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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610070960.4有效
发明人：山崎舜平;宫入秀和;秋元健吾;白石康次郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法，其目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410308769.X有效
发明人： 宫入秀和;长多刚;秋元健吾;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着显示器件具有较高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数量都增加。当栅极线和信号线的数量增加时，存在难以通过结合等安装包括驱动栅极线和信号线的驱动电路的IC芯片，从而使制造成本增大的问题。将像素部分和驱动像素部分的驱动电路设置在相同衬底上，使驱动电路的至少一部分包括使用插在设置在氧化物半导体上方和下方的栅电极之间的氧化物半导体的薄膜晶体管。将像素部分和驱动电路设置在相同衬底上，从而可以降低制造成本。
驱动电路像素信号线栅极线氧化物半导体半导体器件制造成本衬底薄膜晶体管驱动显示器件增大的栅电极制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410105088.3有效
发明人：山崎舜平;宫入秀和;宫永昭治;秋元健吾;白石康次郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的课题在于提供包括电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及没有不均匀性地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于使用包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并包括在半导体层和源电极层及漏电极层之间设置有缓冲层的反交错型（底栅结构）的薄膜晶体管。通过在源电极层及漏电极层和半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的包含In、Ga及Zn的缓冲层，形成欧姆接触。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]EL显示装置的制造方法-CN201410220695.4有效
发明人： 宫入秀和;小森茂树;伊佐敏行;梅崎敦司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管，并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在其上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻形成薄膜叠层体；对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层；使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。
el 显示装置制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201410045877.2有效
发明人： 宫入秀和;渡部刚吉;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-02-15 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：基板上的栅电极；所述栅电极上的栅绝缘层；所述栅绝缘层上的半导体层；所述半导体层上的第一杂质半导体层和第二杂质半导体层；所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层上的绝缘层；所述绝缘层上的像素电极，该像素电极通过所述绝缘层的开口电连接至所述第一杂质半导体层；以及所述像素电极上的液晶元件，其中，所述半导体层中的氮浓度从所述栅绝缘层一侧向所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层增加以达到最大值，并随后减小。
半导体器件

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及显示装置的制造方法-CN201210403155.0有效
发明人： 宫入秀和;笹川慎也;石塚章广 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明揭示了薄膜晶体管和显示设备的制造方法，并且提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，通过利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜晶体管中形成背沟道部，通过去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背沟道部的一部分，去掉残存于背沟道部上的蚀刻残渣等，由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背沟道部时，可以以无偏向的干法蚀刻来进行。
薄膜晶体管制造方法显示装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201210283542.5有效
发明人：山崎舜平;宫入秀和;宫永昭治;秋元健吾;白石康次郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体装置，其中使用含有In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间包括设置有缓冲层的反交错型（底栅结构）的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的缓冲层，来形成欧姆接触。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210278085.0有效
发明人：山崎舜平;宫入秀和;秋元健吾;白石康次郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：在有源矩阵型显示装置中，构成电路的薄膜晶体管的电特性很重要，且该电特性影响到显示装置的性能。对反交错型薄膜晶体管使用包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜，以减少电特性的偏差。为了解决课题，不接触于大气地进行溅射法来连续地形成栅绝缘膜、氧化物半导体层、沟道保护膜的三层。另外，采用在氧化物半导体层中的重叠于沟道保护膜的区域的厚度比接触于导电膜的区域的厚度厚的结构。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及等离子体氧化处理方法-CN201210116863.6有效
发明人：安部宽太;宫入秀和;田中哲弘;家永隆史;山元良高 -专利权人：株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，通过对含氮的栅极绝缘膜进行等离子体氧化处理，可以抑制薄膜晶体管特性的降低。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，其为具备薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，该薄膜晶体管具有栅电极(103)、含氮的栅极绝缘膜(105)及由微晶半导体膜(107)、(109)形成的沟道区，其特征在于，进行使所述栅极绝缘膜暴露于具有含有氧原子的氧化气体和氢的氧化气体气氛的等离子体中的等离子体处理，在所述栅极绝缘膜上形成所述微晶半导体膜，使所述氧化气体气氛中的所述氢的量为a，使所述氧化气体的量为b时，满足下述式(1)、(2)。a/b≥2…(1)b＞0…(2)。
半导体装置制造方法等离子体氧化处理

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201210057692.4有效
发明人：下村明久;宫入秀和 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-06-10 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于抑制在制造SOI衬底时发生的金属污染的影响。对半导体衬底照射氢离子来形成损伤区域，然后接合基底衬底和半导体衬底。通过加热处理使半导体衬底劈开，以制造SOI衬底。即使在氢离子的照射工序中金属离子与氢离子一起注入到半导体衬底中，也可以通过吸杂处理抑制金属污染的影响。因此，可以肯定地使用离子掺杂法照射氢离子。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201210024529.8有效
发明人：山崎舜平;宫入秀和;秋元健吾;白石康次郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高的该半导体装置的制造方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201210027007.3有效
发明人：山崎舜平;宫入秀和;秋元健吾;白石康次郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高的该半导体装置的制造方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201210024542.3有效
发明人：山崎舜平;宫入秀和;秋元健吾;白石康次郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。
半导体装置

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201110431108.2有效
发明人： 宫入秀和;小路博信;下村明久;比嘉荣二;森若智昭;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件和用于制造该半导体器件的方法-CN201110421039.7有效
发明人： 宫入秀和;长多刚;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：由于显示器具有更高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数目增加。当栅极线和信号线的数目增加时，出现更高制造成本的问题，因为难以通过接合或类似方式安装包括用于驱动该栅极和信号线的驱动电路的IC芯片。像素部分和用于驱动该像素部分的驱动电路提供在相同衬底之上，并且该驱动电路的至少一部分包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管，该氧化物半导体插入提供在氧化物半导体上面和下面的栅电极之间。因此，当像素部分和驱动器部分提供在相同衬底之上时，制造成本可以降低。
半导体器件用于制造方法

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