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[发明专利]一种镀镍钯金引线框架及其制备方法-CN202310232489.4在审
发明人：黎超丰;章新立;冯小龙;林渊杰 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种镀镍钯金引线框架及其制备方法，制备方法包括：对基板的上表面和下表面进行电镀，由内向外依次形成镀镍层、镀钯层和镀金层，得到电镀基板；在所述电镀基板的上表面和下表面分别贴附一层干膜，得到覆膜基板；通过曝光和显影去除所述覆膜基板中上表面和下表面需要蚀刻区域的部分所述干膜，得到显影基板；对所述显影基板的上表面和下表面中去除所述干膜的位置进行蚀刻，得到蚀刻基板；去除所述蚀刻基板的上表面和下表面中剩余的所述干膜，得到镀镍钯金引线框架。本发明能够提升了镀镍钯金引线框架的可靠性，且采用对基板上下表面电镀，整体形成镀层后再蚀刻的方式更容易控制，简化了工艺，提高了制备效率，保证了较高的合格率。
一种镀镍钯金引线框架及其制备方法

[发明专利]一种基于低温塑性变形和分级时效制备高强高导Cu-Cr-Sn合金的方法-CN202210976536.1有效
发明人：沈德鹏;黎超丰;冯小龙 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本申请提出了一种基于低温塑性变形和分级时效制备高强高导Cu‑Cr‑Sn合金的方法，涉及高强、高导铜合金技术领域。一种基于低温塑性变形和分级时效制备高强高导Cu‑Cr‑Sn合金的方法，包括：将铜粒、铜铬中间合金和锡粒在氩气的保护下进行真空熔炼，熔化后进行浇铸，冷却后铣面，得到合金铸锭；将得到的合金铸锭加热，进行热轧处理，随后进行淬火；将淬火后的合金浸泡在液氮中，然后进行低温轧制；将低温轧制后的合金置于马弗炉中进行分级时效处理。通过本申请方法制备得到的高强高导Cu‑Cr‑Sn合金，其抗拉强度大于600MPa、硬度大于150、电导率大于80％，满足大规模集成电路用引线框架材料的性能要求。
一种基于低温塑性变形分级时效制备高强 cu cr sn 合金方法

[发明专利]一种引线框架板表面处理方法、抛光装置及喷砂装置-CN202310232384.9在审
发明人：冯小龙;黎超丰;章新立 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B24C1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种引线框架板表面处理方法、抛光装置及喷砂装置，涉及半导体制造技术领域。本发明的引线框架板表面处理方法包括如下步骤：对引线框架板的上下表面进行抛光处理；对引线框架板的上下表面进行喷砂处理。本发明将引线框架板进行抛光处理，可通过抛光摩擦清除引线框架板上下表面的氧化物与异物，再将表面抛光干净的引线框架板进行喷砂处理，水与砂的混合物喷射到引线框架板上下表面，可去除引线框架板表面的料纹，方便后续进行电镀工艺，相比于传统地酸洗碱洗，使用抛光、喷砂对引线框架板表面进行处理，不会产生废弃的酸碱液，不需要进行酸碱污水处理，在保证处理效果的同时，用机械方法取代化学方法，健康环保。
一种引线框架表面处理方法抛光装置喷砂

[发明专利]一种银合金键合丝及其制造方法-CN202210567250.8在审
发明人：郑磊;孙君阳;陈周勇 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C22C5/06 文献下载
摘要：本发明属于合金材料技术领域，具体涉及一种银合金键合丝及其制造方法。本发明银合金键合丝包括芯线和包覆在芯线表面的镀金层，芯线含有以下质量百分比的组分：10~30%金，0.1~5.0%钯，5~100ppm钙，5~100ppm铈，其余为银，镀金层的金含量为芯线中金含量总质量的3~5%。通过熔铸、拉丝、镀金和退火工艺，得到具有良好力学性能和稳定性的银合金键合丝，可以在不更改或升级设备的情况下，直接用于中高端LED封装和IC封装。且传统中高端产品封装用的键合丝中金含量需达到60%~80%以上，而本发明银合金键合丝中的金含量降低至10~30%，大大降低了成本。
一种合金键合丝及其制造方法

[发明专利]引线框架、引线框架侧壁棕色氧化工艺及半导体封装体-CN202010835526.7在审
发明人：黎超丰;冯小龙;章新立;林杰;林渊杰;林海见;罗壮 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了引线框架，属于集成电路封装领域，它包括设有半蚀刻区的基材，所述基材表面设有电镀层，所述半蚀刻区侧壁表面经过棕色氧化处理；本发明提供一种引线框架侧壁棕色氧化工艺及半导体封装体，在保证引线框架可靠性的前提下，只对引线框架内蚀刻区域的侧壁进行棕色氧化处理，相对于只在引线框架的正面做棕色氧化的棕色氧化成本，还能进一步节省50％‑60％。
引线框架侧壁棕色氧化工艺半导体封装

