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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]接口IC和包括接口IC的存储卡-CN201510232362.8有效
发明人：中柴康隆;大窪宏明;冈田光司;中田茂治;香川修一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及接口IC和包括接口IC的存储卡。本发明的示例性方面是存储卡，包括：存储器，该存储器存储数据；驱动器，该驱动器调制被存储在存储器中的数据；发射机，该发射机将通过驱动器调制的数据发射到被设置在外部主单元中的接收机；以及IC芯片，该IC芯片具有被形成在其中的驱动器和发射机。
接口 ic 包括存储

[发明专利]接口IC和包括接口IC的存储卡-CN201010513375.X有效
发明人：中柴康隆;大窪宏明;冈田光司;中田茂治;香川修一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及接口IC和包括接口IC的存储卡。本发明的示例性方面是存储卡，包括：存储器，该存储器存储数据；驱动器，该驱动器调制被存储在存储器中的数据；发射机，该发射机将通过驱动器调制的数据发射到被设置在外部主单元中的接收机；以及IC芯片，该IC芯片具有被形成在其中的驱动器和发射机。
接口 ic 包括存储

[发明专利]半导体器件-CN200910164692.2有效
发明人：富留宫正之;大窪宏明;中柴康隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。N阱的每一个与隐埋P阱接触的区域的宽度不大于2μm。地电压和电源电压被分别施加给P阱和N阱。去耦电容器被形成在N阱与隐埋P阱之间。
半导体器件

[发明专利]固态成像装置-CN200610168624.X无效
发明人： 大窪宏明;中柴康隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在传统的固态成像装置中，存在提高灵敏度的空间。为了解决该问题，一种固态成像装置，包括：半导体基板和光接收部分。光接收部分被提供为与半导体基板的表面侧(第一表面)上的表面层相邻。光接收部分的表面是硅化的。固态成像装置是这样的装置，其中入射在半导体基板背面(第二表面)上的来自待成像的物体的光，在半导体基板内部进行光电转换，光接收部分接收通过光电转换生成的电荷，并且使上文提及的待成像物体成像。
固态成像装置

[发明专利]半导体器件-CN200610132027.1有效
发明人：富留宫正之;大窪宏明;中柴康隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-01-14 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件，在多个布线层的每一层中与常规布线一起形成四片条状电极，条状电极纵向方向相同，多个布线层按照彼此相同的设计规则提供。在每个布线层中，第一和第二电极中每一个的两片彼此平行形成，另外，并且彼此远离。然后，在每一层中形成的第一电极通过第一通孔彼此连接，在每一层中形成的第二电极通过第二通孔彼此连接，通过连接第一电极和第一通孔形成的第一结构主体与地线连接，并且通过连接第二电极和第二通孔形成的第二结构主体与电源线连接。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200510113432.4无效
发明人： 大窪宏明;小田典明;中柴康隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-10-08 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容元件，具有显示出优良生产可靠性的简单结构。本发明提供了一种半导体器件(100)，该半导体包括由下电极(102)、SiCN膜(107)和上电极(113)的电容元件。在半导体衬底上的绝缘膜(101)中形成了沟槽，在该沟槽中掩埋下电极(102)。下电极(102)包括两个区域，即第一下电极(103)和第二下电极(105)，它们经由绝缘膜(101)彼此隔开。
半导体器件

[发明专利]集成电路器件-CN200510055997.1有效
发明人： 大窪宏明;中柴康隆;川原尚由;村濑宽;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：在半导体集成电路器件中，提供了由氧化钒制成的片状温度监控器元件，其一端与一个通路相连，而另一端与另一个通路相连。由铝制成的片状导热层位于温度监控器元件之下。在平面图中，等于或大于整个温度监控器元件的一半的区域覆盖了导热层。
集成电路器件

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN200510007923.0无效
发明人：川原尚由;村濑宽;大窪宏明;菊田邦子;中柴康隆;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件-CN200310123255.9无效
发明人： 大窪宏明;富留宫正之;山本良太;中柴康隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种半导体IC器件包括基衬底，基衬底包括P^－型硅，第一P⁺型硅层提供在基衬底上，N⁺型硅层和第二P⁺型硅层提供在其上的相同层中。第一P⁺型硅层和N⁺型硅层的杂质浓度高于基衬底的杂质浓度。此外，埋入氧化物层和SOI层提供在N⁺型硅层和第二P⁺型硅层整个上表面上。第一P⁺型硅层连接到地电位布线GND，N⁺型硅层连接到电源电位布线VDD。因此与电源并联连接的去耦电容器形成在P⁺型硅层和N⁺型硅层之间。
绝缘体衬底半导体集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN200410001852.9有效
发明人：富留宫正之;大窪宏明;中柴康隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-01-14 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体器件，在多个布线层的每一层中与常规布线一起形成四片条状电极，条状电极纵向方向相同，多个布线层按照彼此相同的设计规则提供。在每个布线层中，第一和第二电极中每一个的两片彼此平行形成，另外，并且彼此远离。然后，在每一层中形成的第一电极通过第一通孔彼此连接，在每一层中形成的第二电极通过第二通孔彼此连接，通过连接第一电极和第一通孔形成的第一结构主体与地线连接，并且通过连接第二电极和第二通孔形成的第二结构主体与电源线连接。
半导体器件

[发明专利]数据线与电源线平行的静态半导体存储器件-CN98100862.3无效
发明人： 大窪宏明 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-02-26 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种静态存储单元，其中包括两个与电源线Vcc连接的负载电阻(R1、R2)、两个交叉耦合的驱动晶体管(Qd1、Qd2)和两个变晶体管(Qt1、Qt2)，驱动晶体管(Qd1、Qd2)连接在负载电阻(R1、R2)和两根地线(Vss1、Vss2)之间，两个变换晶体管(Qt1、Qt2)连接在负载电阻和两根数据线(DL1、DL2)之间，数据线平行于电源线和地线，而不跨越电源线或地线。
数据线电源线平行静态半导体存储器件

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