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- [发明专利]饮料供给装置-CN202110136873.5有效
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加治木孝介
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富士电机株式会社
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2021-02-01
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2023-05-16
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A47J31/00
- 本发明提供饮料供给装置。确保电气部件的排热且防止产生因水滴到电气部件导致的故障。包括：装置主体，其具有前表面开口；和前表面门，其以开闭前表面开口的形态设于装置主体，在前表面设有能够触摸操作的显示部，包括：排热路径，其将由进行显示部的显示控制的电气部件产生的热向排热口引导；第1排水路径，其一边限制自排热口进入的水向排热路径进入一边使其向左右中的至少一方流通；第2排水路径，其使通过了第1排水路径的水朝向下方流通；和第3排水路径，其在装置主体中的供给台的左右两侧部以在前表面门关闭前表面开口的情况下与第2排水路径连通的形态设置，使通过了第2排水路径的水自形成于该第3排水路径自身的排水口向外部排出。
- 饮料供给装置
- [发明专利]半导体装置-CN201710058325.9有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2017-01-23
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2023-05-16
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H01L27/02
- 本发明提供具有RC‑IGBT结构且具备FWD(Free Wheel Diode：续流二极管)区域和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)区域的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板；晶体管部，其形成于半导体基板；二极管部，其形成于半导体基板，且在半导体基板的正面侧具有寿命控制体；以及栅极流道，其设置在晶体管部与二极管部之间，且与晶体管部的栅极电连接。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202211188601.0在审
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西村武义
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富士电机株式会社
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2022-09-28
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2023-05-12
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H01L27/07
- 一种半导体装置和半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备设置于半导体基板的正面的上方的温度感测部，该温度感测部具有温度感测二极管部和与温度感测二极管部电连接的N型的电阻部，所述温度感测二极管部具有阳极部和与所述阳极部连结的阴极部，多个所述温度感测二极管部串联连接，阴极部与电阻部的电阻值之和大于阳极部的电阻值。半导体装置的制造方法包括在半导体基板的正面的上方形成温度感测部的阶段，该温度感测部串联连接的多个温度感测二极管部、以及与温度感测二极管部电连接的N型的电阻部，温度感测二极管部具有阳极部和与阳极部连结的阴极部，阴极部与电阻部的电阻值之和大于阳极部的电阻值。
- 半导体装置制造方法
- [发明专利]集成电路和电源电路-CN202211158830.8在审
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远藤勇太;薮崎纯
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富士电机株式会社
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2022-09-22
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2023-05-12
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H02M3/335
- 本发明提供抑制电源电压的降低的集成电路。集成电路包括：变压器，其包含初级线圈、次级线圈和辅助线圈；晶体管，其控制流过初级线圈的电感电流；第1电容器；及第1二极管，其在晶体管截止时基于辅助线圈的电压对第1电容器充电，该集成电路对根据输入电压生成输出电压并施加到负载的电源电路的晶体管的开关进行控制，其包括：第1端子，其施加有第1电容器的电压以作为电源电压；第2端子，其施加有与输出电压相对应的反馈电压；驱动信号输出电路，其在流过负载的负载电流变小时，基于反馈电压输出晶体管的开关周期变长的驱动信号；驱动电路，其基于驱动信号来驱动晶体管；及判定电路，其判定电源电压是否比第1电压要低，电源电路包含：升压电路，其基于辅助线圈的电压来生成升压电压；及第1充电电路，其在电源电压比第1电压要低的情况下，基于升压电压对第1电容器充电。
- 集成电路电源电路
- [发明专利]杯式自动售货机-CN202110457726.8有效
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西川洋平
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富士电机株式会社
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2021-04-27
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2023-05-12
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G07F13/06
- 提供一种杯式自动售货机，用于生成优质的加搅打奶油饮料。杯式自动售货机具备搅拌机构，该搅拌机构具有被设置成能够以相对于杯进退移动的方式进行升降的搅拌构件，所述搅拌机构通过使进入移动至杯的内部的搅拌构件绕其中心轴旋转来搅拌杯的内容物，杯式自动售货机在杯的内部生成饮料并提供该饮料，杯式自动售货机还具备：搅拌碗，其专用于将投入的搅打奶油用原料与热水进行搅拌来制造搅打奶油；以及控制部，其在被提供了加搅打奶油饮料的生成指令的情况下，向杯投入粉末状的砂糖后将通过搅拌碗制造出的搅打奶油投入到杯，之后，向杯投入咖啡饮料后通过搅拌机构将砂糖与咖啡饮料进行搅拌，来生成加搅打奶油饮料。
- 自动售货
- [发明专利]半导体装置、启动电路以及开关电源电路-CN201810863013.X有效
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狩野太一
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富士电机株式会社
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2018-08-01
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2023-05-12
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H01L29/808
