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[发明专利]半导体装置以及半导体装置的控制方法-CN200480044853.X有效
发明人： 小森秀树;河村洋一;田屋正则 -专利权人：斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司
申请日： 2004-11-30 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包含：写入电压供给电路，是供给写入电压至存储单元的漏极；检测电路，是利用写入电压供给电路的输出电压来检测写入电压供给电路所供给的写入电压；频率转换电路，是当写入电压供给电路所供给的写入电压低于预定电压时，将预定的振荡电路所输出的时钟信号转换为低频率的时钟信号；以及电压产生电路，是使用频率转换电路将频率转换后的时钟信号，产生供给至存储单元的栅极的电压。藉此，能够正确地控制栅极电压以使不超过编程电压产生电路的电流供给能力，而能够同时写入多个位。因此，能够最大限度地利用编程电压产生电路的能力来进行写入。
半导体装置以及控制方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN03820714.1有效
发明人： 小森秀树;岛田久幸;孙禹;木下博幸 -专利权人：富士通株式会社;斯潘生公司;先进微装置公司
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明的漏极(7)包括：与控制栅极(5)相匹配而形成的、低浓度的浅的低浓度杂质区域(7a)；与侧壁膜(8)相匹配而形成且比低浓度杂质区域(7a)高浓度的深的高浓度杂质区域(7b)，由此，利用低浓度杂质区域(7a)来改善短沟道效果并提高编程效率，并且，在高浓度杂质区域(7b)中设置漏极接触孔形成部位(70)，以降低漏极(7)中的接触电阻。
半导体存储器件及其制造方法