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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁阻存储器件-CN201480074654.7有效
发明人：中冢圭祐;宫川正;穗谷克彦;浜本毅司;竹中博幸 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-10-02 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种磁阻存储器件包括：衬底，其具有包括第一方向的第一表面；以及存储元件，每个存储元件具有可切换电阻。第一列存储元件不同于相邻第二列存储元件，所述第一列存储元件沿着所述第一方向排成行，所述第二列存储元件沿着所述第一方向在所述第一方向上的存储元件位置处排成行。
磁阻存储器件

[发明专利]半导体存储装置-CN201910147702.5在审
发明人： 宫川正;穗谷克彦 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备：多个存储单元阵列，分别具有矩阵状配置的多个存储单元；多个字线，与多个存储单元阵列各自的多个行分别连接；多个位线，与多个存储单元阵列各自的多个列分别连接；多个行选择电路，与多个存储单元阵列分别对应地设置，且与多个字线连接；及多个列选择电路，与多个存储单元阵列分别对应地设置，且与多个位线连接。在接收到同一行地址的情形时，多个行选择电路以被选择的存储单元到行选择电路为止的字线长度不同的方式，进行字线的选择操作，在接收到同一列地址的情形时，多个列选择电路以被选择的存储单元到列选择电路为止的位线长度不同的方式，进行位线的选择操作。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201480047769.7有效
发明人： 宫川正;穗谷克彦;饭冢真理子;中泽崇;竹中博幸 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种半导体存储装置包括基元阵列(11)，其包括在以第一角度与第一方向相交的方向上延伸的多个第一工作区(11中的AA)；以及位线控制器(17B1)，其包括在以第二角度与第一方向相交的方向上延伸的多个第二工作区(17B1中的AA)。
半导体存储装置

[发明专利]对－二氯苯的制造方法-CN03820808.3有效
发明人：若杉隆志;野中次男;宫川正;英敬信;砂川和彦;水泽繁 -专利权人：吴羽化学工业株式会社
申请日： 2003-09-03 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C07C17/12 文献下载
摘要：在以苯和/或氯苯为原料，通过氯分子核氯化制造对－二氯苯时，通过相对于1摩尔上述原料，使用0.1～3毫摩尔氯化铝、和相对于1摩尔氯化铝，使用0.1～0.9摩尔10H－吩噻嗪－10－羧酸苯酯等吩噻嗪类，在氯化度1.2～2.5的范围进行氯化，可以以高对位选择性和短的反应时间制造对－二氯苯。
氯苯制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN94120460.X无效
发明人：中井弘人;宫川正;松田茂 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1994-12-28 - 公布日： 1999-11-10 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：闪烁型非易失性半导体存储器，可在用短时间作区组擦去功能校核的同时实施其它功能区组的校核。通过数字锁存电路７０、寻址电路７１和输出数据转换电路７２把区组译码器３的输出引出到进行单元阵列１数据输入输出的电路９，故不进行区组擦去工作就能检验其是否正常进行。源电压供给电路２以单元区组单位将擦去电压加到由多个单元阵列区组１—８构成的单元源极线上。电路２按区组地址Ａ＊Ｏ－Ａ＊ｎ选择单元源电压供给区组ＣＳＣ１－ＣＳＣ８。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]半导体存储电路-CN95103319.0无效
发明人：斉藤荣俊;宫川正 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1995-03-30 - 公布日： 1998-12-09 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：一种半导体存储电路，该电路中，比较器（３１－１—１３－Ｎ）将读出放大器（１２－１—１２－Ｎ）的读出数据与输入数据比较，确定此二数据是否一致；闩锁电路（２０－１—２０－Ｎ）在控制信号（ＣＴＬ３）所定期间比较器输出一次表示不一致的数据，则保持并输出该数据；比较器常输出表示一致的数据，才输出表示一致的数据；判定电路（１６）在控制信号（ＣＴＬ４）所定期间，根据闩锁电路输出数据判定写入是否结束，再写入信号生成电路（３０）在判定电路输出写入未结束信号时，发送再写入信号到写入电路（１７）。具有能充分进行数据写入或擦除的优点。
半导体存储电路

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