- 提供一种抑制器件尺寸并强化ESD浪涌耐受量的半导体装置、启动电路以及开关电源电路。半导体装置具备：p型的半导体衬底；n型的漏极区，其设置于半导体衬底的上部；n型的漂移层，其以与漏极区相接且在横向上包围漏极区的方式设置在半导体衬底的上部；栅极区，其设置在半导体衬底的上部且漂移层的成为与漏极区相反的一侧的外侧，具有第一槽和第二槽，该第一槽和第二槽各自的开口部位于与漏极区相隔等距离的位置，该第一槽和第二槽向外侧凹陷，且沿着厚度方向延伸；n型的源极区，其以与漂移层及栅极区相接的方式设置于第一槽的内侧；以及n型的浪涌电流引导区，其以与漂移层及栅极区相接的方式设置于第二槽的内侧。
- 半导体装置启动电路以及开关电源
- [发明专利]商品交出装置-CN202111031860.8有效
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岩子努
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富士电机株式会社
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2021-09-03
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2023-05-12
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G07F11/08
- 本发明提供相对于商品输出装置的数量使驱动源的数量减少而谋求制造成本的降低的商品交出装置。该商品交出装置能将第1商品输出装置和第2商品输出装置相互背靠背组合起来，该第1商品输出装置具备相对于第1商品收纳通路进退移动而保持或输出商品的两组踏板单元，该第2商品输出装置具备相对于在前后方向上与第1商品收纳通路相邻的第2商品收纳通路进退移动而保持或输出商品的两组踏板单元，该商品交出装置具备：第1商品输出装置和第2商品输出装置共同的马达；以及驱动力赋予部件，其在收到交出指令的情况下根据该交出指令择一选择第1商品输出装置或第2商品输出装置并对其赋予来自马达的驱动力，使两组踏板单元同步驱动或单独驱动。
- 商品交出装置
- [发明专利]负载驱动电路-CN201710936545.7有效
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中川翔
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富士电机株式会社
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2017-10-10
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2023-05-12
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H03K17/14
- 提供一种即使电源的电压大幅变动、也不会在电荷泵电路的电容器的两端施加异常高的电压的负载驱动电路。电荷泵电路(16)在振荡部(61a)与充电部(61c)之间具备开关部(61b)，在作为负载驱动电路的高侧IPS处于静止状态时，MOSFET(71)导通，并且，开关部(61b)切断从振荡部(61a)向充电部(61c)的信号的传递。开关部(61b)被配置成切断与充电部(61c)的电容器(72、73、74)连接的振荡部(61a)的反相器电路(63、65)的输出。由此，防止在高侧IPS静止时经由构成反相器电路(63、65)的体二极管来向电容器(72、73、74)施加电源的电压VCC。
- 负载驱动电路
- [发明专利]半导体模块及其故障元件判定方法-CN202211210469.9在审
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矶野友宽
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富士电机株式会社
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2022-09-30
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2023-05-09
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H01L23/538
- 提供一种半导体模块及其故障元件判定方法，该半导体模块无需被拆解就能够判别发生了短路不良的半导体芯片。半导体模块(1)具备：并联连接的分别设置于半导体芯片(21cu、21du)的IGBT(21Q)，根据基于栅极信号的栅极电压来控制所述IGBT的开关动作；被输入栅极信号的外部端子(Galou)和外部端子(Gblou)；第一连接路径组(RTG1)，其具有将外部端子与半导体芯片中分别设置的IGBT连接的第一连接路径(RT1)及第三连接路径(RT3)；以及第二连接路径组(RTG2)，其具有将外部端子与半导体芯片中分别设置的IGBT连接的第二连接路径(RT2)及第四连接路径(RT4)。
- 半导体模块及其故障元件判定方法
- [发明专利]驱动装置、驱动方法以及电力转换装置-CN202211175720.2在审
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佐贺翔直
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富士电机株式会社
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2022-09-26
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2023-05-05
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H02M1/08
- 一种能够抑制短路电流的驱动装置,其用于驱动具有第一主电极、第二主电极以及栅极电极的开关元件,该驱动装置包括:第一电源；第二电源,其电位比第一电源低；以及驱动电路,其在上述开关元件的指令信号为接通指令时,将上述栅极电极上拉至上述第一电源,并且在上述开关元件的指令信号为断开指令时,将上述栅极电极下拉至上述第二电源,如果将上述开关元件的指令信号即将在接通指令与断开指令之间切换之前或刚切换之后的期间、或者即将切换之前和刚切换之后合并的期间称为过渡期间,则上述驱动电路在上述过渡期间内,通过比紧接在上述过渡期间之前和之后的期间高的电阻值,将上述栅极电极上拉至上述第一电源或下拉至上述第二电源。
- 驱动装置方法以及电力转换
- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201880003267.2有效
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泷下博;吉村尚
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富士电机株式会社
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2018-01-30
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2023-05-05
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H01L21/265
- 从n‑型半导体基板(10)的背面照射短波长激光器的激光(31)，使p+型集电区(12)和n+型阴极区(13)活化。此时，n‑型半导体基板(10)的背面的表面层熔融而再结晶化，几乎不存在无定形化了的部分。其后，从n‑型半导体基板(10)的背面照射长波长激光器的激光(32)，使n型FS区域(11)活化。由于在n‑型半导体基板(10)的背面的表面层几乎不存在无定形化了的部分，所以能够抑制长波长激光器的激光(32)的吸收率降低和/或高反射率化，由长波长激光器的激光(32)产生的热传递到n型FS区域(11)，能够使n型FS区域(11)可靠地活化。由此，能够通过更低能量下的激光退火使预定区域活化。
- 半导体装置制造方法
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