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[发明专利]陶瓷电路基板及其制造方法-CN201580039392.5有效
发明人：青野良太;汤浅晃正;宫川健志 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明的课题在于获得对超声波接合具有优异的耐裂纹性的陶瓷电路基板。本发明通过下述陶瓷电路基板解决上述课题，所述陶瓷电路基板的特征在于，在陶瓷基板的一面接合有金属电路板、在另一面接合有金属散热板，金属电路板的结晶粒径为20μm以上且70μm以下。该陶瓷电路基板可以如下制造：分别在陶瓷基板的一面配置金属电路板、在另一面配置金属散热板，以真空度为1×10‑3Pa以下、接合温度为780℃以上且850℃以下、保持时间为10分钟以上且60分钟以下进行接合，从而制造。
陶瓷路基及其制造方法

[发明专利]半导体封装体及其制造方法-CN201580027795.8有效
发明人： 宫川健志;纪元德;石原庸介 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提供低廉且散热性优异的半导体封装体。根据本发明，提供一种半导体封装体，其为依次层叠有散热构件、接合层、绝缘构件的半导体封装体，其特征为所述散热构件包括含有金刚石粒子与含铝金属的铝‑金刚石系复合体，将所述散热构件和所述绝缘构件接合的所述接合层使用包含平均粒径为1nm以上并且100μm以下的氧化银微粒或者有机覆膜银微粒的复合材料而形成。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]复合体及其制造方法-CN201580051561.7有效
发明人： 宫川健志;广津留秀树 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： B22D19/00 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制复合体中所含的多孔质无机结构体的破损、稳定地制造复合体的复合体的制造方法和采用该制造方法制造的复合体。本发明提供复合体的制造方法和采用该制造方法制造的复合体，该复合体的制造方法是一边将纤维状无机材料邻接配置于平板状的多孔质无机结构体一边浸渍金属的复合体的制造方法，其特征在于，所述复合体是通过使用由多孔质碳化硅陶瓷烧结体构成的多孔质无机结构体和纤维状无机材料，从而具有多孔质碳化硅陶瓷烧结体浸渍有金属的第1相和纤维状无机材料浸渍有金属的第2相相互邻接的结构的复合体，多孔质碳化硅陶瓷烧结体在第1相中所占的比例为50～80体积％，纤维状无机材料在第2相中所占的比例为3～20体积％。
复合体及其制造方法

[发明专利]散热部件及其制造方法-CN201580054388.6有效
发明人：后藤大助;宫川健志;石原庸介 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明提供将电路基板接合后的翘曲的回复小、散热性优异的散热部件的制造方法和采用该制造方法制造的散热部件。本发明提供散热部件的制造方法，其为包括包含碳化硅和铝合金的复合化部、具有翘曲的平板状的散热部件的制造方法，其特征在于，用具有450℃以上的表面温度、具有曲率半径7000mm～30000mm的1对相对的球面的凹凸模夹持散热部件，以该散热部件的温度成为450℃以上的温度的方式用10KPa以上的应力模压30秒以上。
散热部件及其制造方法

[发明专利]铝-碳化硅质复合体及其制造方法-CN201580053294.7有效
发明人： 宫川健志;纪元德;广津留秀树 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明提供与其他散热部件的密合性高的铝‑碳化硅质复合体及其制造方法。本发明提供铝‑碳化硅质复合体及其制造方法，该铝‑碳化硅质复合体具有包含碳化硅和铝合金的平板状的复合化部，和在复合化部的两板面设置的包含铝合金的铝层，在一个板面安装电路基板，另一板面用作散热面，其特征在于，散热面侧的复合化部的板面为凸型的翘曲的形状，散热面侧的铝层为凸型的翘曲的形状，相对的外周面的短边中央的厚度的平均(Ax)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ax/B)为0.91≤Ax/B≤1.00，相对的外周面的长边中央的厚度的平均(Ay)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ay/B)为0.94≤Ay/B≤1.00。
碳化硅复合体及其制造方法

