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[发明专利]焊接构造体-CN201880054150.7有效
发明人：大川铁平;岛田祐介;小田直树 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： B63B73/43 文献下载
摘要：焊接构造体(10)具有在接合构件(11)的端面(11c)抵接于被接合构件(12)的被接合面(12a)的状态下将接合构件(11)两侧部分熔透焊接于被接合构件(12)而成的T形接头部，接合构件(11)具有第1表面(11a)和第2表面(11b)，接合构件(11)的板厚t(mm)满足[t≥50.0]，通过使用从接合构件的第1表面(11a)和第2表面(11b)的1mm深度位置分别提取的类型P3试验片而进行的NRL落锤试验所得出的无延展性转变温度为－60℃以下，并且无延展性转变温度同第1焊接部(13a)的第1热影响部(15a)的最顶点与第1表面(11a)之间的距离h1(mm)和第2焊接部(13b)的第2热影响部(15b)的最顶点与第2表面(11b)之间的距离h2(mm)的关系满足[NDTT1≤－30.5×ln(h1)－14.0]和[NDTT2≤－30.5×ln(h2)－14.0]。
焊接构造

[发明专利]焊接构造体-CN201880054149.4有效
发明人：大川铁平;岛田祐介;小田直树 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B23K9/02 文献下载
摘要：焊接构造体(10)具有在接合构件(11)的端面(11c)抵接于被接合构件(12)的被接合面(12a)的状态下将接合构件(11)两侧部分熔透焊接于被接合构件(12)而成的T形接头部，在将接合构件(11)的与端面(11c)垂直的方向上的长度设为H(mm)、将预先设定的接合构件(11)的容许应力设为σ(N/mm2)的情况下，通过使用从被接合构件(12)的被接合面(12a)的1mm深度位置提取的类型P3试验片而进行的NRL落锤试验所得出的无延展性转变温度NDTT(℃)满足[NDTT≤360.4－46.8×ln{σ(πH)0.5}]。
焊接构造

[发明专利]船体用厚钢板及其制造方法-CN201080039247.4有效
发明人：中岛清孝;星野学;小田直树;益田晋宇 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2010-10-01 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C22C38/60 文献下载
摘要：本发明的船体用厚钢板具有如下化学成分：以质量％计，含有C：超过0.03且为0.10％以下、P：≤0.05％、S：≤0.05％、Al：0.002～0.1％，剩余部分包含铁以及不可避免的杂质，且具有如下显微组织：包含铁素体，且包含珠光体、贝氏体中的1种以上，所述显微组织中的未加工的铁素体的面积率为85％以上，所述未加工的铁素体的平均结晶粒径为5～40μm，所述铁素体的晶粒内的渗碳体粒子以个数密度计为50000个/mm2以下，屈服强度为235MPa以上，抗拉强度为460MPa以下，均匀伸长率为15％以上，0℃下的夏比平均吸收能量为100J以上。
船体钢板及其制造方法

[发明专利]利用线状加热的弯曲加工性优异的厚钢板及其制造方法-CN200880001776.8有效
发明人：中岛清孝;皆川昌纪;小田直树;益田晋宇 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明为了提高通过线状加热进行的弯曲加工作业的效率，提供在提高加热速度、缩短加热时间的条件下弯曲变形量大的厚钢板及其制造方法。本发明所涉及的厚钢板是化学成分以质量％计，含有C：0.01～0.08％、P：≤0.05％、S：≤0.05％、Al：0.002～0.1％、N：0.001～0.008％，其余部分由铁以及不可避免的杂质构成的钢板，显微组织中，无加工的铁素体相的面积率为90％以上，该铁素体相的平均结晶粒径为15～45μm，并且在铁素体晶粒内存在个数密度为100000个/mm²以上的圆相当径为0.5μm以下的渗碳体粒子，而且，在室温下的屈服强度为235MPa以上，在400℃下的屈服强度为180MPa以下，在0℃下的夏比平均吸收能为100J以上。
利用线状加热弯曲加工优异钢板及其制造方法

[发明专利]集成电路器件-CN200810189692.3有效
发明人：大洼宏明;菊田邦子;中柴康隆;川原尚由;村濑宽;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-01-17 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置，于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
集成电路器件

[发明专利]集成电路器件-CN200510055997.1有效
发明人：大窪宏明;中柴康隆;川原尚由;村濑宽;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：在半导体集成电路器件中，提供了由氧化钒制成的片状温度监控器元件，其一端与一个通路相连，而另一端与另一个通路相连。由铝制成的片状导热层位于温度监控器元件之下。在平面图中，等于或大于整个温度监控器元件的一半的区域覆盖了导热层。
集成电路器件

[发明专利]集成电路器件及其制造方法以及形成钒氧化物膜的方法-CN200510062519.3有效
发明人：川原尚由;村濑宽;大漥宏明;中柴康隆;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在中间层绝缘层上形成钒氧化物膜，并且在钒氧化物膜上依次形成硅氧化物膜和硅氮化物膜。使用抗蚀剂图形作为掩模，对硅氮化物膜进行构图。然后，通过使用剥离溶液或氧等离子体灰化来去除抗蚀剂图形。接下来，使用构图的硅氮化膜作为掩模，对硅氧化物膜和钒氧化物膜进行蚀刻，以形成钒氧化物的电阻膜。
集成电路器件及其制造方法以及形成氧化物

[发明专利]集成电路器件-CN200510062739.6无效
发明人：大洼宏明;中柴康隆;川原尚由;村濑宽;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。
集成电路器件

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN200510007923.0无效
发明人：川原尚由;村濑宽;大窪宏明;菊田邦子;中柴康隆;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]集成电路器件-CN200510004377.5有效
发明人：大洼宏明;菊田邦子;中柴康隆;川原尚由;村濑宽;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-01-17 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
集成电路器件

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