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[发明专利]具有介电调控混合场板终端的SBD结构及其制备方法-CN202211361959.9有效
发明人：田康凯;黄福平;张紫辉 -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有介电调控混合场板终端的SBD结构，沿外延生长方向依次包括：底部欧姆接触电极、N+衬底、N‑漂移层、p‑NiO层、阶梯型场板介质层、肖特基接触电极和场板金属层；本发明还提供了一种具有介电调控混合场板终端的SBD结构的制备方法；本发明的阶梯型场板介质层可以抑制器件接触边缘处的强电场，此外，通过在N‑漂移层与阶梯型场板介质层之间生长p‑NiO层来替代p型宽禁带半导体材料形成混合终端结构，还能够有效地解决现阶段宽禁带半导体材料关于p型外延生长工艺和离子注入技术不成熟的问题。
具有调控混合终端 sbd 结构及其制备方法

[实用新型]一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构-CN202122949660.2有效
发明人：田康凯;贾兴宇;张紫辉;张勇辉 -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供了一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构，包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、吸收层，吸收层上设有光栅型叉指电极；光栅型叉指电极为周期栅型分列金属纳米电极，周期栅型分列金属纳米电极中每一个叉指由平行且均匀分布的10—100个光栅金属条构成；本实用新型提供了一种易于制作、简单的一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构，通过使电极处金属结构进行光栅结构化，从而克服电极挡光的问题，而且可以利用等离子激元作用增加探测器的响应度。
一种 algan 等离子光电探测器结构

[实用新型]-CN202123147411.8有效
发明人： -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号：文献下载
摘要：

[实用新型]一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件结构-CN202122375051.0有效
发明人：田康凯;贾兴宇;刘亚津 -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、沟道层，沟道层为凸台型，凸台的顶部和下部平面上设有势垒层，凸台的外侧和势垒层的上部设有栅介质层，凸台顶部的栅介质层和凸台外侧的栅介质层的外侧设有栅电极，凸台下部平面两侧设有源漏电极与势垒层相连；本实用新型利用沟道层材料体系的非极性面实现2DEG沟道的阻断，实现了常关型操作，且器件阈值电压具有较好的重复性和均匀性；采用半绝缘GaN作为沟道层，当HEMT处于关断状态时，漏电流极小且可承受较大的电压而不击穿；本实用新型可操作性强，成本低，工艺简单可靠，适于工业上的推广使用。
一种具有侧壁凸型栅增强 gan hemt 器件结构

[实用新型]一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构-CN202023014063.2有效
发明人：寇建权 -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型为一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构。该结构主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、电子注入层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层和P‑型重掺杂半导体传输层。其中，电子注入层通过AIN组分和掺杂浓度来精确调控N‑型AlGaN层内极化电场和耗尽电场，从而降低电子注入有源区时的能量，提高量子阱对电子的捕获能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生长难度低，可重复性强。
一种具有电子注入深紫发光二极管外延结构

[实用新型]一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列-CN202023018980.8有效
发明人：寇建权 -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型的目的是针对当前Micro‑LED显示中存在的不足，提出一种减小光学串扰的新型Micro‑LED显示阵列。该方案将当前主流的Micro‑LED显示阵列中的各个Micro‑LED的间隔处做成粗糙表面，使得在GaN层和蓝宝石(sapphire)衬底之间的通道内部传播的光通过粗糙表面透出，从而抑制其在通道内传播并进一步影响相邻的Micro‑LED，提高每个像素点色彩的纯洁性，进而提高显示阵列的对比度和可靠性，减少芯片成本。
一种减小光学新型 micro led 显示阵列

[实用新型]一种降低侧壁缺陷复合的Micro-LED芯片结构-CN202022598639.8有效
发明人：寇建权 -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种降低侧壁缺陷复合Micro‑LED芯片结构，在传统Micro‑LED芯片结构基础之上，P型重掺杂半导体材料层仅位于P型半导体材料层上方中间区域；N型材料传输层完全覆盖P型半导体材料层和P型重掺杂半导体材料露出层；N型材料传输层与部分P型半导体材料层直接接触。所述的芯片结构P型半导体材料层边缘暴露部分的面积占其总面积的1％～80％。利用N型材料传输层与P型半导体材料层在接触界面处形成的反偏结，耗尽P型半导体材料层中的空穴，从而减小芯片侧壁区域的非辐射复合效应，同时还能够提高注入电流的横向限制作用，以此来减小显示像素点之间的光学串扰效应。
一种降低侧壁缺陷复合 micro led 芯片结构

