专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于RFID的自动化仓储管理方法、装置及设备-CN202210745607.7在审
  • 宣玉龙;陈通喜;胡本亮;赵靖;戴朝晖 - 杭州吒达科技有限公司
  • 2022-06-28 - 2022-11-11 - G06Q10/08
  • 本发明公开了一种基于RFID的自动化仓储管理方法、装置及设备。包括:通过传感器定时采集仓储零部件参数信息;根据仓储零部件参数信息基于RFID判断对应零部件是否正常,若正常,储存当前仓储零部件参数信息,并记录当前时间,生成检测报告;若非正常,通过预设时间再次检测非正常零部件状态,若再次检测非正常,确定非正常零部件为异常状态,生成异常零部件检测报告,通过报警器发出提示音,并通过操作终端进行提示。通过实时采集仓储零部件参数信息实现对仓储零部件的实时监测,实现了自动化仓储管理,并且可以根据配置进行用户的定制化需求,通过模态分析法和频谱检测法,对异常零部件进行双重检测,减小了误差,对零部件状态判断更加准确。
  • 一种基于rfid自动化仓储管理方法装置设备
  • [发明专利]一种低压降高反压快恢复二极管的工艺控制方法-CN201510736894.5有效
  • 万奎;宣玉龙 - 常州星海电子股份有限公司
  • 2015-11-03 - 2018-10-23 - H01L21/67
  • 本发明属于电子器件技术领域,具体涉及一种低压降高反压快恢复二极管的工艺控制方法,包括:1.选取目标为反向击穿电压1100V,反向恢复时间150ns,正向压降1100mV的二极管,根据目标电性参数计算相应的工艺控制参数的理论计算值,2.选取反向击穿电压达到要求的基片并且选择基片时折中考虑Vf与Trr,依据理论计算值对选择的基片的扩散工艺、GPP制造工艺在原有工艺条件基础上做相应的调整,使之接近或等于理论计算值,3.利用GPP工艺对影响芯片反向恢复时间的因素做进一步的芯片参数的修正与微调,设计实验采集所有数据,4.运用计算机辅助进行数据的收集与汇总处理,5.利用已有的测试数据与研究结论相比进一步优化工艺条件。
  • 一种低压降高反压快恢复二极管工艺控制方法
  • [发明专利]一种防止误报的报警办法-CN201510634306.7有效
  • 宣玉龙;陈晨;贾宇桪;吴桂林;韩芳 - 杭州紫钺科技有限公司
  • 2015-09-29 - 2017-12-15 - G08B13/02
  • 本发明公开了一种防止误报的报警办法,提出来通过多种传感器的状态,来交叉验证报警是否发生的方法,创造性提出的报报警事件警流机制,根据多个报警器组成一个单独的报警流事件,只有这些单独的报警器按照报警流的触发流程和触发规则形成报警,才触发单独的报警事件,大大的降低了报警的误报率,增加了报警的准确性,对报警事件流的定义,可以通过常用的报警事件的模拟过程,组合多个传感器和报警器的联动作用。增加报警的唯一性和准确性,抑制了经常发生的报警风暴和报警误报。实际上增加了报警事件的可用性。
  • 一种防止报警办法
  • [发明专利]高浪涌玻璃钝化芯片-CN201510737894.7有效
  • 万奎;宣玉龙 - 常州星海电子有限公司
  • 2015-11-03 - 2016-03-09 - H01L21/306
  • 本发明属于片式半导体器件技术领域,具体涉及高浪涌玻璃钝化芯片,包括硅片、硅片的P层、N层以及P层上的玻璃钝化层,P层设有烧结玻璃钝化层的沟道,硅片还设有硼结层,其特征在于:所述的沟道开沟深度为110-135um,沟道宽度为8mil,沟道开沟深度比硼结深度多20um,减小沟道宽度、减小腐蚀深度,以减小侧面腐蚀来实现增大芯片面积,提高抗浪涌能力,调整腐蚀沟道的时间以及调整玻璃钝化层的烧结工艺提高芯片反向恢复时间,正向压降减小,进一步提高芯片抗浪涌能力。
  • 浪涌玻璃钝化芯片

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