[发明专利]陶瓷线路基板-CN201580009679.3有效
发明人：青野良太;和田光祐;筑地原雅夫;宫川健志 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2015-02-20 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明可得到具有高接合强度和优异的耐热循环性、在使作为电子机器的工作可靠性提高的同时放热性优异的陶瓷线路基板。本发明的陶瓷线路基板是介由银‑铜系焊料层对陶瓷基板的两个主表面和金属板进行接合而成的陶瓷线路基板，其特征在于，相对于75～98质量份的银粉末和2～25质量份的铜粉末的合计100质量份，银‑铜系焊料层由含有0.3～7.5质量份的碳纤维(carbon fiber)和1.0～9.0质量份的选自钛、锆、铪、铌、钽、钒和锡的至少一种活性金属的银‑铜系焊料构成，所述碳纤维的平均长度为15～400μm、平均直径为5～25μm、平均长径比为3～28。
陶瓷线路

[发明专利]铝-金刚石系复合体及使用其的散热部件-CN201580022037.7有效
发明人：石原庸介;宫川健志;塚本秀雄;成田真也 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C22C26/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种铝‑金刚石系复合体，该铝‑金刚石系复合体兼具高热传导率和与半导体元件接近的热膨胀率，即使在于高负荷下的实际使用中也能够抑制表面金属层部分的膨胀等的产生。本发明提供铝‑金刚石系复合体，其特征在于，粒径的体积分布的第一峰位于5～25μm，第二峰位于55～195μm，粒径为1～35μm的体积分布的面积与粒径为45～205μm的体积分布的面积的比率为1比9至4比6，该铝‑金刚石系复合体含有65体积％～80体积％的圆形度为0.94以上的金刚石粉末，剩余部分由含有铝的金属构成。
金刚石复合体使用散热部件

[发明专利]铝‑碳化硅质复合体及其制造方法-CN201580082081.7在审
发明人：汤浅晃正;宫川健志;后藤大助 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明提供高导热、低热膨胀以及低比重的铝‑碳化硅质复合体及其制造方法。本发明提供铝‑碳化硅质复合体，其特征在于所述铝‑碳化硅质复合体是将铝合金浸渍于多孔质碳化硅成型体而成的，该复合体中的碳化硅的比例为60体积％以上，含有60质量％以上且75质量％以下的粒径为80μm以上且800μm以下的碳化硅，含有20质量％以上且30质量％以下的粒径为8μm以上且小于80μm的碳化硅，含有5质量％以上且10质量％以下的粒径小于8μm的碳化硅。
碳化硅复合体及其制造方法

[发明专利]碳化硅质复合体及其制造方法以及使用该复合体的散热零件-CN201580007131.5在审
发明人：纪元德;广津留秀树;宫川健志 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：[课题]廉价地提供一种散热零件，其具有导热性，同时比重小，且热膨胀系数接近陶瓷基板，并且具有翘曲从而能够与散热零件等密合性良好地接合。[解决方法]一种碳化硅复合体以及使用该复合体而形成的散热零件，该碳化硅复合体是一种以铝为主要成分的金属含浸于多孔碳化硅成形体而形成的板状复合体，具有相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量为250μm以下的翘曲，使用了上述板状复合体的功率模块的翘曲量具有250μm以下的翘曲。
碳化硅复合体及其制造方法以及使用散热零件

[发明专利]金属基底基板的制造方法及电路基板的制造方法-CN201180023190.3有效
发明人：西太树;宫川健志;八岛克宪;大越健介;石仓秀则 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H05K3/44 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘粘合层中不残存空隙、高品质且高散热的发热电子部件安装用的金属基底基板的制造方法及电路基板的制造方法。包括如下工序：使分散相分散在含有湿润分散剂的绝缘粘合剂的分散介质中的分散工序（S1）；一边抽出辊状的导体箔（1），一边在导体箔（1）上层合绝缘粘合剂（2）的绝缘粘合剂层合工序（S2）；加热导体箔（1）上的绝缘粘合剂（2），形成导体箔（1）和B阶段状态的绝缘粘合层（2a）的复合体（5）的第一固化工序（S3）；在B阶段状态的绝缘粘合层（2a）上层合金属基材（6），以获得层合体（7）的金属基材层合工序（S5）；及在预定条件下将层合体（7）加热加压，使B阶段状态的绝缘粘合层（2a）成为C阶段状态的绝缘粘合层（2b）的第二固化工序（S6），由此成为金属基底基板（14）。另外，根据需要，还包括将复合体（5）或层合体（7）剪切成片状的片状剪裁工序（S4、S15）。
金属基底制造方法路基

