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- [发明专利]金属膜的形成方法和成膜装置-CN201910505326.2有效
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若林哲;中込素子;山崎英亮
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东京毅力科创株式会社
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2019-06-12
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2022-08-23
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C23C16/50
- 本发明提供一种金属膜的形成方法和成膜装置，能够对基板上形成的金属膜的膜厚的面内分布进行控制。本公开的一个方式的金属膜的形成方法包括以下工序：向用于收容基板的处理容器内供给含有金属原料气体和等离子体激励气体的第一气体以及含有还原气体和等离子体激励气体的第二气体，并通过等离子体CVD法来在所述基板上形成第一金属膜；以及在形成所述第一金属膜的工序之后，向所述处理容器内供给含有所述金属原料气体和所述等离子体激励气体的第三气体以及含有所述还原气体和所述等离子体激励气体的第四气体，并通过等离子体CVD法来在所述第一金属膜上形成第二金属膜。
- 金属膜形成方法装置
- [发明专利]成膜装置和其使用的气体排出部件-CN201710686260.2有效
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冈部真也;望月隆;山崎英亮;平松永泰;传宝一树
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东京毅力科创株式会社
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2017-08-11
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2019-11-29
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C23C16/455
- 本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，将处理气体向基座(2)上的晶片(W)排出的喷淋头(10)；在喷淋头(10)和基座(2)之间生成等离子体并激发处理气体的高频电源(41)，利用由等离子体激发的处理气体在晶片(W)上形成规定的膜。喷淋头(10)具有与基座(2)相对的气体排出面(17)，在气体排出面(17)形成有多个气体排出孔(15)，气体排出面(17)中的形成有多个气体排出孔(15)的气体排出孔形成区域(18)比气体排出面(17)的与晶片(W)对应的区域小。
- 装置使用气体排出部件
- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201110303097.X有效
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布重裕;山崎英亮
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东京毅力科创株式会社
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2011-09-29
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2012-05-02
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C23C16/452
- 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。其通过在反应速率控制区域引起成膜反应，即使是径深比大的接触孔也能够更薄地形成覆盖率良好的钛膜，降低接触孔的电阻。该成膜装置包括：基座(112)，用于载置基板(W)；簇射头(120)，用于将处理气体供给到处理室(111)内；高频电源(143)，用于以规定的功率将用于生成等离子体的高频电供给于簇射头；排气装置(152)，用于对处理室内进行排气而使处理室内减压到规定的压力；控制部(190)，其通过对还原气体的流量、处理室内的压力、高频电的功率中的任意一种条件进行改变，对上述反应速率控制区域进行控制，使得欲应用于钛膜的成膜处理中的成膜气体的流量进入成膜处理的反应速率控制区域。
- 方法装置
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