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[发明专利]包括单片集成的光电二极管和跨阻放大器的光接收器-CN202080086451.5在审
发明人：劳伦斯·E·塔洛夫;威廉·A·哈格利;戈德蒙·A·哈尔特森;约翰·威廉·米切尔·罗杰斯 -专利权人：电光-IC股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：一种光接收器包括单片集成的针状光电二极管(PIN)和跨阻放大器(TIA)。所述TIA包括InP异质结双极晶体管(HBT),其由生长在SI:InP衬底上的外延层堆叠的第一多个层制成；所述PIN由所述外延层堆叠的第二多个层制成。所述PIN的p型触点垂直连接到所述TIA的输入，以降低PIN电容CPIN。所述TIA电容CTIA可以被蚀刻到CPIN。将包括吸收层的厚度、窗口面积和任选的所述PIN的镜面厚度、装置电容CPIN+CTIA和所述TIA的反馈电阻RF的装置参数优化为包括在工作波长下的特定灵敏度和响应度的性能规格。这种设计方法能够经济高效地制造集成PIN‑TIA，用于10G‑PON ONU的1577nm接收器等应用。
包括单片集成光电二极管放大器接收器

[发明专利]垂直集成电吸收调制激光器和制造方法-CN202080077012.8在审
发明人：戈德蒙·A·哈尔特森;威廉·A·哈格利 -专利权人：电光-IC股份有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了单片集成电吸收调制激光器(EML)和制造方法。用于分布反馈(DFB)激光器、电吸收调制器(EAM)和无源输出波导的垂直堆叠波导垂直集成，所述DFB激光器、EAM和输出波导使用横向锥形垂直光学耦合器进行光学耦合。使用横向锥形垂直光耦合器的垂直集成为激光器和EAM的传统对接耦合提供了替代方案，有可能在延长寿命的情况下提高高功率运行的可靠性。可选地，所述EML包括单片集成电子电路，例如所述DFB激光器和EAM的驱动和控制电子设备。有利的是，集成EAM驱动和控制电路包括高速电光控制回路，用于非常高速的线性化和温度补偿，例如，为模拟光数据中心互连应用启用先进的调制方案，如PAM‑4和DP‑QPSK。一些实施例与使用单一外延生长的制造兼容。
垂直集成吸收调制激光器制造方法

[发明专利]半导体激光器件结构及其制造方法-CN202080068558.7在审
发明人：理查德·D·克莱顿;威廉·A·哈格利;劳伦斯·E·塔洛夫 -专利权人：电光-IC股份有限公司
申请日： 2020-10-05 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了包括具有模式选择滤波器和相位对准元件中的至少一个的激光二极管腔的半导体器件结构及其制造方法。一种示例器件结构包括具有模式选择反射器结构的表面蚀刻光栅分布反馈(SEG DFB)激光器。所述反射器结构旨在提供基本TE0模式的更高反馈，并抑制高阶模式效应。所述反射器结构可以是包括空间图案反射器的单接口(单面)镜式反射器，或多接口分布布拉格反射器(DBR)。可以包括相位对准元件以提供精确的光学相位控制。可包括用于背面功率监测的光检测器。本发明公开了一种基于自对准工艺的制造方法，其中DBR特征包括在用于DFB激光光栅的同一掩模上。
半导体激光器结构及其制造方法

[发明专利]具有用于线性化和温度补偿的集成控制回路的电吸收调制器-CN202010607134.5在审
发明人：古德蒙杜尔·A·哈贾尔松;威廉·A·哈格利 -专利权人：电光-IC股份有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01S5/0683 文献下载
摘要：本发明公开了一种电吸收调制器(EAM)，其包括用于模拟光学数据中心互连应用的用于非常高速线性化和温度补偿的集成高速电光控制回路。控制回路可以以稳定的方式工作，因为电子器件和光学部件以小尺寸形式单片集成在单个衬底上。由于通过单片集成实现了小尺寸，因此光学模块和电子器件模块的温度紧密耦合，并且即使对于非常高的频率操作，控制回路时间延迟和相位延迟也足够小以稳定。这种布置可以使用先进的调制方案，诸如PAM‑4和DP‑QPSK，使得为数据中心光学互连提供应用低成本、低功率的模拟发送器实施方式。
具有用于线性化温度补偿集成控制回路吸收调制器