和框(7)，在中央部具有在厚度方向上贯通地形成的窗部(33)的盖体(31)；和驱动机构(38)，其将盖体(31)相对于台(16)的相对位置变更为第1位置和第2位置，所述第1位置是离开台(16)且容许输送载体(5)相对于台(16)的装卸的位置，所述第2位置是盖体(31)覆盖在台(16)上载置的输送载体(5)的保持片(6)和框(7)、且所述窗部(33)使保持片(6)所保持的基板(2)露出的位置。盖体(31)的窗部(33)使与基板(2)的外缘区域相比更靠内侧的区域露出。
- 等离子处理装置以及方法
- [发明专利]等离子体处理设备-CN200680004555.7有效
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岩井哲博
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松下电器产业株式会社
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2006-09-07
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2008-01-30
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H01J37/32
- 在一种在半导体晶片(5)上进行等离子体处理的等离子体处理设备中，提供有电极构件(46)的下电极(3)布置于作为真空腔(2)的主体的腔容器(40)的底部(40c)中，且上电极(4)布置在下电极(3)上方以上下移动，上电极(4)提供有从其下面向其外部边缘部分(51a)向下突出到外部边缘部分的下面的突出面。上电极(4)向下朝下电极(3)移动以使外部边缘部分(51a)与形成于腔容器(40)的侧壁部分(40a)中的中间水平(HL)的环形气密密封面(40d)接触，藉此在下电极(3)和上电极(4)之间形成气密密封处理空间(2a)。因此，常压空间(2b)在上电极(4)上方形成，且防止异常放电的发生，这样使得能够高效地进行稳定的等离子体处理。
- 等离子体处理设备
- [发明专利]等离子体处理设备和等离子体处理方法-CN03817044.2有效
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岩井哲博;有田洁
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松下电器产业株式会社
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2003-07-14
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2005-09-14
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H01J37/32
- 在对硅片(6)进行冷却的状态下对该硅片进行等离子体处理的等离子体处理设备中，由第一电极(3)借助于静电吸引保持粘接有保护膜(6a)的硅片(6)，第一电极(3)的顶表面(3g)由位于边界线(P2)内侧的顶表面中心区(A)和包围顶表面中心区(A)的环形顶表面周边区(B)构成，所述边界线从硅片(6)的外周边(P1)向内距离规定的长度，顶表面中心区中的导体被露出，环形顶表面周边区中的导体用绝缘涂层(3f)覆盖。这种结构通过使硅片(6)与导体直接接触而可以利用足够的静电保持力来保持硅片(6)，并且通过从硅片(6)向第一电极(3)传导热量可以提高冷却效率。
- 等离子体处理设备方法
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