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- [发明专利]具有通过载流子选择性触点互连的多个吸收体的太阳能电池-CN201680067803.6有效
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罗比·派博斯特
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太阳能研究所股份有限公司
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2016-11-17
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2021-08-06
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H01L31/078
- 描述了一种串联式太阳能电池结构，其具有以下特征：(a)具有由不同材料制成的至少两个不同吸收体(104,108)的用于光伏能量转换的单体结构，(b)吸收体(108)由晶体硅构成，(c)在硅吸收体(108)的面对相邻的吸收体(104)的一侧上的布置有载流子选择性触点，(d)载流子选择性触点由薄的界面氧化物107和施加到其上的主要由p掺杂(106)或者n掺杂(201)的硅构成的非晶、部分结晶或多晶层配置而成。由层107和106或201构成的载流子选择性触点保证了晶体硅吸收体108的优异表面钝化和在整个表面上从后者选择性地提取载流子类型。因此实现垂直电流流动，使得在每个子电池中不需要横向电导率。通过层106或201的高度掺杂可以形成与相邻层的隧道接触。层106或201的厚度和/或掺杂可被用来匹配各个子电池中的发电电流。层107、106或201的温度稳定性允许在400℃的温度应用随后的生产步骤。
- 具有通过载流子选择性触点互连吸收体太阳能电池
- [发明专利]用于形成用于制造太阳能电池的薄半导体层衬底的方法-CN201080051115.3无效
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罗尔夫布伦德尔;马尔科恩斯特
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太阳能研究所股份有限公司
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2010-11-11
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2012-08-15
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H01L31/18
- 描述了一种用于形成用于制造太阳能电池的薄半导体层衬底的方法，在该方法中，在所提供的半导体衬底(1)中，可以通过电化学蚀刻交替地形成大孔隙度低的大孔层(33，37)和蚀刻去除层(35，39)。蚀刻去除层(35，39)分离相邻的大孔层(33，37)，从而这些层优选地是自支撑的。在该配置中，该半导体衬底(1)的至少部分地包围大孔层(33，37)的边缘区域(3)保持未被蚀刻，因此用于机械地稳固连接到它的被包围的大孔性较轻的层(33，37)。按照该方式产生的多层堆叠接下来可以在联合流体处理步骤中作为整体经历进一步的处理步骤，例如，可以被涂覆钝化氧化物。接下来，大孔层可以连续地从半导体衬底的起稳固作用的边缘区域(3)分离，其中在大孔层(33)和非多孔边缘区域(3)之间的机械连接被中断。在撕掉各个最上面的层之前，可以应用具有单侧效应的处理。按照该方式，可以利用仅几个处理步骤来产生以包括良好的表面钝化和减小反射的表面纹理的大孔层(33，37)的形式的多个薄半导体层衬底。
- 用于形成制造太阳能电池半导体衬底方法
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