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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器件及其操作方法-CN201911233488.1有效
发明人：尹泰植;金大石;尹锡彻;朱鲁根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：提供一种半导体器件及其操作方法。半导体存储器件包括：多个存储体，每个存储体包括多个单元区块和由相邻的单元区块共享的多个感测放大器；以及存储体控制电路，其适用于将根据包括存储体信息的刷新命令而选择的存储体的特定单元区块的正常字线激活，并且在预设延迟时间之后根据目标刷新命令而将不与所述特定单元区块共享感测放大器的单元区块的目标字线激活。
半导体存储器件及其操作方法

[发明专利]地址储存电路以及包括地址储存电路的存储器和存储系统-CN201410443425.X有效
发明人：宋清基;张支银;尹锡彻 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种存储器包括：多个字线，多个字线与一个或更多个存储器单元耦接；地址储存单元，其适合于在随机时间储存与输入的第一外部信号相对应的输入地址；以及控制单元，其适合于响应于激活命令而将多个字线中的与输入地址相对应的字线激活，并且当执行刷新操作时刷新利用储存在地址储存单元中的地址选中的一个或更多个目标字线。
地址储存电路以及包括存储器存储系统

[发明专利]存储器和包括存储器的存储系统-CN201410160388.1有效
发明人： 尹锡彻 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种存储器，包括：多个字线，多个字线中的每个字线与一个或多个存储器单元耦接；地址储存单元，适用于在第一时间点处储存多个字线之中的通过控制单元选中用于访问的字线的地址；以及控制单元，适用于响应于刷新命令的施加而顺序刷新多个字线，响应于每第N次施加刷新命令而将与储存在地址储存单元中的地址相对应的字线相邻的一个或多个相邻字线刷新，其中，N是自然数，以及选择多个字线之中用于访问的一个或多个，其中，第一时间点被包括在除了刷新节段之外的时间节段中，在刷新节段控制单元响应于刷新命令的施加而刷新一个或多个字线。
存储器包括存储系统

[发明专利]半导体器件-CN201110279493.3有效
发明人：沈锡辅;尹锡彻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：封装衬底，具有设置在所述封装衬底的第一表面上的多个外部连接端子、以及设置在所述封装衬底的第二表面上并与所述外部连接端子中的相应一个电连接的多个内部连接端子；第一半导体芯片，层叠在所述封装衬底的所述第二表面之上，且具有用于提供第一信息的第一标志焊盘、以及用于响应于从第一标志焊盘提供的第一信息而将参数调整第一校正值的第一内部电路；以及第二半导体芯片，层叠在所述第一半导体芯片之上，且具有用于提供第二信息的第二标志焊盘、以及用于响应于从第二标志焊盘提供的第二信息而将参数调整第二校正值的第二内部电路。
半导体器件

[发明专利]半导体存储装置-CN200810176504.3无效
发明人：李康设;尹锡彻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止读操作中在数据输入/输出焊垫处产生的电源噪声影响数据选通信号焊垫的半导体存储装置。所述半导体存储装置包括用于数据输出电路的第一电源电压焊垫、第一电源网格以及用于数据选通信号输出电路的第二电源电压焊垫。所述第一电源网格将第一电源电压焊垫彼此相连接。所述第二电源电压焊垫与所述第一电源网格电气地相分离。
半导体存储装置

[发明专利]时钟控制电路及包括该时钟控制电路的数据对齐电路-CN200810087508.4无效
发明人：张支银;尹锡彻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G11C11/4076 文献下载
摘要：本发明提供一种时钟控制电路及包括该时钟控制电路的数据对齐电路。时钟控制电路可防止在上升选通信号及下降选通信号的脉冲宽度改变且因此彼此重迭时出现的故障。该时钟控制电路包括第一时钟控制单元，第一时钟控制单元被配置成接收上升选通信号及下降选通信号且输出经调整的上升选通信号，经调整的上升选通信号的启动脉冲宽度不与下降选通信号的启动脉冲宽度重迭。
时钟控制电路包括数据对齐电路

[发明专利]半导体存储器件及其驱动方法-CN200810167181.1有效
发明人： 尹锡彻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G11C11/4078 文献下载
摘要：提供了半导体存储器件及其驱动方法。半导体存储器件包括：第一锁存器，响应于模式寄存器设置(MRS)命令脉冲来锁存由多位构成的MRS代码；代码控制器，响应于来自所述第一锁存器的输出信号中的预设位的代码值来生成控制信号；第二锁存器，响应于所述控制信号而选择性地锁存来自所述第一锁存器的输出信号；以及模式解码器，对来自所述第二锁存器的输出信号进行解码，以输出工作模式。
半导体存储器件及其驱动方法

[发明专利]阻抗调整电路和具有该电路的半导体存储器件-CN200810085734.9有效
发明人：金基镐;尹锡彻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-03-13 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗调整电路和具有该电路的半导体存储器件，阻抗调整电路包括：校准电路，被配置成产生用于确定端接电阻的第一校准码和第二校准码；传输线电路，被配置成在第一时间段期间传送第一校准码，并在第二时间段期间传送第二校准码；及端接电阻器电路，适于使阻抗与通过接收第一校准码和第二校准码而确定的电阻匹配。
阻抗调整电路具有半导体存储器件

[发明专利]具有全局数据总线的半导体存储器件-CN200510069128.4有效
发明人：金京男;尹锡彻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-05-10 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：提供了一种半导体设计技术，具体而言是一种半导体存储器件中的全局数据总线的总线线路设置方法。依照本发明，线路歪偏可不发生或者在其出现时可被最小化。进一步地，在其出现时，依赖特定规则，可容易地补偿它。本发明提出方案，其将对应于每个排组的数据传输单位分类成多组，其每个具有一些连续的数据传输单位，且使全局数据总线的总线线路针对每组被交替设置。换句话说，本发明提出的全局数据总线线路设置方案可被限定为分组交替设置方案。在这个情况下，相邻全局数据总线线路之间的重叠间隔可被大大减小且线路的歪偏问题也可被解决。
具有全局数据总线半导体存储器件

[发明专利]半导体装置的修理熔丝盒-CN200410094683.8有效
发明人： 尹锡彻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体装置的修理熔丝盒，包括：多个熔丝盒，以一纵向配置，各熔丝盒包括多个熔丝，以一横向配置；多个信号连接熔丝，配置在所述熔丝的最外熔丝的各侧部分，其由该多个熔丝盒的一个或多个熔丝盒中配置的熔丝选取以建构一单位熔丝组，而其一侧端互相连接，所述信号连接熔丝连接所述最外熔丝；及多个金属线，用以连接所述信号连接熔丝至所述选取熔丝以建构一上或下熔丝盒中的单位熔丝盒。根据本发明，能不迂回所述金属线而将所述熔丝连接在一起以大幅度减少芯片大小。
半导体装置修理熔丝盒

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