“尚伟泽”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果48个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]拉晶方法-CN202310790173.7在审
发明人：万雪健;尚伟泽;白枭龙;欧子杨 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及晶体生长领域，提供一种拉晶方法，包括：依次由熔接步骤、引晶步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤和收尾步骤组成的拉晶过程，在拉晶过程的每一步骤中炉压均小于等于500Pa，且抽气速率均大于等于1000m3/h。本申请实施例提供的拉晶方法至少有利于降低晶体中的氧含量。
方法

[发明专利]单晶硅制造的方法、电子设备及存储介质-CN202110221238.7有效
发明人：杨俊;万雪健;白枭龙;尚伟泽 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种单晶硅制造的方法，应用于直拉法，该方法包括：按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度以及放肩直径；根据放肩角度、放肩工序中起始的直径以及晶体的平均拉速，生成放肩角度对应的触发直径阈值；检测所述放肩直径是否达到与所述放肩角度对应的触发直径阈值，若检测到所述放肩直径达到所述触发直径阈值，则触发执行转肩工序。本发明实施例解决了转肩工序结束后单晶硅的直径与目标直径误差大的问题以及单晶硅的制造效率低的问题。
单晶硅制造方法电子设备存储介质

[发明专利]硅片标识的识别方法、硅片打标方法以及硅片-CN202011062986.7有效
发明人：欧子杨;白枭龙;尚伟泽;金浩 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅片标识的识别方法，包括：通过距离感应装置扫描硅片的标识区域，得到表征硅片标识的起伏结构特征的距离信息，其中，起伏结构为硅片表面的凹陷和/或凸起；将距离信息反馈给处理模块，以使处理模块根据距离信息识别硅片标识。本发明实施例还提供一种硅片打标方法以及硅片。本发明实施例提供的硅片标识的识别方法、硅片打标方法以及硅片，解决了流水线造价昂贵、成本较高的问题。
硅片标识识别方法以及

[发明专利]提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置-CN202110347711.6有效
发明人：郑来奇;欧子杨;白枭龙;尚伟泽;杨俊 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，提供一种提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置，其中，方法包括以下步骤：在拉制成型的单晶硅取出单晶炉之后，且在复投硅料之前，通过晶体提拉装置将复投钡粉装置下降至坩埚内的硅液面上方，使得复投钡粉装置的出粉口与坩埚底部的圆角处相对；控制晶体提拉装置的转速达到预设值，在保护气体的作用下将放置于复投钡粉装置内的钡粉吹向坩埚底部圆角处。本申请提出提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置，能够降低连续拉制单晶硅过程中坩埚的腐蚀程度，提高坩埚使用寿命，提升复投单晶硅品质。
提高单晶硅成晶率方法制备装置

[发明专利]用于晶体生长装置的加料设备、晶体生长装置及加料工艺-CN202110220696.9有效
发明人：杨俊;何丽珠;白枭龙;尚伟泽 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于晶体生长装置的加料设备、晶体生长装置及加料工艺，其中，该加料设备包括本体和开合机构，本体由下至上包括至少两层的腔室，开合机构设置于相邻两层腔室之间，相邻两层腔室通过开合机构导通或分隔；本体上设置有出料口和进料口，出料口与位于底层的腔室连通，进料口与位于顶层的腔室连通。本申请通过在加料设备中设置至少两层的腔室，可以使该加料设备能够单独进行备料、抽真空及充入保护气的操作，而不会占用工艺用时，同时可以实现在晶棒冷却过程中对单晶炉进行加料，由此缩短了晶棒制备工艺的整体时长，提升了生产效率。
用于晶体生长装置加料设备工艺

[发明专利]氢、磷、氮掺杂单晶硅及其制备方法、太阳能电池-CN202010967786.X有效
发明人：肖贵云;白枭龙;尚伟泽;何丽珠 -专利权人：新疆晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，本申请提供氢、磷、氮掺杂单晶硅及其制备方法、太阳能电池，所述氢、磷、氮掺杂单晶硅中的氢掺杂浓度为1×105～1×1016atoms/cm3，磷掺杂浓度为1×1015～5×1017atoms/cm3，氮掺杂浓度为0.1×1012～1×1016atoms/cm3；所述氢、磷、氮掺杂单晶硅的电阻率为0.1～10Ω·cm。本申请的氢、磷、氮掺杂单晶硅及其制备方法、太阳能电池，可以有效提升单晶硅中的少子寿命，有利于提升电池钝化效果，提升硅片机械强度，提高太阳能电池的转换效率。
掺杂单晶硅及其制备方法太阳能电池