[发明专利]金属基电路板-CN200980119717.5有效
发明人：西太树;宫川健志;山崎清一;齐木高志 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H05K1/05 文献下载
摘要：延长LED的寿命，改善形成印刷电路板时以及安装LED时的可操作性。金属基电路板，具有：绝缘层，线膨胀系数为60ppm/℃以上120ppm/℃以下；金属箔，设置于绝缘层的一个面上，由线膨胀系数为10ppm/℃以上35ppm/℃以下的金属材料构成；电路部分和非电路部分，形成于绝缘层的另一个面上，线膨胀系数为10ppm/℃以上35ppm/℃以下；以及白色膜，形成于绝缘层、电路部分和非电路部分之上，其中，绝缘层上的电路部分和非电路部分的面积的总和相对于金属箔面积为50％以上95％以下，并且，各种材料的线膨胀系数的关系为：绝缘层的线膨胀系数＞金属箔的线膨胀系数＞电路部分和非电路部分的线膨胀系数。
金属电路板

[发明专利]金属基底电路板-CN200880016231.4有效
发明人： 宫川健志;宫田建治;西太树;冈岛芳彦 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2008-05-14 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H05K1/05 文献下载
摘要：本发明提供一种金属基底电路板，该金属基底电路板除了现有的印刷电路板的安装电子元器件的功能以外还具有光反射功能这一新功能。本发明所提供的金属基底电路板是在金属板上隔着绝缘层设置有电路的金属基底电路板，该电路板的特征在于，至少在绝缘层上设置有白色膜。
金属基底电路板

[发明专利]LED光源单元-CN200780050564.4无效
发明人：八岛克宪;宫川健志;宫田建治;西太树;冈岛芳彦;冈田拓也;高野敬司;光永敏胜 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2007-07-20 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED光源单元，其散热性良好、可防止LED的损伤、明亮且长寿命。一种LED光源单元，其特征在于，具有：印刷基板；设置于前述印刷基板上的一个以上的发光二极管；以及用于将前述印刷基板固定于散热部件表面的粘合带，其中，前述粘合带的热传导率为1～4W/mK，背面导体电路与金属壳体之间的耐电压为1.0kV以上。
led 光源单元

[发明专利]导电性树脂组合物及使用该树脂组合物的导电性片材-CN200780030081.8有效
发明人：青木丰;宫川健志 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C08L69/00 文献下载
摘要：本发明提供不会因与电子器件的摩擦而使导电性片材出现磨损，因导电性片材磨损而引起的电子器件的污染小，且与覆盖带的密封性优异的导电性树脂组合物。本发明提供一种导电性树脂组合物和由导电性树脂组合物构成的导电性片材，该导电性树脂组合物中相对于热塑性树脂100质量份，含有5～50质量份的炭黑，上述热塑性树脂含有60～97质量％的聚碳酸酯树脂和3～40质量％的选自烯烃系共聚物及苯乙烯系共聚物的至少一种烃系共聚物。本发明还提供一种导电性片材，该导电性片材的基材层的一侧或两侧具有上述导电性树脂组合物的层，上述基材层含有选自丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)树脂、聚碳酸酯树脂及聚对苯二甲酸亚烷基酯树脂的一种以上的热塑性树脂。
导电性树脂组合使用

[发明专利]导电性片材-CN200780029414.5有效
发明人：青木丰;宫川健志 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2007-08-07 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： B32B27/36 文献下载
摘要：本发明提供一种片材，该片材具有对电子器件进行包装及高速安装所需的机械强度，能通过各种成形方法在各种低温条件下进行成形，可得到显著减少了冲裁及裁切加工时产生的毛刺和须状物等的成形品。本发明提供片材及使用该片材的载带，该片材具有基材层和表面层，冲裁毛刺发生率在4％以下；上述基材层含有21～87质量％的聚碳酸酯系树脂，7～68质量％的聚对苯二甲酸亚烷基酯系树脂，和3～30质量％的炭黑；上述表面层通过挤出、共挤出或挤出涂布层叠于上述基材层的一侧或两侧，含有19～86质量％的聚碳酸酯系树脂，6～67质量％的聚对苯二甲酸亚烷基酯系树脂，和5～35质量％的炭黑。
导电性

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