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[发明专利]用于半导体化学气相沉积反应器的平铺式喷头-CN201510963868.6有效
发明人：雷格·东克;亚历山大·勒纳;凯思德·索拉布吉;L·D·华盛顿;安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体化学气相沉积反应器的平铺式喷头。公开了由喷头平铺件阵列形成的半导体处理反应器的喷头。每个喷头平铺件具有可以在平铺件的中心区域中或可在整个平铺件上延伸的多个工艺气体孔。每个喷头平铺件可被定尺寸用于处理相应的基底或多个基底，或阵列可被定尺寸用于处理基底。排气区围绕工艺气体孔。排气区具有至少一个排气孔，并可包括排气狭槽、多个连接的排气狭槽或多个排气孔。排气区围绕喷头平铺件阵列，或排气区的相应部分围绕在每个喷头平铺件或一组喷头平铺件中的多个工艺气体孔。气体帷幕孔可以在排气区和喷头平铺件之一的工艺气体孔之间或邻近于平铺件的中心区域。
用于半导体化学沉积反应器平铺喷头

[发明专利]气相沉积反应器系统及其方法-CN201510196727.6在审
发明人：何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及气相沉积反应器系统及其方法。本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中，CVD反应器具有反应器盖子组件，反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件、隔离器组件、第二淋喷头组件和排气组件。CVD反应器还包括被布置在反应器体的相对端上的第一面板和第二面板，其中第一淋喷头组件被布置在第一面板和隔离器组件之间并且排气组件被布置在第二淋喷头组件和第二面板之间。反应器体具有被布置在晶片承载器轨道上的晶片承载器，以及布置在晶片承载器轨道下方并且包括多个灯的灯组件，灯组件可以被用于加热被布置在晶片承载器上的晶片。
沉积反应器系统及其方法

[发明专利]气相沉积反应器系统及其方法-CN201080020505.4有效
发明人：何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中，CVD反应器具有反应器盖子组件，反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件、隔离器组件、第二淋喷头组件和排气组件。CVD反应器还包括被布置在反应器体的相对端上的第一面板和第二面板，其中第一淋喷头组件被布置在第一面板和隔离器组件之间并且排气组件被布置在第二淋喷头组件和第二面板之间。反应器体具有被布置在晶片承载器轨道上的晶片承载器，以及被布置在晶片承载器轨道下方并且包括多个灯的灯组件，灯组件可以被用于加热被布置在晶片承载器上的晶片。
沉积反应器系统及其方法

[发明专利]晶片承载器轨道-CN201080020492.0有效
发明人：何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供用于使晶片承载器在气相沉积反应器系统内漂浮和横移的晶片承载器轨道，晶片承载器轨道包括轨道组件的上部和下部，上部和下部具有在其之间形成的气体空腔。导向路径沿着上部的上表面并且在两个侧表面之间延伸，两个侧表面沿着导向路径并且在导向路径上方并且平行于彼此延伸。沿着导向路径的多个气体孔从上部的上表面延伸，穿过上部，并且进入气体空腔中。在某些实施例中，轨道组件的上部和下部可以独立地包括石英，并且在某些实施例中可以被熔合在一起。
晶片承载轨道

[发明专利]加热灯系统及其方法-CN201080020750.5有效
发明人：何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)的装置和方法。在一个实施方案中，提供用于CVD反应器系统的加热灯组件，加热灯组件包括灯壳体，灯壳体被布置在支撑基部的上表面上并且包括从第一灯保持器延伸至第二灯保持器的多个灯。灯可以具有分裂灯丝灯和/或非分裂灯丝灯，并且在某些实施例中，分裂灯丝灯和非分裂灯丝灯可以被交替地布置在第一灯保持器和第二灯保持器之间。反射器可以被在第一灯保持器和第二灯保持器之间布置在支撑基部的上表面上。在另一个实施方案中，方法包括将晶片承载器的下表面暴露于从加热灯组件放射的能量，并且将晶片承载器加热至预先确定的温度。
加热系统及其方法

