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- [发明专利]同步型半导体存储装置-CN02130741.5无效
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川口一昭;大岛成夫
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株式会社东芝
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2002-09-18
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2003-03-26
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H01L27/10
- 一种同步型半导体存储装置，具备有配置了多个存储单元的存储单元阵列，根据读命令(DRA)从前述存储单元读出信息的读出动作和根据写命令(WRA)把信息写入前述存储单元的写入动作分别可能的存储器部。此外，具备检测与外部时钟信号(WCLK)同步输入的第1命令是前述读命令(RDA)还是前述写命令(WRA)的命令检测电路。进而，该同步型半导体存储装置具备在靠前述命令检测电路检测是前述读命令(DRA)还是前述写命令(WRA)的场合，用前述外部时钟信号(VCLK)来设定行地址选通(RAS)的恢复动作的结束和前述RAS的预充电动作的开始的时间的存储体定时器电路(11)。
- 同步半导体存储装置
- [发明专利]时钟同步电路-CN01133921.7无效
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加藤光司;大岛成夫
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株式会社东芝
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2001-08-20
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2002-04-24
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G11C11/4063
- 本发明提供一种时钟同步电路,使得在读取以外的方式中,时钟同步电路不消耗电流。根据情况使时钟同步电路停止和再起动。具体地说,在不需要同步时钟的场合,例如,在待机、激活、刷新、写入时等的读取以外的方式时,使时钟同步电路停止。另外,在读取时,为了输出数据,使同步时钟成为必要,使时钟同步电路工作,并生成同步时钟。在读取方式中,考虑时钟同步电路的再起动和前同步信号,将从读取命令被输入到实际上数据被输出所需要的时钟数,即,将CL设置为3以上。
- 时钟同步电路
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