[实用新型]一种防掉棒装置及单晶炉-CN202222928561.0有效
发明人：刘怀玉;欧子杨;尚伟泽;白枭龙 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种防掉棒装置及单晶炉，涉及光伏技术领域，所述防掉棒装置用于防止上提拉机构所夹持的晶棒掉落，上提拉机构用于夹持并提拉晶棒，防掉棒装置包括：重量监测装置，设于上提拉机构上，用于实时监测晶棒的重量；位置检测装置，用于检测晶棒在提拉过程中所处的位置；夹持机构，夹持机构与重量监测装置及位置检测装置均电连接，夹持机构位于晶棒周围，具有防护状态和夹持状态，当位置检测装置检测到晶棒处于预设位置时，夹持机构处于防护状态；当重量监测状态监测到的晶棒的重量减小时，夹持机构处于夹持状态。有效防止了晶棒在拉晶过程中掉落，避免了对单晶炉及整个热系统造成损坏，同时避免了安全事故的发生。
一种防掉棒装置单晶炉

[发明专利]掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法-CN202011052877.7有效
发明人：肖贵云;白枭龙;尚伟泽 -专利权人：晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法，涉及半导体材料制备技术领域。该掺杂剂加料器，用于掺杂半导体材料的制备，所述掺杂剂加料器为密封式结构，所述密封式结构的内部具有容纳空间，所述容纳空间用于盛装掺杂剂；其中，所述掺杂剂加料器的材质包括含硅材料，在制备所述掺杂半导体材料的过程中，所述掺杂剂加料器以及内部的掺杂剂在热场加热下适于形成熔体，用以制备所述掺杂半导体材料。本申请能够精确的控制掺杂剂的掺杂量，提供足够均匀的电阻率分布，提高生产效率，结构简单，操作方便。
掺杂料器半导体材料制备系统方法

[实用新型]单晶炉冷却设备-CN202220219974.9有效
发明人：苏琮;白枭龙;尚伟泽;陈养俊 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉冷却设备，包括冷却设备本体，冷却设备本体位于密封箱内，密封箱的第一侧包括开口；冷却设备本体包括：冷却水管、直线滑轨和电机；冷却水管包括至少一个沿第一方向延伸的U型水管，用于循环水流通，电机用于驱动直线滑轨带动冷却水管沿第一方向移动，冷却设备本体在第一状态下，部分冷却水管位于密封箱外部用于插入与冷却设备连接的单晶炉的进料口中，冷却设备在第二状态下，冷却水管位于密封箱内部；通过将部分冷却水管位于密封箱外部用于插入与冷却设备连接的单晶炉的进料口中，对单晶炉进行冷却处理，有效提高冷却效率。
单晶炉冷却设备

[实用新型]冷却循环管道及设有冷却循环组的单晶炉-CN202123383674.9有效
发明人：苏琮;白枭龙;尚伟泽;卢亮;万国鹏 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种冷却循环管道及设有冷却循环组的单晶炉，其中，冷却循环管道包括：第一输气管，第一输气管具有第一进气孔及第一出气孔；第一冷却装置，至少部分第一输气管位于第一冷却装置内；过滤装置，过滤装置包括第二进气孔及第二出气孔，且第二进气孔与第一出气孔连通；第二输气管，第二输气管与第二出气孔连通；动力装置，动力装置位于过滤装置与第二输气管之间，且动力装置与过滤装置及第二输气管连通，本申请实施例至少有利于实现气体的冷却循环。
冷却循环管道设有单晶炉

