专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]稀溶液制造装置-CN202080060382.0在审
  • 小川祐一 - 栗田工业株式会社
  • 2020-09-15 - 2022-04-12 - B01F23/40
  • 本发明提供一种稀溶液制造装置,向超纯水等第一液体中微量添加含导电性赋予物质或氧化还原电位调整物质的第二液体,能够稳定制造规定浓度的稀溶液。稀溶液制造装置通过向第一液体添加含导电性赋予物质和氧化还原电位调整物质中的至少一方的第二液体来制造该第二液体的稀溶液,其中,具备:第一配管(1),流过所述第一液体;泵(6),经由第二配管(5)向所述第一配管(1)内添加所述第二液体;脱气配管(8),从该泵(6)脱气;水质传感器(11),由导电率计、电阻率计或氧化还原电位计构成;以及控制装置(12),在该水质传感器(11)的水质检测值变动规定值以上时打开脱气阀(9)。
  • 溶液制造装置
  • [发明专利]稀药液制造装置-CN202080020215.3在审
  • 杉田航;小川祐一 - 栗田工业株式会社
  • 2020-02-18 - 2021-10-26 - B01F1/00
  • 稀药液制造装置(1)具有从药液储槽供给药液(S)的柱塞泵以及药液供给管(3)。药液供给管(3)的末端为药液(S)的注入点(11)。该药液供给管(3)经由穿孔接头(13)插入到作为第一配管的超纯水流路(12)的径向的大致中央。而且,在比作为注入点(11)的穿孔接头(13)更靠下游侧设有作为电导率测量机构的电导率计(14),其与前述控制机构(图中未示出)连接,根据电导率计(14)的测定值,能够控制柱塞泵(4)。只要是这种稀药液制造装置,能够以简单的结构稳定地制造极低酸、碱等浓度的稀药液。
  • 药液制造装置
  • [发明专利]过硫酸溶液制造供给装置及方法-CN201780010114.6有效
  • 小川祐一 - 栗田工业株式会社
  • 2017-03-07 - 2020-08-14 - C25B15/08
  • 本发明提供一种过硫酸溶液制造供给装置及方法,其能缩短半导体晶片清洗装置中的过硫酸溶液的更换时间。在通过第1电解系统(20)向清洗槽(11)循环供给过硫酸溶液的期间,水和硫酸导入第2电解系统的贮存槽(41),并且通过泵(44)、配管(45)、电解单元(50)、气液分离器(52)、配管(53)而循环,由此生成过硫酸。在进行化学变化时,在从第1电解系统(20)排液之后,将贮存槽(41)内的过硫酸溶液移送至贮存槽(22)。
  • 硫酸溶液制造供给装置方法
  • [发明专利]半导体基板清洗系统及半导体基板的清洗方法-CN201480011208.1有效
  • 小川祐一 - 栗田工业株式会社
  • 2014-02-28 - 2017-04-12 - H01L21/304
  • 一种从具有以Si为构成成分的层的半导体基板上除去铂和/或铂合金的半导体基板的清洗方法,该方法能够不损伤Al或硅化物膜、Si系绝缘膜、Si系基板等而进行有效的清洗。该方法是从具有以Si为构成成分的层的半导体基板上除去铂和/或铂合金的半导体基板的清洗方法,包括使含有以硝酸和/或过氧化氢为主要溶质的第1溶液与所述半导体基板接触而进行清洗的第1清洗工序,和使含有包含氧化剂的硫酸溶液和卤化物、且温度为25~100℃的第2溶液与经过第1清洗工序的所述半导体基板接触而进行清洗的第2清洗工序。
  • 半导体清洗系统方法
  • [发明专利]半导体基板的清洗方法以及清洗系统-CN201380043869.8有效
  • 小川祐一;山川晴义 - 栗田工业株式会社
  • 2013-08-19 - 2016-10-12 - H01L21/304
  • 实现对于至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板(100)进行有效的清洗,而不会损伤TiN或硅化层。对于至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板进行清洗时,具有以下工序:过硫酸生成工序,该过硫酸生成工序将清洗用硫酸溶液流通至电解部(2),并使之循环,通过在所述电解部(2)发生的电解反应,生成规定浓度的过硫酸;溶液混合工序,该溶液混合工序将过硫酸生成工序中获得的含有过硫酸的硫酸溶液和含有一种以上的卤化物离子的卤化物溶液在不流通至电解部(2)的状态下进行混合,混合后生成含有过硫酸的氧化剂浓度为0.001~2mol/L的混合溶液;加热工序,该加热工序对混合溶液进行加热;以及清洗工序,该清洗工序运送加热后的混合溶液,使之接触半导体基板(100)并进行清洗。
  • 半导体清洗方法以及系统
  • [发明专利]头戴-耳戴组件及其组装方法-CN201080027968.3有效
  • 格伦·D·奥希玛;小川祐一;岛谷浩 - 3M创新有限公司
  • 2010-04-01 - 2012-05-16 - A61F11/12
  • 本发明公开了一种头戴-耳戴组件(100)及其组装方法。所述头戴-耳戴组件可包括适于联接到一起的耳戴件(104)和头戴件(102)。所述耳戴件可包括具有一定长度的诸如绳索的细长构件(106)和联接到所述细长构件的耳戴零件(108)。所述头戴件可包括主表面(112)和被取向为基本沿着所述头戴件的主表面的凹槽(120)。所述凹槽可被构造为可拆卸地容纳所述细长构件的至少一部分长度。所述方法可包括将所述细长构件的至少一部分布置在所述凹槽中,使得所述细长构件的至少一部分被可拆卸地容纳在所述凹槽中。
  • 组件及其组装方法

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