[发明专利]用于气相沉积的反应器盖子组件-CN201080021046.1有效
发明人：何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供用于气相沉积的反应器盖子组件，包括被布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件和隔离器组件，以及被布置在盖子支撑件上邻近彼此的第二淋喷头组件和排气组件，其中隔离器组件被布置在第一淋喷头组件和第二淋喷头组件之间，并且第二淋喷头组件被布置在隔离器组件和排气组件之间。
用于沉积反应器盖子组件

[发明专利]用于气相沉积的淋喷头-CN201080021014.1无效
发明人：何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供淋喷头组件，包括主体，主体具有延伸穿过主体的上部分和下部分并且平行于主体的中心轴线延伸的中央通道。淋喷头组件包括具有第一多个孔并且被布置在中央通道内的可选择的扩散板；上管板，其具有第二多个孔并且被在扩散板下方布置在中央通道内；下管板，其具有第三多个孔并且被在上管板下方布置在中央通道内；以及多个管，其从上管板延伸至下管板。每个管被耦合于上管板和下管板的分别的孔并且与上管板和下管板的该分别的孔流体连通。
用于沉积喷头

[发明专利]用于外延剥离的多个堆栈沉积-CN200980155968.9无效
发明人：何甘;安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2009-12-07 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种含有布置于衬底上的多个磊晶堆栈的薄膜堆栈，及一种用于形成此薄膜堆栈的方法。在一实施例中，该外延堆栈含有布置于该衬底上的第一牺牲层、布置于该第一牺牲层上的第一外延膜、布置于该第一外延膜上的第二牺牲层，及布置于该第二牺牲层上的第二外延膜。该薄膜堆栈可进一步含有布置于牺牲层上的额外的外延膜。通常，所述外延膜含有砷化镓合金，且所述牺牲层含有砷化铝合金。方法提供通过在外延剥离(ELO)过程期间蚀刻掉所述牺牲层而自该衬底移除所述外延膜。所述外延膜可用作光伏电池、激光二极管，或其它器件或材料。
用于外延剥离堆栈沉积

[发明专利]基于带的外延剥离设备和方法-CN200980155618.2无效
发明人：汤玛士·J·吉密特;何甘;美利莎·艾契尔;安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体上涉及用于通过外延剥离(ELO)过程来制作外延薄膜和器件的设备和方法。在一个实施方式中，提供了用于在ELO过程期间形成薄膜器件的方法，该方法包括：将多个基底连接至细长的支撑带，其中每个基底包括被布置在牺牲层上方的外延膜，该牺牲层布置在晶片上方；在蚀刻过程期间将基底暴露于蚀刻剂，同时移动细长的支撑带；以及蚀刻牺牲层并将外延膜从晶片剥离，同时移动细长的支撑带。实施方式还包括一些设备，连续型以及分批型设备，用于形成外延薄膜和器件，这些设备包括用于从外延膜生长所在的晶片上移除支撑带和外延膜的设备。
基于外延剥离设备方法

[发明专利]光伏器件-CN200980151541.1无效
发明人：伊西克·C·奇吉尔亚里;美利莎·艾契尔;哈利·艾华特;汤玛士·J·吉密特;何甘;安德瑞斯·海吉杜斯;雷格·东克 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：提供了用于以与常规太阳能电池相比时增大的效率将电磁辐射(例如太阳能)转化为电能的方法及装置。根据本发明的实施方式，光伏(PV)单元可具有由外延层剥离(ELO)产生的极薄的吸收层、布置在所述PV器件的背面上以避免阴影的所有电接点、和/或正面光捕集与背面光捕集，其使用漫射体及反射体来增加对碰撞在所述PV单元的正面上的光子的吸收。若干PV单元可组合成PV组，且PV组的阵列可使用在低温下应用的金属或导电聚合物的薄条带来连接以形成PV模块。当与常规太阳能电池相比时，这些革新可允许PV器件中的更大的效率及可挠性。
器件

