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[发明专利]一种低温烧结改性NiO-Ta2-CN202111292700.9有效
发明人：邢孟江;曲明山;杨鸿宇;孙成礼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体为一种低温烧结改性NiO‑Ta2O5基微波介质陶瓷材料及其制备方法。是以离子掺杂改性为指导依据，不仅考虑到以相近半径的离子进行取代，如Zn2+取代Ni2+离子，V5+取代Ta5+离子；同时选择的掺杂氧化物仍具有低熔点的性质。因此可以实现改善NiO‑Ta2O5基陶瓷材料微波介电性能的同时仍能降低适宜的烧结温度。在本发明中，通过调节各原料的摩尔含量，直接一次合成了具有低温烧结、温度稳定且微波介电性能优异的NiO‑Ta2O5基陶瓷材料，可广泛应用于LTCC技术领域。
一种低温烧结改性 nio ta base sub

[发明专利]一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及制备方法-CN202210391924.3有效
发明人：李恩竹;王宇晨;杨鸿程;钟朝位;张树人;孙成礼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及其制备方法。本发明通过对钙硼硅基微晶玻璃材料的原料组分以及比例的重大幅度调整，最终以钙、铝、硼和硅为基料，辅以BaCO3、P2O5，并微量添加CeO2、La2O3和Na2CO3作为微量元素，通过将原料熔融、水淬、造粒等工艺，即可在850～950℃的低温下烧结获得低介(εr＝4～5)、低损(Tanδ0.0006)的微晶玻璃陶瓷材料。其具有高信号传输速度，大大降低了功耗；烧结温度低(850℃～950℃)，能很好的和低电阻率的银电极共烧，适用于制造低温共烧多层陶瓷基板，满足LTCC的工艺条件要求，且性能更佳，为高速电路的需求提供了更好的选择。
一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料制备方法

[发明专利]一种低介低损Ba-Si-B-M基LTCC材料及其制备方法-CN202210026261.5有效
发明人：李恩竹;吴裴;杨鸿程;钟朝位;张树人;孙成礼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明属于电子信息陶瓷及其制造领域，具体涉及一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料及其制备方法。本发明充分利用了复杂化学键理论由于Si4+离子极化率低和Si‑O键的共价键性高，所以Si‑O键的晶格能高这一特性，通过调整Ba‑Si基陶瓷原料配方，采用固相法，在850℃～950℃的低温下烧结成型致密的Ba‑Si‑B‑M基微波陶瓷材料。在烧结过程中形成低共熔化合物，从而推动晶粒重排，并且随着烧结的进行析出BaSi2O5相的陶瓷；并且没有二次相，确保了陶瓷材料的介电性能和机械性能优异，具有高Q×f值，6～7.5的低介电常数，介电损耗低至6.13×10‑4，可在LTCC中推广应用。
一种低介低损 ba si ltcc 材料及其制备方法

[发明专利]一种BaTiO3-CN202210898147.1在审
发明人：唐斌;代欣霖;司峰;孙成礼;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种BaTiO3基X8R陶瓷基板材料及制备方法，属于电子材料技术领域。以BaTiO3为主料；二次添加剂包括ZnNb2O6、Nb2O5、NiO、Al2O3、SiO2、MnCO3以及稀土元素Nd、Ce、Sm、La中一种或一种以上的氧化物，制备方法包括配料、球磨、造粒、成型、烧结过程，BaTiO3基X8R陶瓷基板材料具有较低的介电损耗：tgδ≤0.8％，较高的绝缘电阻率：ρ≥1.0*1012Ω·cm，介电常数为900～3000，符合X8R标准的电容温度系数，能够满足陶瓷电容器尤其是单层陶瓷电容器制作要求，制备方法简单、易控、环保、成本低廉。
一种 batio base sub

[发明专利]一种低介电常数LTCC材料及其制备方法-CN202010350140.7有效
发明人： 孙成礼;王铭剑;黄学敏;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C04B35/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种Li2O‑MgO‑SiO2系LTCC材料及其制备方法，涉及电子材料技术领域，其原始配料组成为98.0～100.0wt％的Li2O‑MgO‑SiO2陶瓷材料和0.0～2.0wt％的镧硼锌玻璃。LMS陶瓷材料的组成为：Li2CO3、MgO、SiO2，按摩尔比Li2CO3:MgO:SiO2＝1:1:1合成主晶相为Li2MgSiO4的陶瓷主料；镧硼锌玻璃的原料组成为：45wt％≤La2O3≤47wt％、28wt％≤B2O3≤32wt％、21wt％≤ZnO≤25wt％。将上述组分经过称量、一次球磨、预烧、过筛、二次球磨、造粒、成型等工序处理后在空气中于850℃～925℃下烧结制得本发明LTCC材料。本发明提供的低温烧结LTCC材料，原料价格低廉，器件生产成本极低，经检测后具有较低的介电常数和较高的品质因数和良好的工艺稳定性。
一种介电常数 ltcc 材料及其制备方法

