专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]丙烯酸树脂组合物以及丙烯酸树脂成型体-CN201080061888.X有效
  • 山口优子;阿部纯一;末村贤二 - 三菱丽阳株式会社
  • 2010-12-27 - 2012-10-03 - C08F265/06
  • 本发明提供一种丙烯酸树脂组合物及其成型体,该丙烯酸树脂组合物的流动性高,熔融粘度低,不在成型机内滞留,能够以高速长时间地连续成型,另外能够得到不损害外观、机械强度等本来的性质且抑制了白化的发生的成型体。本发明的丙烯酸树脂组合物是在弹性聚合物的存在下,将含有具有碳原子数为1~4的烷基的甲基丙烯酸烷基酯的单体进行聚合而得到的丙烯酸树脂组合物,其满足特定的流动性和拉伸强度试验后的光的透射率,所述弹性聚合物是将从具有碳原子数为1~8的烷基的丙烯酸烷基酯和具有碳原子数为1~4的烷基的甲基丙烯酸烷基酯中选择的任意1种或2种以上与接枝交叉剂进行聚合而得到的。
  • 丙烯酸树脂组合以及成型
  • [发明专利]抗反射膜和曝光方法-CN200610073937.7无效
  • 松泽伸行;渡辺阳子;布恩塔里卡·桑纳卡特;小泽谦;山口优子 - 索尼株式会社
  • 2006-02-28 - 2006-09-06 - G03F7/09
  • 一种抗反射膜,其中,在浸液式平版印刷技术中,即使在曝光光线倾斜进入的地方,也能够在抗蚀剂层和硅衬底之间的界面处获得充分降低的反射率。两层抗反射膜用在通过波长为190-195nm并且数值孔径为1.0或更小的曝光系统的曝光中,并且形成于抗蚀剂层与硅衬底之间。抗反射膜的上层和下层的复折射率N1和N2以及膜厚度分别是由n1-k1i,n2-k2i和d1,d2表示的,并且选择值[n10,k10,d10,n20,k20,d20]的预定组合,n1,k1,d1,n2,k2和d2满足{(n1-n10)/(n1m-n10)}2+{(k1-k10)/(k1m-k10)}2+{(d1-d10)/(d1m-d10)}2+{(n2-n20)/(n2m-n20)}2+{(k2-k20)/(k2m-k20)}2+{(d2-d20)/(d2m-d20)}2≤1。
  • 反射曝光方法
  • [发明专利]形成图形的方法-CN200510134618.8有效
  • 下村幸司;木下义章;船户觉;山口优子 - AZ电子材料(日本)株式会社
  • 1999-04-05 - 2006-08-02 - G03F7/20
  • 一种形成具有高分辨率和高精确度的蚀刻图形的方法,该方法防止在有机抗反射膜和光敏感材料膜之间的界面中形成反应产物,并在蚀刻后减少了已蚀刻膜的残余物。在半导体基质10上形成由多晶硅组成的可蚀刻膜11,有机抗反射膜12,和由化学放大抗蚀剂制成的光敏材料膜13,该抗蚀剂含有(a)一种鎓盐化合物和(b)至少一种磺酸酯化合物。通过掩模14对光敏材料膜13曝光并显影以形成已摹制的光敏材料膜13b 。其后用SO2-O2混合气体干法蚀刻抗反射膜,并且干法蚀刻已蚀刻的膜以形成蚀刻膜的图形。
  • 形成图形方法

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