[发明专利]具有背侧接点的光伏器件-CN200980151530.3无效
发明人：伊西克·C·奇吉尔亚里;美利莎·艾契尔;哈利·艾华特;汤玛士·J·吉密特;何甘;安德瑞斯·海吉杜斯;雷格·东克 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：提供了用于以与常规太阳能电池相比时增大的效率将电磁辐射(例如太阳能)转化为电能的方法及装置。光伏(PV)器件大致上包括：窗层；吸收层，其布置在窗层下方，使得在光子通过窗层行进且被吸收层吸收时产生电子；以及用于外部连接的多个接点，其耦接到吸收层，使得用于外部连接的所有接点布置在吸收层下方且不会阻挡任何光子经由窗层到达吸收层。将所有的接点定位在PV器件的背侧上避免了由前侧接点造成的太阳阴影，太阳阴影一般存在于常规太阳能电池中。因此，本文描述的具有背侧接点的PV器件与常规太阳能电池相比可以允许增加效率。
具有接点器件

[发明专利]光伏器件的薄吸收层-CN200980151499.3无效
发明人：伊西克·C·奇吉尔亚里;美利莎·艾契尔;哈利·艾华特;汤玛士·J·吉密特;何甘;安德瑞斯·海吉杜斯;雷格·东克 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：提供了用于以与常规太阳能电池相比时增大的效率将电磁辐射(例如太阳能)转化为电能的方法及装置。在光伏(PV)器件的一个实施方式中，PV器件大致上包括n型掺杂层及p+型掺杂层，p+型掺杂层邻近所述n型掺杂层以形成p-n层，使得当电磁辐射被p-n层吸收时产生电能。n型掺杂层和p+型掺杂层可以构成吸收层，并且吸收层的厚度小于500nm。与常规太阳能电池相比，这样的薄吸收层可以允许PV器件具有更大的效率和及可挠性。
器件吸收

[发明专利]光伏器件的集成-CN200980150920.9无效
发明人：伊西克·C·奇吉尔亚里;美利莎·艾契尔;哈利·艾华特;汤玛士·J·吉密特;何甘;安德瑞斯·海吉杜斯;雷格·东克 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：提供了用于以与常规太阳能电池相比时增大的效率将电磁辐射(例如太阳能)转化为电能的方法及装置。光伏(PV)单元可使所有的电接点定位于PV器件的后侧上以避免遮蔽并增加碰撞在PV单元的前侧上的光子的吸收。可将若干PV单元组合成PV组，且可连接PV组的阵列以形成PV模块，PV模块具有在低温下形成的金属或导电聚合物的薄条带。在与常规太阳能电池相比时，这样的创新可允许PV器件的较大的效率及可挠性。
器件集成

[发明专利]用于气相沉积的同轴喷头-CN200980149843.5无效
发明人： 安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的实施方式一般涉及一种在气相沉积工艺过程中沉积反应器或系统中使用的同轴气体歧管组件。在一个实施方式中，歧管组件具有耦合到中间部分的上部分，中间部分耦合到下部分。中间部分包含进口、从进口延伸到通路的歧管、和沿中心轴线延伸并包含通道的管，所述通道沿中心轴线并且与通路流体连通。歧管组件的下部分包含从第二进口延伸到第二通路的第二歧管和与中心轴线同轴的开口。管延伸到开口以在管和开口的边缘之间形成第二通道。第二通道与中心轴线同轴并且与第二通路流体连通。
用于沉积同轴喷头

[发明专利]外延迁移堆栈和方法-CN200980126340.6无效
发明人：美利莎·艾契尔;哈利·艾华特;汤玛士·吉密特;何甘;安德瑞斯·海吉杜斯;雷格·东克;斯图尔特·索南费尔特 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2009-05-29 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的实施方案通常涉及外延迁移(ELO)薄膜和器件，以及用来形成这类膜和器件的方法。ELO薄膜通常包括外延生长层，其在配置于基底例如晶片之上或上方的牺牲层上形成。支撑柄可配置在除了基底外的外延材料的相对侧上。支撑柄可例如通过给外延材料提供压缩来稳定外延材料。此外，在ELO工艺的蚀刻和移除步骤期间，支撑柄可用于抓紧以及支撑住外延材料。在不同实施方案中，支撑柄可包括预先弯曲的柄、多层柄、非均匀蜡柄和两个收缩诱发柄，其普通地或单向地收缩，以给外延材料提供压缩。
外延迁移堆栈方法

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