[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法有效
申请号: | 201410113648.X | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN104143508B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 西崎展弘;针贝笃史;岩井哲博;广岛满 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法,使得即使在实施等离子处理的情况下保持片也不会受到不良影响。具备:室(11);在室(11)内产生等离子的等离子源(13);设置于室(11)内且载置输送载体(5)的台(16);配置于台(16)的上方并覆盖保持片(6)和框(7),在中央部具有在厚度方向上贯通地形成的窗部(33)的盖体(31);和驱动机构(38),其将盖体(31)相对于台(16)的相对位置变更为第1位置和第2位置,所述第1位置是离开台(16)且容许输送载体(5)相对于台(16)的装卸的位置,所述第2位置是盖体(31)覆盖在台(16)上载置的输送载体(5)的保持片(6)和框(7)、且所述窗部(33)使保持片(6)所保持的基板(2)露出的位置。盖体(31)的窗部(33)使与基板(2)的外缘区域相比更靠内侧的区域露出。 | ||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子处理装置,其对由保持片和在所述保持片的外周缘附近的粘着面贴着的环状的框构成的输送载体所保持的基板实施等离子处理,所述等离子处理装置的特征在于,具备:室,其具有能够减压的内部空间;等离子源,其使所述室内产生等离子;台,其被设置于所述室内并载置所述输送载体;盖子,其配置于所述台的上方并覆盖所述保持片和所述框,具有在厚度方向上贯通地形成在中央部的窗部以及在下表面的外周部所设置的载置面;和驱动机构,其将所述盖子相对于所述台的相对位置变更为第1位置和第2位置,所述第1位置是离开所述台并容许所述输送载体相对于所述台的装卸的位置,所述第2位置是所述盖子与所述框、所述保持片、所述基板的任一个均不接触地覆盖在所述台上载置的所述输送载体的所述保持片和所述框、且所述窗部使所述保持片所保持的所述基板露出并且所述载置面与所述台进行面接触的位置,所述盖子的窗部,使所述基板的比外缘区域更靠内侧的区域露出,所述驱动机构具备固定于所述盖子的所述载置面的驱动杆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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