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- [发明专利]高浪涌玻璃钝化芯片-CN201510737894.7有效
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万奎;宣玉龙
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常州星海电子有限公司
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2015-11-03
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2016-03-09
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H01L21/306
- 本发明属于片式半导体器件技术领域,具体涉及高浪涌玻璃钝化芯片,包括硅片、硅片的P层、N层以及P层上的玻璃钝化层,P层设有烧结玻璃钝化层的沟道,硅片还设有硼结层,其特征在于:所述的沟道开沟深度为110-135um,沟道宽度为8mil,沟道开沟深度比硼结深度多20um,减小沟道宽度、减小腐蚀深度,以减小侧面腐蚀来实现增大芯片面积,提高抗浪涌能力,调整腐蚀沟道的时间以及调整玻璃钝化层的烧结工艺提高芯片反向恢复时间,正向压降减小,进一步提高芯片抗浪涌能力。
- 浪涌玻璃钝化芯片
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