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[发明专利]非易失性存储器的数据刷新-CN200980150591.8有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：公开了用于刷新非易失性存储器设备中的数据的技术，该刷新足够频繁，足以克服错误的或遭破坏的数据比特，但不会太频繁而干扰存储器存取或导致存储器单元负担过重。一个实施例包括：基于设备中第一组非易失性存储器元件中的数据的条件，确定执行对该第一组非易失性存储器元件中所存储数据的刷新；根据相对于最近一次对所述第一组非易失性存储器元件进行了编程的时间于何时对该设备中的第二组非易失性存储器元件进行了最近一次编程，确定应当对该第二组非易失性存储器元件进行刷新程序；以及对所述第二组非易失性存储器元件执行所述刷新程序。
非易失性存储器数据刷新

[发明专利]非易失性存储的可变编程-CN201010276484.4有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：在擦除多个非易失性存储元件之后，执行软编程过程以使所述非易失性存储元件的擦除阈值分布紧密。在所述软编程过程期间，系统识别第一组的所述非易失性存储元件完成所述软编程所需的编程脉冲的数目及除最后一组之外的所有组的非易失性存储元件完成软编程所需的编程脉冲的数目。所述两个数目用于表征所述非易失性存储元件的所述阈值分布。所述阈值分布的此表征及所述编程脉冲的步长大小用来限制随后编程期间所使用的检验脉冲的数目。
非易失性存储可变编程

[发明专利]基于阈值电压分布的动态检验-CN200880005137.9有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：在擦除多个非易失性存储元件之后，执行软编程过程以使所述非易失性存储元件的擦除阈值分布紧密。在所述软编程过程期间，系统识别第一组的所述非易失性存储元件完成所述软编程所需的编程脉冲的数目及除最后一组之外的所有组的非易失性存储元件完成软编程所需的编程脉冲的数目。所述两个数目用于表征所述非易失性存储元件的所述阈值分布。所述阈值分布的此表征及所述编程脉冲的步长大小用来限制随后编程期间所使用的检验脉冲的数目。
基于阈值电压分布动态检验

[发明专利]用于包括耦合补偿的非易失性存储器读取操作的边际化相邻者读取-CN200780051240.2有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：存储于非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上的表观电荷的移位可能由于基于存储于邻近浮动栅极(或其它邻近电荷存储元件)中的电荷的电场的耦合而发生。所述问题最显著地发生于已在不同时间处被编程的若干组邻近存储器单元之间。为了解决此耦合，对特定存储器单元的读取过程将向邻近存储器单元提供补偿，以便减小所述邻近存储器单元对所述特定存储器单元造成的耦合效应。在读取所述邻近单元以确定适当补偿时，可使用边际化读取电压。
用于包括耦合补偿非易失性存储器读取操作边际相邻

[发明专利]通过考虑相邻存储器单元的所存储状态来读取非易失性存储器单元-CN200780050890.5有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-12-24 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：存储于非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上的表观电荷的移位可能由于基于存储于邻近浮动栅极(或其它电荷存储元件)中的电荷的电场的耦合而发生。为了解决此耦合，对目标存储器单元的读取过程将向邻近存储器单元(或其它存储器单元)提供补偿以便减小所述邻近存储器单元对所述目标存储器单元造成的耦合效应。所施加的补偿是基于所述邻近存储器单元的条件。为了施加正确的补偿，所述读取过程将至少部分地将对所述邻近存储器单元的读取操作与对所述目标存储器单元的读取操作进行混合。
通过考虑相邻存储器单元存储状态读取非易失性存储器

[发明专利]用于非易失性存储装置的电阻感测及补偿-CN200780050875.0有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯;若尔-安德里安·瑟尼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-12-24 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：当从作为一群组经连接非易失性存储元件的部分的非易失性存储元件读取数据时，针对所述群组测量电阻信息。基于所述所测量的电阻信息而设定一个或一个以上读取参数。接着使用所述一个或一个以上参数来执行读取过程。
用于非易失性存储装置电阻补偿

[发明专利]具有成形浮动栅极的非易失性存储器-CN200780030319.7有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在使用浮动栅极来存储电荷的非易失性存储器中，个别浮动栅极(230)呈L形。L形浮动栅极的定向可在位线方向上交替且还可在字线方向上交替。通过使用不同图案的蚀刻掩模蚀刻导电部分以获得不同定向的浮动栅极来形成L形浮动栅极。
具有成形浮动栅极非易失性存储器

[发明专利]具有由衬底沟槽中的间隔物形成的浮动栅极的非易失性存储器单元的阵列-CN200780034366.9有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：为了减小由给定数目的快闪存储器单元的阵列占用的集成电路面积，沿着衬底沟槽(60、61)的侧壁定位浮动栅极电荷存储元件(103、105、111、113)，其优选由经掺杂多晶硅间隔物形成。作为一实例，双浮动栅极存储器单元的阵列包含具有此结构的单元。存储器单元的NAND阵列是此单元结构的应用的另一实例。所述存储器单元和阵列结构广泛应用于各种特定NOR和NAND存储器单元阵列架构。
具有衬底沟槽中的间隔形成浮动栅极非易失性存储器单元阵列

[发明专利]对于快闪存储器中的循环效应的伪随机及命令驱动位补偿及其方法-CN200780032732.7有效
发明人：李彦;玉品·卡温·方;尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：在快闪存储器EEPROM内容易实施的随机化减少了因特定数据模式的重复且长期的存储而导致的NAND串电阻效应、编程干扰、用户读取干扰及浮动栅极到浮动栅极耦合。在不同实施例中，所述随机化可为由码产生的伪随机化或由用户驱动的随机化。定时无法被预测的由用户驱动的命令可用来触发和实现高级随机化。随机地改变数据的编码方案防止了特定数据模式的重复且长期的存储。即使用户希望长期存储相同信息，或重复存储所述信息，也将用不同的编码方案来随机地编码所述信息，且因此将变更数据模式。
对于闪存中的循环效应随机命令驱动补偿及其方法