[发明专利]加料装置及单晶炉-CN202011380604.5有效
发明人：欧子杨;白枭龙;尚伟泽;张昕宇;金浩 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种加料装置及单晶炉，其中，该加料装置包括加料腔、第一部件和连接结构；其中，加料腔上设置有加料口；第一部件设置于加料腔，用于打开或关闭加料口；连接结构的一端与第一部件相连，连接结构的另一端与主炉室相连，连接结构内设置有送料通道，连接结构上还设置有真空阀。本申请可以实现加料装置独立抽真空，并通过连接结构与主炉室连接后，可以对连接结构独立抽真空，从而可以减小在对主炉室建立真空环境时需要抽真空的容积，缩短了抽真空的时长，提升了生产效率。
加料装置单晶炉

[发明专利]一种单晶硅的加料装置及加料设备-CN202011384421.0有效
发明人：何丽珠;白枭龙;杨俊;欧子杨;尚伟泽 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种单晶硅的加料装置及加料设备，其中单晶硅的加料装置包括壳体、转动部件、抽真空装置和至少两个储料部件。储料部件安装于壳体，转动部件能够相对于储料部件转动，当转动部件转动至不同的位置时，位于转动部件的导向通道能够将输料管与不同的储料部件连通，与输料管连通的储料部件能够向炉室内添加物料，未与输料管连通的储料部件可以进行装填和抽真空的操作，通过这样的设计能够使加料以及装填、抽真空的工作同时进行，以提升加料的效率，进入提升单晶硅的加工效率，更加符合实际的使用需求。
一种单晶硅加料装置设备

[实用新型]新型小车-CN202122761836.1有效
发明人：苏琮;白枭龙;尚伟泽 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B62B3/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种新型小车，小车包括把手、第一载物台、第二载物台和第三载物台，把手与第一载物台的第一端相连接；第二载物台相对于第一载物台重叠设置或展开设置，第二载物台相对于第一载物台重叠设置时，在垂直方向上至少第二载物台面积的2/3与第一载物台重叠，占用空间较小，第二载物台相对于第一载物台展开设置时，在垂直方向上至少第二载物台面积的2/3与第一载物台无交叠，这样在水平方向上会增加置物空间，第三载物台与第二载物台转动连接，在垂直方向上第三载物台与第二载物台具有间距，间距使第三载物台和第二载物台之间具有容纳空间，拆清工作中可以将热场放置在第三载物台上，在垂直方向上也增加了置物空间。
新型小车

[发明专利]硅晶体及其制备方法-CN202011051284.9有效
发明人：欧子杨;白枭龙;尚伟泽;金浩 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅晶体的制备方法，包括：提供硅溶液，硅溶液中掺杂有第一掺杂离子以及第二掺杂离子，第一掺杂离子为N型掺杂离子或者P型掺杂离子中的一者，第二掺杂离子为N型掺杂离子或者P型掺杂离子中的另一者，且第一掺杂离子在硅溶液中的分凝系数大于第二掺杂离子在硅溶液中的分凝系数；对硅溶液进行凝固处理，以凝固部分硅溶液形成具有第一掺杂离子的第一类型硅晶体区，在形成第一类型硅晶体区之后，凝固剩余硅溶液形成具有第二掺杂离子的第二类型硅晶体区。本发明实施例有利于提高硅晶体的成品产出率，降低硅晶体的制备成本。
晶体及其制备方法

[实用新型]单晶炉设备及单晶炉装置-CN202120601032.2有效
发明人：黄晶晶;白枭龙;肖贵云;尚伟泽;罗家明;卢亮;邹江华;苏腾 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种单晶炉设备及单晶炉装置，单晶炉设备包括供电控制电路，供电控制电路包括第一开关、控制器、变压器、整流器、电容及电阻；第一开关的第一端用于与交流电源的第一端电连接，第一开关的第二端与变压器的第一端电连接，第一开关的第三端与控制器电连接；变压器的第二端用于与交流电源的第二端电连接，变压器的第三端与整流器的第一端电连接，变压器的第四端与整流器的第二端电连接；电容的第一端及电阻的第一端与整流器的第三端电连接，电容的第二端及电阻的第二端与整流器的第四端电连接；电阻的第一端及第二端还与驱动器的电源端电连接，控制器还与驱动器的电源端电连接。
单晶炉设备装置

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 48 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top