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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]LED元件-CN201480030601.5有效
  • 大矢昌辉;难波江宏一;铃木敦志;近藤俊行;森美登里 - 崇高种子公司
  • 2014-05-19 - 2018-12-14 - H01L33/22
  • 一种LED元件，为了利用衍射作用提高光的取出效率，同时利用起因于衍射的配光特性实现适当的配光，其具备：表面形成有周期的凹部或凸部的蓝宝石衬底、在蓝宝石衬底的表面上形成且由含有发光层的III族氮化物半导体构成的半导体层叠部、将从发光层发出的光的至少一部分反射到蓝宝石衬底的表面侧的反射部，在蓝宝石衬底与半导体层叠部的界面获得从发光层发出的光的衍射作用，其中，将凹部或凸部的周期设为P、将从发光层发出的光的峰值波长设为λ时，并满足1/2×λ≤P≤16/9×λ的关系。
  • led元件
  • [发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件-CN200680000556.4有效
  • 大矢昌辉 - 日本电气株式会社
  • 2006-07-14 - 2007-08-15 - H01S5/22
  • 根据本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：由Ⅲ族氮化物半导体构成的有源层(105)；电流阻挡层(108)，其在有源层(105)上形成且具有条形孔(108a)；超晶格层(p型层109)，其掩埋孔(108a)并且由包括Al的Ⅲ族氮化物半导体构成；和包层(110)，其在超晶格层上形成并且由包括Al的Ⅲ族氮化物半导体构成。当超晶格层的平均Al组分比表示为x1并且包层(110)的平均Al组分比表示为x2时，其表示为x1＜x2。
  • 氮化物半导体发光器件
  •  1 
  • 共 4 条
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