[发明专利]一种低介低损Ca-Al-B基LTCC材料及其制备方法-CN202011075136.0有效
发明人：李恩竹;温擎宇;杨鸿程;孙成礼;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介电常数、低介电损耗Ca‑Al‑B基微波介质LTCC材料及其制备方法。本发明将CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表CaAl2B2O7作为Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料通过添加助剂使其可应用于LTCC领域，实现了850℃～900℃的低温致密烧结，介电常数5～6.2，损耗低至4.19×10‑4，频率温度系数‑30～‑20ppm/℃。CaAl2B2O7作为CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表，其研究仅限于发光性能以及晶体结构分析，在固相烧结中，其反应过程、物相组成以及微波介电性能与各个物相含量之间的关系均未具体研究。本发明为低介低损LTCC材料提供了一种具有优异性能LTCC材料的新选择。
一种低介低损 ca al ltcc 材料及其制备方法

[发明专利]一种低介低损Ca-Al-B基微波介质陶瓷材料-CN202011072559.7有效
发明人：李恩竹;温擎宇;杨鸿程;孙成礼;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明首次将CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表CaAl2B2O7作为低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料应用，提供的低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料，其原料组成为CaCO3、Al2O3和H3BO3，化学通式为CaAl2xB2O7(x＝0.25～1)，主晶相为CaAl2B2O7，利用固相烧结法制备，其预烧温度为750℃～900℃，烧结温度为930℃～1040℃，具有低介电常数(4～6)，损耗低至2.14×10‑4，频率温度系数‑20～‑30ppm/℃。本发明为低介低损介质陶瓷材料提供了一种新的选择。
一种低介低损 ca al 微波介质陶瓷材料

[发明专利]一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN201910603226.3有效
发明人：李恩竹;杨鸿程;孙成礼;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法，主要用于通讯系统的介质滤波器。本发明材料为BaWO4基微波介质陶瓷材料，烧结温度850℃～900℃，介电常数5.8～9.0，损耗低至3.70×10‑4，频率温度系数‑30～‑10ppm/℃；其化学通式为BaWO4‑xM2CO3‑yBaO‑zB2O3‑wSiO2，其中M为Li+、K+或Na+碱金属离子，且x、y、z、w不能同时为零。当y＝0时，在850℃～900℃下烧结后均为BaWO4相；当y不等于0时，主晶相为BaWO4相，次晶相为BaSi2O5相。制备时，直接将原料按照所需化学式配料，通过固相烧结法制得；最终获得烧结温度低至850℃，保温时间0.5～2h，介电性能5.8～9.0满足高频介质滤波器的BaWO4基的LTCC微波介质陶瓷材料，可应用在LTCC领域。
一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种Ba-Mg-Ta系LTCC材料及其制备方法-CN201811571465.7有效
发明人： 孙成礼;杨雷宇;张树人;唐斌;钟朝位 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Ba‑Mg‑Ta系LTCC材料及其制备方法。所述材料,由质量百分比98.5％～99.7％Ba{[(Mg0.8Zn0.2)1‑xCux]1/3Ta2/3}O3(x＝0.04～0.10)基料和质量百分比0.3％～1.5％的降烧剂组成，通过固相法制备。本发明在Ba[(Mg0.8Zn0.2)1/3Ta2/3)]O3基础上进行离子掺杂CuO，并在离子掺杂的体系上掺杂0.3％～1.5％的降烧剂，本发明通过离子掺杂和降烧剂的使用，实现Ba[(Mg0.8Zn0.2)1/3Ta2/3)]O3陶瓷低于900℃烧结温度下烧结致密，在保证微波介电性能的前提下，取得能够调节且近零的τf值，介电常数20～30，损耗≦104，频率温度系数稳定，制备工艺简单。
一种 ba mg ta ltcc 材料及其制备方法

[发明专利]一种低温烧结低介电常数陶瓷基板材料及制备方法-CN201810321342.1有效
发明人： 孙成礼;梁福霞;张树人;唐斌;李恩竹 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结低介电常数陶瓷基板材料及制备方法，其中，按照质量占比，所述陶瓷基板材料组分包括：10～18％的LBS玻璃，82～90％的Li2SiO3；按照质量占比，所述LBS玻璃的组分构成为：20～26％的Li2CO3，36～45％的B2O3，10～18％的SiO2，1～10％的CaCO3，0～5％的Na2CO3，以及0～5％的Al2O3，所述的Li2SiO3陶瓷粉各组分摩尔之比为Li2O：SiO2＝0.9～1.1：1。本发明所提供的陶瓷基板材料具有低介电常数高强度的特性，同时其烧结制备温度较低，能够很好的满足电子封装基板材料的性能要求。
一种低温烧结介电常数陶瓷板材料及制备方法

