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[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN202210037585.9在审
发明人：伊东浩二;小笠原淳;村井亮太 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够高耐量且易于制造的半导体装置。本发明涉及的半导体装置，包括：台面型二极管结构部(20)，依次层积有P型半导体层(11)、第一N型半导体层(12)、以及杂质浓度比所述第一N型半导体层高的第二N型半导体层(13)；以及在平面视图中配置在所述台面型二极管结构部(20)周围的侧壁的保护层(17b)，其中，在所述P型半导体层的下侧的侧面未配置所述保护层，在所述P型半导体层的上侧的侧面配置有所述保护层，在所述第一N型半导体层的侧面12a以及所述第二N型半导体层的侧面13a配置有所述保护层，所述P型半导体层与所述第一N型半导体层之间的的PN结面与所述P型半导体层的上侧的侧面11c构成的斜角(30)大于等于85度小于等于120度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201880000706.4有效
发明人： 小笠原淳;六鎗广野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的的制造方法，包括：溶解工序，将乳酸铝溶于水后制作水溶液；混合工序，制造水溶液与有机溶剂混合后的混合液，并制造含有混合液的半导体掺杂物液体源；涂布工序，在进行混合工序后，将含有水溶液的半导体掺杂物液体源涂布在半导体基板上，从而在半导体基板上形成扩散源覆盖膜；烧成工序，在进行涂布工序后，在第一气氛中，对半导体基板按第一温度进行加热处理，从而对扩散源覆盖膜中的至少有机溶剂进行烧成；以及扩散工序，在进行烧成工序后，在第二气氛中，对半导体基板按高于第一温度的第二温度进行加热处理，使扩散源覆盖膜中含有的铝在半导体基板上扩散，从而在半导体基板上形成扩散层。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201680043423.9有效
发明人： 小笠原淳;本间史浩 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包括：前处理工序，对pn结露出的露出面中n型半导体层露出的第一露出区域进行疏水性处理；掺杂物提供工序，向第一露出区域提供n型掺杂物；沟道截断环形成工序，通过对第一露出区域进行激光照射，将n型掺杂物导入至n型半导体层从而形成沟道截断环；以及玻璃层形成工序，使用玻璃组合物形成玻璃层使其覆盖所述露出面。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201680043436.6有效
发明人： 小笠原淳;本间史浩 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包括：掺杂物提供工序，向pn结露出的露出面中n型半导体层露出的第一露出区域提供n型掺杂物；沟道截断环形成工序，通过对第一露出区域进行激光照射，将n型掺杂物导入至n型半导体层从而形成沟道截断环至第一深度；以及氧化膜形成工序，形成氧化膜使其覆盖形成有沟道截断环的露出面，并且将沟道截断环的区域扩大至比第一深度更深的第二深度。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202110117781.2在审
发明人： 小笠原淳 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的半导体装置，包括：由第一导电型构成的低浓度第一导电型半导体层12；设置在低浓度第一导电型半导体层12上，且由第二导电型构成的第二导电型半导体层13；以及设置在第二导电型半导体层13的一部分上的钝化膜。其中，距离第二导电型半导体层13的一侧的面30μm以内的距离处的杂质浓度可以≤1×1019cm‑3≥1×1017cm‑3。第二导电型半导体层13、以及低浓度第一导电型半导体层12与第二导电型半导体层13之间的界面可以含有重金属。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201880010959.X在审
发明人： 小笠原淳;伊东浩二 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，具有：在包含第一金属以及第二金属的金属容器100内投入玻璃材料、或在包含第一金属的金属容器100内投入第二金属以及玻璃材料的工序；在第一期间内，通过以第一加热温度将所述玻璃材料溶融在所述金属容器100内，从而生成含有所述第一金属或含有所述第二金属的含金属玻璃组分100的工序；以及将所述含金属玻璃组分设置在半导体层的工序。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置的制造方法以及抗蚀玻璃-CN201480082676.8有效
发明人： 小笠原淳 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包含将形成于半导体基板表面的氧化膜部分去除的氧化膜去除工序，其特征在于：所述氧化膜去除工序包括：第一工序，在不运用光刻工序的情况下在所述氧化膜的上方面上选择性地形成抗蚀玻璃层；第二工序，对所述抗蚀玻璃层进行烧制从而使该抗蚀玻璃层致密化；以及第三工序，以所述抗蚀玻璃层为掩膜将所述氧化膜部分去除，其中，所述抗蚀玻璃层由至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO以及BaO中的至少两种碱土类金属氧化物的、并且，实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn的抗蚀玻璃所构成。通过本发明的半导体装置的制造方法，就能够在氧化膜形成工序中不易发生硅外露等的不良情况，并且能够以高生产性来制造半导体装置。
半导体装置制造方法以及玻璃