[发明专利]用于对非易失性存储器进行非实时重新编程以实现较紧密的阈值电压分布的方法-CN200780009496.7有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一组非易失性存储元件经受初始编程，之后，使用较高验证电平非实时地(例如当控制进入备用模式时、当无其它读取或写入任务待决时)执行重新编程。所述重新编程可编程所述组中的页，一次一页，当另一读取或写入任务待决时所述重新编程便在页边界处停止，且当所述控制变得再次可用时重新开始。可提供状态旗标以识别页及/或所述组是否已完成所述重新编程。在另一方面中，在所述重新编程期间将较高通过电压施加到未选定的字线。在另一方面中，使用一默认组读取电压来确定错误计数，且如果所述计数超过阈值，则选择一替代组读取电压。
用于非易失性存储器进行实时重新编程实现紧密阈值电压分布方法

[发明专利]对浮动栅极耦合具有补偿的非易失性存储装置的读取操作-CN200780007206.5有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-02-27 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：由于基于相邻浮动栅极(或其它相邻电荷存储元件)中所存储的电荷的电场耦合，可能发生非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上所存储的表观电荷的移位。所述问题最显著发生于已在不同时间编程的若干组相邻存储器单元之间。为了解决此耦合，针对特定存储器单元的读取过程将向相邻存储器单元提供补偿，以便减小所述相邻存储器单元对所述特定存储器单元具有的耦合效应。为此，将读取电压施加至选定存储器单元的字线，将第二通过电压施加至与所述选定存储器单元相邻的存储器单元的字线，且将第一通过电压施加至其它字线。在读取所述选定存储器单元之前，读取所述相邻存储器单元的状态，且根据此状态，设定所述第二通过电压。
浮动栅极耦合具有补偿非易失性存储装置读取操作

[发明专利]非易失性存储器的体效应读出方法-CN200680049490.8有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯;杰弗里·W·卢策 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种用于读出存储器单元的方案。通过被选定存储器单元的沟道使被选定存储器单元放电到地电平，接着将电压电平置于传统源极上且将另一电压电平置于控制栅极上，并允许单元位线充电。所述存储器单元的所述位线会接着充电，直到所述位线电压高得足以切断任何进一步的单元导通。所述位线电压的上升将按视所述单元的数据状态而定的速率并上升到视所述数据状态而定的电平，且接着当所述位线达到足够高的电平以致达到电流会本质上切断的体效应受影响存储器单元阈值时，所述单元会关闭。特定实施例执行多个此类读出子操作，每一子操作采用不同的控制栅极电压，但在每一操作中通过经由先前已放电单元的源极对所述先前已放电单元充电而读出多个状态。
非易失性存储器效应读出方法

[发明专利]对非易失性集成存储器装置中的单元进行编程的系统和方法-CN200680028436.5有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯;丹尼尔·C·古特曼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-07-19 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种用于快速且有效地对非易失性集成存储器装置中的难以编程的存储元件进行编程的系统和方法。在流经许多存储元件的电流被限于第一电平的情况下，所述许多存储元件同时经受编程过程。当这些存储元件的一部分达到指定状态时，将它们从正被编程的单元组移除，且升高继续被编程的元件上的电流限制。可将这些难以编程的单元中的电流电平升高到第二、较高的限制或未经调整。根据另一方面，在编程操作期间，允许用于单元的电流限制取决于所述单元将被编程到的目标状态。
非易失性集成存储器装置中的单元进行编程系统方法

[发明专利]用于限制浮动栅极之间的交叉耦合的屏蔽板-CN200580008908.6有效
发明人： 尼玛·穆赫莱斯;杰弗里·W·卢策 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-02-09 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明揭示一种存储器系统，其包括一组非易失性存储元件。每一个所述非易失性存储元件都包括处于一衬底中一沟道的相对侧的源极/漏极区，和所述沟道上方的一浮动栅极堆叠。所述存储器系统还包括一组屏蔽板，其位于邻近的浮动栅极堆叠之间并电连接到所述源极/漏极区以减少邻近的浮动栅极之间的耦合。所述屏蔽板选择性地生长在存储器的活动区域上而不生长在非活动区域上。在一个实施例中，所述屏蔽板是位于所述源极/漏极区上方的外延生长硅。
用于限制浮动栅极之间交叉耦合屏蔽

[发明专利]升压以控制非易失性存储器的编程-CN200580019388.9有效
发明人：丹尼尔·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于以较高精确度编程非易失性存储器的系统。在一个实施例中，所述系统包含：将一升压信号的一第一相位施加到一NAND串集合的一个或一个以上未选定字线；在施加所述升压信号的所述第一相位的同时，将一编程电平施加到所述NAND串的选定位线；和在施加所述升压信号的所述第一相位的同时，将一抑制电平施加到所述NAND串的未选定位线。随后，将所述升压信号的一第二相位施加到所述一个或一个以上未选定字线，且通过将所述抑制电平施加到所述选定位线来改变所述选定位线上的信号，使得与所述选定位线关联的NAND串将由所述升压信号的所述第二相位升压。将一编程电压信号施加到一选定字线以便编程连接到所述选定字线的存储元件。
升压控制非易失性存储器编程

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