[实用新型]一种具有除尘防堵塞的冷凝器总成-CN202021668012.9有效
发明人：李国东;孙成礼;包燕芬 -专利权人：合肥泉宝机械有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： F28F19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有除尘防堵塞的冷凝器总成，属于冷凝器领域，包括壳体，壳体的底部设置有冷凝物收集器，压缩空气从进口进入到冷凝器腔后，由于冷凝器腔的内部呈向下螺旋状，所以压缩空气在一个向下螺旋的空间内流动，并在离心力的作用下，使得水和杂质留在导流板上，压缩空气流螺旋轨道的底部后，会从一个竖直向上的通道并从出口排出，同时，冷凝在导流板上的水和杂质经过滤芯向下流动到冷凝物收集器的内部下方，当进出口压力低于排污腔压力一定值时(空气干燥器卸荷)或空气压缩机停止供气时，分离膜片向上运动，关闭进气阀座同时打开排气阀座，冷凝物收集器中的水和杂质随排污腔内的压缩空气排出，从而避免了冷凝器堵塞。
一种具有除尘堵塞冷凝器总成

[实用新型]一种打磨抛光用磨抛机-CN202021669173.X有效
发明人：李国东;孙成礼;包燕芬 -专利权人：合肥泉宝机械有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种打磨抛光用磨抛机，涉及金属板加工技术领域，包括底座，所述底座的顶端固定有支撑板，且底座的顶端位于支撑板的一侧设置有旋转电机，所述支撑板的一侧位于旋转电机的上方设置有控制面板，所述支撑板的内部设置有一号蜗轮，且支撑板的内部位于一号蜗轮的下方设置有一号蜗杆，所述一号蜗轮的一侧位于支撑板的外侧固定有转盘，且转盘的一侧设置有连接板，所述连接板的顶端设置有放置板。本实用新型通过设置吸嘴、风机、碎屑收集箱、过滤板、连接管，通过风机的运作使碎屑收集箱内的压强减小，由此便通过吸嘴将外部的碎屑通过连接管吸入碎屑收集箱的内部，从而解决无法对金属板表面进行预处理的问题。
一种打磨抛光用磨抛机

[实用新型]一种工业用钢管快速电焊设备-CN202021668027.5有效
发明人：李国东;孙成礼;包燕芬 -专利权人：合肥泉宝机械有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B23K37/053 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工业用钢管快速电焊设备，涉及电焊设备领域，包括动力盒，所述动力盒的一侧安装有一号电机，且动力盒的内部设置有传动轴，所述传动轴的一侧连接有一号齿轮，且一号齿轮的底端连接有二号齿轮，所述二号齿轮的一端连接有连接杆，且连接杆的一侧连接有夹具，所述夹具的末端固定有夹头，且夹头的一端设置有轮板，所述轮板的一端设置有四个三号齿轮，且四个三号齿轮之间连接有四号齿轮，所述四号齿轮的一端安装有焊条盒，且焊条盒的内部设置有两个夹紧块。本实用新型通过设置夹具、夹头、连接杆、传动轴等实现钢管焊接时的夹紧功能，从而避免人工焊接固定的麻烦，由此提高焊接时的固定效率和提高焊接进度。
一种工业钢管快速电焊设备

[发明专利]一种陶瓷基板材料及其制备方法-CN201811293570.9有效
发明人：吴跃东;孙成礼;李军红 -专利权人：咸阳澳华致冷科技有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C04B35/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷基板材料及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述陶瓷基板材料由陶瓷相材料与掺杂玻璃相材料经球磨混合、轧膜成型、烧结制成，包括陶瓷相MgSiO3和掺杂相Mg‑Al‑Si玻璃；各组分的质量百分比含量为MgSiO390～99％，Mg‑Al‑Si玻璃1～10％；与现有技术的同类陶瓷基板材料相比，本发明具有优良的性能：成瓷密度ρ2.8g/cm3，较低的热导率(3.0w/m·k)、较高的绝缘电阻(1014Ω·cm)、高的抗弯强度(180MPa)；本发明工艺简单、生产稳定性好，使硅酸镁陶瓷基板材料批量化稳定生产成为可能。
一种陶瓷板材料及制备方法

[发明专利]一种低热导率高强度陶瓷基板材料及其制备方法-CN201811297999.5有效
发明人： 孙成礼;吴跃东;李军红 -专利权人：咸阳澳华致冷科技有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C04B35/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低热导率、高绝缘、高强度的陶瓷基板材料及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述陶瓷材料由主晶相材料和掺杂相材料经球磨混合、预烧、轧膜成型、烧结制成，包括主晶相Mg2SiO4和掺杂相Mg‑Al‑Si玻璃粉、ZrO2、Y2O3；各组分的质量百分比含量为Mg2SiO4 75～80％；Mg‑Al‑Si玻璃16～23％；ZrO2 0～1％；Y2O3 0～1％。与现有技术的同类陶瓷材料相比，本发明具有优良的性能：较低的热导率(5w/m·k)、较高的绝缘电阻(1014Ω·cm)、高的抗弯强度(200MPa)；本发明工艺简单可行，实现了此类基板材料大批量轧膜成型，使低热导率、高绝缘、高强度的陶瓷基板材料生产成为可能。
一种低热导率高强度陶瓷板材料及制备方法

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