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780000314.3有效
发明人： 小笠原淳;伊东浩二 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]宽带隙半导体装置以及宽带隙半导体装置的制造方法-CN201580001788.0有效
发明人：前山雄介;中村俊一;小笠原淳;大泽良平;涉川昭彦 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层(32)上；绝缘层(51)、(52)、(53)，在所述第一导电型半导体层(32)上与所述第一电极(10)邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及,第二电极(20)，设置在所述第一电极(10)与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层(32)形成肖特基接触。
宽带半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780000855.6有效
发明人： 小笠原淳;伊东浩二 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C25D13/02 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽120的半导体晶片W；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液12中，在将第一电极板14与第二电极板16以浸渍于悬浊液中的状态下对向设置的同时，在第一电极板与第二电极板之间以半导体晶片的玻璃覆盖膜形成面朝向第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜124。
半导体装置制造方法

[发明专利]线圈部件和电子器件-CN201910807467.X在审
发明人： 小笠原淳 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01F27/32 文献下载
摘要：本发明涉及线圈部件和电子器件。线圈部件包括：具有第一树脂部及第二树脂部的基体部，其中，所述第一树脂部由含有磁性颗粒的树脂形成，所述第二树脂部与所述第一树脂部的表面接合并由含有填料的树脂形成，而且与所述第一树脂部相比树脂含有率大；线圈，其至少埋入所述第一树脂部的一部分，由具有绝缘覆膜的导体形成；引出部，其由所述导体形成，从所述线圈引出到所述第二树脂部；和端子部，其与所述引出部电连接，设置于所述第二树脂部。本发明能够抑制破损。
线圈部件电子器件

[发明专利]线圈部件和电子设备-CN201811610402.8在审
发明人：川村敬三;小笠原淳;铃木利昌 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明提供一种能提高对于振动的可靠性的线圈部件和电子设备。线圈部件包括：包含磁性材料的主体部(10)；内置于主体部(10)的、由导线卷绕而成的线圈(40)；导线从线圈(40)被引出的引出线(44a和44b)，其前端部分(46a和46b)在主体部(10)的下表面(22)固定于主体部(10)；和端子部(70a和70b)，其包含引出线(44a和44b)的前端部分(46a和46b)、及与引出线(44a和44b)的前端部分(46a和46b)接合的金属部件(72a和72b)，金属部件(72a和72b)在主体部(10)的下表面(22)与引出线(44a和44b)的前端部分(46a和46b)接合，且在与主体部(10)的下表面(22)交叉的方向上与引出线(44a和44b)的前端部分(46a和46b)重叠的位置具有开口(74和76)。
主体部引出线线圈部件下表面电子设备金属部件接合磁性材料导线卷绕端子部开口

[发明专利]半导体装置的制造方法以及玻璃覆盖膜形成装置-CN201480075169.1有效
发明人：长濑真一;小笠原淳;伊东浩二 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括：玻璃覆盖膜形成工序，在第一电极板14和第二电极板16之间设置具有直径比半导体晶片W的直径小的开口的换装电极板18，同时，在环状电极板18和第二电极板16之间配置半导体晶片W，在向环状电极板18外加低于第二电极板16的电位的状态下，在玻璃覆盖膜形成预定面形成玻璃覆盖膜。根据本发明的半导体装置的制造方法，作为半导体晶片，即使使用在玻璃覆盖膜形成预定面已形成底层绝缘膜的半导体晶片来进行玻璃覆盖膜形成工序，也可以抑制在半导体晶片外周部的玻璃微粒的覆盖效率的低下，因此，能够以高的生产效率制造可靠性高的半导体装置。
半导体装置制造方法以及玻璃覆盖形成

[发明专利]树脂封装型半导体装置以及树脂封装型半导体装置的制造方法-CN201280050751.3有效
发明人： 小笠原淳;伊东浩二;伊藤一彦;六鎗広野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明中的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模而形成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。
树脂封装半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201280002226.4有效
发明人：伊东浩二;小笠原淳;伊藤一彦;六鎗広野 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：至少含有SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、CaO、MgO及BaO中至少二种碱土类金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根据本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往以使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样的高耐压的半导体装置。另外，由于实质上不含有Zn，因而可以制造耐药品性（特别是耐氟酸性）较高、具有较高的可靠性的半导体装置。另外，在蚀刻除去硅氧化膜的工程等工程中，无需通过光致抗蚀剂保护玻璃层，因而还可以获得将工程简化的效果。
半导体接合保护玻璃复合物装置制造方法

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