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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]固体电解电容器及固体电解电容器的制造方法-CN202280008933.8在审
发明人： 大须贺祐喜;大道秀之;樽见真幸 -专利权人：日本贵弥功株式会社
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01G9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高了缺陷修复的机会且减少了漏电流的固体电解电容器及固体电解电容器的制造方法。固体电解电容器包括电容器元件、导电性高分子层及电解液。电容器元件是使阳极箔与阴极体相向而成。导电性高分子层是包含导电性聚合物的粒子或粉末及溶媒的分散体进行含浸而形成。电解液含浸于电容器元件中。此处，阴极体具有阴极箔及碳层。阴极箔包含阀金属，在表面形成有扩面层。碳层层叠于扩面层上，在与所述扩面层相反的面与导电性高分子层接触。并且，扩面层内所含的所述导电性聚合物的粒子或粉末的量比所述碳层中的面向所述导电性高分子层的表层侧所含的所述导电性聚合物的粒子或粉末的量少。
固体电解电容器制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201711203694.9有效
发明人： 大须贺祐喜;原田博文 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及其制造方法，在缩小尺寸的同时不会损失有效沟道区域。半导体装置具备：衬底；漏极区，其被设置在衬底的背面侧；基极层，其设置于漏极区与衬底正面之间；沟槽，其从衬底正面到达漏极区；栅绝缘膜，其覆盖从沟槽的底面至第一高度的沟槽内侧；栅电极，其隔着栅绝缘膜而在沟槽内被埋至与该沟槽相同的高度；绝缘膜，其在沟槽内被埋至高于第一高度的第二高度；源电极，其被埋入沟槽内的剩余部分中；基极接触区，其被设置为距衬底的正面比第二高度浅；源极区，其一个侧面与源电极相接触，上表面与基极接触区的底面的一部分相接触，一个侧面与沟槽的侧面相接触并且一部分与源电极相接触；以及衬底的背面上的漏电极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910220793.0在审
发明人： 大须贺祐喜;原田博文 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。构成源区(19)的浓度比第一源区部(16)低的第二源区部(14)构成为包含：第一部分(14₁)，其具有从第一源区部(16)的底面起、到比栅电极的上表面、即第一高度(H1)高的第二高度(H2)为止的深度；以及第二部分(14₂)，其上表面与第一部分(14₁)的底面的一部分接触，与作为沟槽(20)的延伸方向的第一方向垂直的第二方向上的一个侧面和沟槽(20)的外侧面接触，第二方向上的另一个侧面、第一方向上的两侧面及底面与基极层(13)接触，具有从第一部分(14₁)的底面起、至少到第一高度(H1)为止的深度。
源区底面半导体装置上表面方向垂直侧面基极层两侧面浓度比外侧面栅电极制造延伸

[发明专利]半导体装置-CN201810869571.7在审
发明人： 大须贺祐喜;原田博文;六笠美生 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供半导体装置，该半导体装置具备在不缩小有源区或不扩大芯片尺寸的情况下具有期望的ESD耐受性的ESD保护二极管和纵型MOSFET。包括：衬底；第一导电型的漏区及源区，它们设置在衬底内；第二导电型的基区，其设置在漏区与源区之间；栅电极，其由第一导电型的第一多晶硅层构成，该第一导电型的第一多晶硅层以在基区形成沟道的方式隔着栅绝缘膜而与基区相接；双向二极管，其包括栅电极、第二导电型的第二多晶硅层及第一导电型的第三多晶硅层，在与衬底的表面垂直的方向上按照栅电极、第二多晶硅层及第三多晶硅层的顺序依次配置。
多晶硅层导电型半导体装置栅电极衬底基区源区漏区耐受性双向二极管表面垂直栅绝缘膜沟道纵型芯片期望配置

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