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[发明专利]成膜装置-CN202010429448.0在审
发明人：今北健一;小岛康彦;五味淳;横原宏行;曾根浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置。该成膜装置包括处理容器、在处理容器内保持基片的基片保持部和配置于基片保持部的上方的靶单元。靶单元包括：靶，其具有主体部和其周围的呈环状的凸缘部，能够释放溅射颗粒；具有靶电极且保持靶的靶保持部；将靶的凸缘部夹持在靶保持部的靶夹具；以及防附着遮挡件，其在靶的主体部的周围以覆盖凸缘部、靶夹具和靶保持部的方式设置，以其内侧前端进入靶的主体部与靶夹具之间的凹部的方式配置而形成迷宫结构。本发明能够在同一处理容器内进行金属膜的沉积和沉积的金属氧化膜的氧化处理时，抑制金属靶的氧化。
装置

[发明专利]橡胶组合物和橡胶成型体-CN201080067307.3有效
发明人：佐佐木克明;深间翔平;金池尊史;小岛康彦 -专利权人： NTN株式会社;中西金属工业株式会社
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C08L21/00 文献下载
摘要：提供一种橡胶组合物，其可使密封唇在旋转初期的滑动时充分地磨损，可以充分地实现转矩的降低，同时还可确保充分的密封性。其构成为包括其中相对于橡胶成分100质量份，含有50～200质量份的选自碳酸钙、氧化镁、氧化铝和硫酸钡中的1种或2种以上的第1配合成分，大于0质量份、50质量份以下的选自炭黑和二氧化硅中的1种或2种的第2配合成分的组合物。
橡胶组合成型

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置以及计算机程序-CN200780027502.1有效
发明人： 小岛康彦;池田太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置和计算机程序。制造铜膜与其基底膜的密合性良好而且配线间的电阻小的半导体装置。将包括吸收有大气中的水分的多孔质绝缘膜(SiOC膜11)，在该绝缘膜上形成有槽(100)的基板(晶片W)载置在处理容器内。在基板上被覆由阀金属构成的第一基底膜(Ti膜13)。由从绝缘层释放出的水分，氧化与绝缘膜接触的第一膜的表面形成钝化膜(13a)。在第一基底膜的表面被覆由阀金属的氮化物或者碳化物构成的第二基底膜，利用以铜的有机化合物为原料的CVD法在第二基底膜的表面形成铜膜(15)。
半导体装置制造方法以及计算机程序

[发明专利]Cu膜的成膜方法和存储介质-CN201080011240.1无效
发明人：桧皮贤治;小岛康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：对保持于相对高的第1温度且具有作为成膜基底膜的Ru膜的晶片供给含有Cu配位化合物的成膜原料，在晶片上生成Cu的初期核，之后，对保持于相对低的第2温度的晶片供给含有Cu配位化合物的成膜原料，在生成有Cu的初期核的晶片上沉积Cu。
cu 方法存储介质

[发明专利]Cu膜的成膜方法及存储介质-CN201080011548.6无效
发明人： 小岛康彦;桧皮贤治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：在处理容器内收纳基板，以气相状态将含1价脒基铜的成膜原料和含羧酸的还原剂导入至处理容器内，使它们在基板上反应，使Cu膜沉积在基板上。
cu 方法存储介质

[发明专利]Cu膜的成膜方法和存储介质-CN201080008289.1无效
发明人： 小岛康彦;桧皮贤治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：在腔室(1)内收纳晶片W，在腔室1内以气相状态导入作为1价Cuβ二酮配位化合物的Cu(hfac)TMVS和还原该配位化合物的还原剂，通过CVD法在晶片W上形成Cu膜。
cu 方法存储介质

[发明专利]Cu膜的成膜方法和存储介质-CN201080008213.9无效
发明人： 小岛康彦;桧皮贤治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：在腔室(1)内收纳具有CVD-Ru膜的晶片W，在腔室(1)内以气相状态导入含有作为Cu配位化合物的Cu(hfac)TMVS的成膜原料，其中，作为成膜中产生的副产物Cu(hfac)2的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压，在形成于晶片W的CVD-Ru膜上形成CVD-Cu膜时，将腔室1内压力控制为吸附于CVD-Ru膜表面的Cu(hfac)2的进行脱离和扩散的压力。
cu 方法存储介质