[发明专利]一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列及其制备方法-CN202011478135.0在审
发明人：寇建权 -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明的目的是针对当前Micro‑LED显示中存在的不足，提出一种减小光学串扰的新型Micro‑LED显示阵列。该方案将当前主流的Micro‑LED显示阵列中的各个Micro‑LED的间隔处做成粗糙表面，使得在GaN层和蓝宝石(sapphire)衬底之间的通道内部传播的光通过粗糙表面透出，从而抑制其在通道内传播并进一步影响相邻的Micro‑LED，提高每个像素点色彩的纯洁性，进而提高显示阵列的对比度和可靠性，减少芯片成本。
一种减小光学新型 micro led 显示阵列及其制备方法

[发明专利]一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构及其制备方法-CN202011479928.4在审
发明人：寇建权 -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明为一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构及其制备方法。该结构主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、电子注入层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层和P‑型重掺杂半导体传输层。其中，电子注入层通过AIN组分和掺杂浓度来精确调控N‑型AlGaN层内极化电场和耗尽电场，从而降低电子注入有源区时的能量，提高量子阱对电子的捕获能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生长难度低，可重复性强。
一种具有电子注入深紫发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]一种降低侧壁缺陷复合的Micro-LED芯片结构及制备方法-CN202011256425.0在审
发明人：寇建权 -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低侧壁缺陷复合Micro‑LED芯片结构及制备方法，在传统Micro‑LED芯片结构基础之上，该芯片结构的P型半导体材料层、P型重掺杂半导体材料层和N型材料传输层之间结构改变；P型重掺杂半导体材料层仅位于P型半导体材料层上方中间区域，N型材料传输层完全覆盖P型半导体材料层和P型重掺杂半导体材料层，其中N型材料传输层与部分P型半导体材料层直接接触；本发明提出的器件结构利用N型材料传输层与P型半导体材料层在接触界面处形成的反偏结，耗尽P型半导体材料层中的空穴，从而减小芯片侧壁区域的非辐射复合效应，同时还能够提高注入电流的横向限制作用，以此来减小显示像素点之间的光学串扰效应。
一种降低侧壁缺陷复合 micro led 芯片结构制备方法

[实用新型]具有侧壁场板的发光二极管器件结构-CN202020420170.6有效
发明人：张紫辉;楚春双;张勇辉;杭升 -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有侧壁场板的发光二极管器件结构。侧壁场板结构由绝缘层和覆盖于绝缘层上的阳极电极构成；绝缘层覆盖于发光二极管台面中的电流扩展层、空穴传输层、电子阻挡层和有源区的侧壁及电子传输层的上表面；发光二极管台面中电子阻挡层到电流扩展层侧壁的绝缘层宽度为0.001～1μm，电子传输层上表面的绝缘层的宽度大于电子阻挡层到电流扩展层的侧壁的绝缘层宽度；利用侧壁场板结构耗尽发光二极管器件边缘载流子，降低器件边缘处载流子浓度的特点，可以减弱器件边缘部位的非辐射复合，使整个器件的载流子得到有效地利用，最终实现发光二极管器件尤其是小尺寸发光二极管器件的光功率的提升。
具有侧壁发光二极管器件结构

[发明专利]具有侧壁场板的发光二极管器件结构及其制备方法-CN202010231630.5在审
发明人：张紫辉;楚春双;张勇辉;杭升 -专利权人： 天津赛米卡尔科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有侧壁场板的发光二极管器件结构及其制备方法。侧壁场板结构由绝缘层和覆盖于绝缘层上的阳极电极构成；绝缘层覆盖于发光二极管台面中的电流扩展层、空穴传输层、电子阻挡层和有源区的侧壁及电子传输层的上表面；发光二极管台面中电子阻挡层到电流扩展层侧壁的绝缘层宽度为0.001～1μm，电子传输层上表面的绝缘层的宽度大于电子阻挡层到电流扩展层的侧壁的绝缘层宽度；利用侧壁场板结构耗尽发光二极管器件边缘载流子，降低器件边缘处载流子浓度的特点，可以减弱器件边缘部位的非辐射复合，使整个器件的载流子得到有效地利用，最终实现发光二极管器件尤其是小尺寸发光二极管器件的光功率的提升。
具有侧壁发光二极管器件结构及其制备方法

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