[发明专利]引线框架、引线框架单面侧面棕化工艺及半导体封装体-CN202010835530.3在审
发明人：黎超丰;冯小龙;章新立;林杰;林渊杰;林海见;罗壮 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了引线框架，属于集成电路封装领域，它包括设有半蚀刻区的基材，且基材单侧表面上以及半蚀刻区侧壁设有棕色氧化层，所述基材上表面设有电镀层，电镀层位于棕色氧化层表面；本发明提供一种引线框架单面侧面棕色氧化工艺及半导体封装体，应用于12*12毫米以及更大尺寸的引线框架，在保证引线框架可靠性的前提下，针对引线框架单面以及内蚀刻区域的侧壁进行棕色氧化处理，相对于引线框架整体做棕色氧化的棕色氧化成本，节省10％‑30％。
引线框架单面侧面化工半导体封装

[发明专利]引线框架、引线框架单面棕色氧化工艺及半导体封装体-CN202010835539.4在审
发明人：黎超丰;冯小龙;章新立;林杰;林渊杰;林海见;罗壮 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了引线框架，属于集成电路封装领域，它包括单侧表面设有棕色氧化层的基材，基材上设有电镀层，且电镀层位于棕色氧化层表面。本发明还提供一种引线框架单面棕色氧化工艺，以及对引线框架成品进行封装处理的半导体封装体。在引线框架单面棕色氧化工艺中，棕色氧化在电镀工序和蚀刻工序之前，直接对铜原材料进行单面棕色氧化处理，处理后的棕色氧化层位于银与铜之间的结合面上，沉积的银一致性好，颗粒均匀。
引线框架单面棕色氧化工艺半导体封装

[实用新型]一种引线框架冲裁落料回收装置-CN202023004431.5有效
发明人：张海龙;何宏伟;曹前龙;吴永扬;李宏军 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B23Q7/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种引线框架冲裁落料回收装置，涉及引线框架落料回收技术领域。一种引线框架冲裁落料回收装置，包括：落料箱，所述落料箱设置在机床的下方；至少一条导轨，所述导轨设置在所述机床与所述落料箱之间；至少一个落料结构，所述落料结构设置在所述机床产生镀镍落料处的下方，所述落料结构与所述导轨连接。本实用新型引线框架冲裁落料回收装置通过在机床和落料箱之间设置落料结构，用于接收镀镍的冲裁落料，可以实现落料分离，提高落料回收的经济性。
一种引线框架冲裁落料回收装置

[发明专利]用于封装的引线框架、半导体封装结构及封装方法-CN202011521988.8在审
发明人：黎超丰;冯小龙;章新立;林渊杰;林杰 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种用于封装的引线框架、半导体封装结构及封装方法。本发明的引线框架包括多个引线框架单元，相邻两个引线框架单元之间设置有凹形槽，且该凹形槽的开口方向为竖直向上。本发明先用酸性蚀刻液处理基板上表面去除引线框架单元之间的部分厚度，形成开凹形槽，再在塑封后用碱性蚀刻液去除基板剩余的金属连接部，通过碱性蚀刻的工艺条件控制获得理想的蚀刻效果，使得相邻封装单元之间仅通过塑封料连接，而无金属连接，可实现在切割前进行整体测试，简化单个封装体的测试流程，提高产品检测效率，同时避免引线框架的金属材料对切割刀具的磨损，有助于延长切割刀具使用寿命，减少生产成本。
用于封装引线框架半导体结构方法

[发明专利]一种用于半导体封装的引线框架及其制备方法-CN202011525742.8在审
发明人：黎超丰;冯小龙;章新立;林渊杰;林杰 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种用于半导体封装的引线框架及其制备方法。本发明的引线框架包括框架本体和电镀层，所述框架本体的上表面具有若干微蚀槽，各微蚀槽内均填充有上述电镀层，所述电镀层的厚度与微蚀槽的厚度相同。本发明的引线框架通过先微蚀后电镀的方式，在框架本体上形成下凹的微蚀槽，使电镀层形成于微蚀槽内，通过微蚀和电镀工艺的合理控制，既可减小引线框架的厚度，有利于半导体封装的薄型化生产，还可起到保护电镀层的作用，从而更好地保证可焊性和产品合格率。
一种用于半导体封装引线框架及其制备方法