[发明专利]铜膜的成膜方法-CN200910205875.4无效
发明人： 小岛康彦;吉井直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ALD(AtomicLayer Deposition)法，在基板上形成Cu膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用H₂作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜质的Cu薄膜。
方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机程序以及存储介质-CN200780027573.1无效
发明人： 小岛康彦;池田太郎;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机程序以及存储介质，可以制造出能够抑制有机杂质层的形成并且铜膜与成为衬底的金属之间的密接性良好的半导体装置。将表面被由钛等氧化倾向高的金属构成的隔离金属层(衬底膜)(13)所覆盖的基板(晶片W)载置在处理容器内。在开始供给水蒸气的同时或者之后，供给由铜的有机化合物(例如Cu(hfac)TMVS)构成的原料气体，在通过水蒸气而形成有氧化物层(13a)的隔离金属层(13)的表面形成铜膜。接着，对该晶片(W)实施热处理，使氧化物层(13a)转化成构成隔离金属层(13)的金属和铜的合金层(13b)。
半导体装置制造方法计算机程序以及存储介质

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200780025177.5无效
发明人： 小岛康彦;池田太郎;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：将基板载置在密封状态的处理容器内的基板载置工序；向上述处理容器内供给水蒸气，并向上述处理容器内供给由铜的有机化合物组成的原料气体，在上述基板上形成铜的紧贴层的第一成膜工序；将上述处理容器内的水蒸气和原料气体排出的排出工序；以及向上述处理容器内仅再次供给上述原料气体，在上述紧贴层之上进一步形成铜膜的第二成膜工序。
方法装置

[发明专利]半导体制造装置、半导体装置的制造方法、存储介质和计算机程序-CN200780013607.1无效
发明人：成岛正树;小岛康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-10-01 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制造装置、半导体装置的制造方法、存储介质和计算机程序，其利用沿绝缘膜的凹部成膜的铜和添加金属例如Mn的合金层形成阻挡膜和铜膜，之后在埋入铜配线时，能够降低铜膜中的Mn的量，抑制配线电阻的上升。在对晶片载体进行晶片的交接的装载机模块中，通过负载锁定室连接真空搬送模块，在该真空搬送模块中连接向晶片供给作为有机酸的蚁酸的蒸汽的蚁酸处理模块、和用例如CVD使Cu成膜的模块，构成半导体制造装置，将形成上述合金层且例如接着进行过退火处理的晶片W搬入该装置内，进行蚁酸处理之后，进行Cu的成膜。
半导体制造装置方法存储介质计算机程序

[发明专利]薄膜的叠层结构、其形成方法、成膜装置和存储介质-CN200680004339.2无效
发明人：吉井直树;小岛康彦;佐藤浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-01-30 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种与基底的密着性高、能够抑制膜剥离的发生、而且即使微细化进一步发展也能够充分地提高阶梯覆盖、而且能够使合金种的元素充分地扩散的薄膜的叠层结构的形成方法。在该方法中，在能够抽真空的处理容器(4)内在被处理体的表面上堆积多层薄膜而形成薄膜的叠层结构，将以下工序分别交替进行1次以上：使用含有作为合金种的第一金属的原料气体和还原气体，形成由第一金属构成的合金种膜(104)的合金种膜形成工序；和使用含有与上述第一金属不同的作为母材的第二金属的原料气体和还原气体，形成比上述合金种膜厚的由第二金属构成的母材膜(106)的母材膜形成工序。
薄膜结构形成方法装置存储介质

[发明专利]成膜方法、半导体装置的制造方法、半导体装置、程序和存储介质-CN200580037146.2无效
发明人： 小岛康彦;吉井直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-10-03 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明的目的是使半导体装置的Cu扩散防止膜与Cu配线之间的密接性良好，并提高半导体装置的可靠性。为此，在本发明中的成膜方法是在被处理基板上形成Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：在形成于被处理基板上的Cu扩散防止膜上形成密接膜的第一工序；和在所述密接膜上形成Cu膜的第二工序，并且所述密接膜含有Pd。
方法半导体装置制造程序存储介质

[发明专利]基板处理方法、成膜方法、成膜装置和计算机程序-CN200680001098.6无效
发明人：吉井直树;松泽兴明;小岛康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理方法，是在基板的基底材料的表面上形成Cu膜前对该基板实施的基板处理方法，其特征在于，包括：准备形成有Cu膜的基板的准备工序；对该基板进行规定的处理，使所述基板的基底材料表面的结晶性显示出与该Cu膜的晶格不匹配小的取向性的处理工序。
处理方法装置计算机程序

[发明专利]气化装置以及处理装置-CN200680000634.0无效
发明人： 小岛康彦;星野智久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-01-13 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供一种气化装置(6)，将被压送来的液体原料在减压气氛中使之气化而产生原料气体，将该原料气体与载气一起送出，包括暂时储存压送来的液体原料的贮液室(70)、经由阀口(66)与贮液室连通的气化室(62)、从贮液室的侧就位在分隔阀口的阀座上的阀芯(72)、驱动阀芯的驱动器(81)、设置在朝向阀芯的阀口的位置上的载气喷射口(92)、以及将气化室内的原料气体排出的排出口(28)。根据载气喷射口的特定的配置，防止未经气化的液体原料残留在气化装置的阀口的下游侧。
气化装置以及处理

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