[发明专利]一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法-CN202011329108.7有效
发明人：黎超丰;冯小龙;章新立;林渊杰;林杰 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法。本发明先对引线框架上表面进行单面棕色氧化，再在电镀和蚀刻后对半蚀刻区域和侧壁进行超粗化处理，通过超粗化工艺条件的控制，使侧壁和半蚀刻区域形成粗糙度良好的粗糙表面，增加了引线框架与塑封树脂接触区域的结合力，而引线框架下表面未经过粗糙化处理，仅在裸露的焊盘区域形成表面光滑的预电镀层，减少了表面粗糙化的面积，同时下表面不易粘附塑封过程产生的溢料，减少清洗难度，有利于简化工艺，节省粗化和电镀成本。本发明的引线框架侧壁具有良好的粗糙度，改善了集成电路封装体的气密性和可靠性，减少分层、开裂等缺陷。
一种具有粗糙侧壁引线框架制备方法

[实用新型]一种集成电路引线框架-CN202022505885.4有效
发明人：黎超丰;冯小龙;章新立;林渊杰;林杰 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种集成电路引线框架，涉及集成电路引线框架技术领域。一种集成电路引线框架，间隔设置有多个基岛和多个剪切部，每个剪切部包括两个引脚和一个切割道，所述切割道两端分别与所述两个引脚相连，所述两个引脚和切割道围成第一凹槽，所述第一凹槽开口设置在所述剪切部的底部，所述切割道具有第一凸起，所述第一凸起设置于对应的第一凹槽中。本实用新型集成电路引线框架由于增加了第一凸起，在进行剪切时，剪切处附件的引脚变形程度会大幅降低，从而提升产品的良率。
一种集成电路引线框架

[发明专利]一种预电镀引线框架及其制备方法-CN202010725638.7在审
发明人：黎超丰;冯小龙;林杰;章新立;林渊杰;林海见;罗壮 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种预电镀引线框架及其制备方法。本发明的引线框架包括引线框架单元和非功能区，所述引线框架单元的上表面的局部区域形成有镀银层，所述引线框架单元的下表面的所有外露区域形成有镀镍钯金层，所述引线框架单元的侧壁及框架本体上的非功能区无电镀层；所述引线框架依次通过贴膜、镀银、镀镍钯金、蚀刻、退膜制得。本发明采用先选择性电镀后蚀刻的方法，其中上表面为中低速、低氰、低温电镀，得到的镀银层致密性好、厚度均匀、表面平整，具有良好的打线性能；下表面的镀镍钯金层耐高温高湿，有优良耐储时间和良好的可焊性，可为封装产品提供更好的气密性和可靠性，同时符合绿色、环保、节能的生产要求。
一种电镀引线框架及其制备方法

[发明专利]一种预电镀镍钯金引线框架及其制备方法-CN202010724340.4在审
发明人：冯小龙;黎超丰;林杰;章新立;林渊杰;林海见;罗壮 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种预电镀镍钯金引线框架及其制备方法。本发明的引线框架包括引线框架单元和非功能区，所述引线框架单元的上表面的局部区域形成有镀银层，所述引线框架单元的下表面的所有外露区域形成有镀镍钯金层，所述引线框架单元的侧壁及框架本体上的非功能区无电镀层。本发明的预电镀镍钯金引线框架通过先电镀后蚀刻的方式制备，并严格控制电镀液的浓度和pH值，在优选条件参数下得到的电镀层厚度均匀、表面平整，气孔率低，可焊性好，并且进行集成电路封装时可免电镀，不但有利于降低成本、缩短周期，实现绿色封装，还能提高封装产品的合格率，使其在高温、高湿等恶劣环境下具有优良的可靠性。
一种电镀镍钯金引线框架及其制备方法

[发明专利]一种键合丝用立式退火炉-CN201711071061.7有效
发明人：郑磊;郑康定;郑康良;冯小龙;杨董斌 -专利权人： 宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：一种键合丝用立式退火炉，包括机架和设置在机架上的退火组件，退火组件包括加热装置，其特征在于：机架上靠近加热装置的入线端设有放线轴，机架上靠近加热装置的出线端设有收线轴，退火组件还包括设置在机架上且位于加热装置的出线端与收线轴之间的液冷装置和风干装置，液冷装置包括设置在机架上的上端为敞口的容器用于盛装液面高于容器上端面的退火液，风干装置位于液冷装置之后，靠近加热装置的出线端处还设有第一导向装置用于使从加热装置的出线端处出来的键合丝方向导向为水平方向且浸没在容器上端面之上的退火液中。该键合丝用立式退火炉冷却效果和防氧化效果较好、成本较低。
一种键合丝用立式退火炉

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