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[发明专利]静电卡盘的制造方法和静电卡盘-CN201810736687.3有效
发明人： 多贺敏;小林義之;永关一也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制在基板的背面发生的放电的静电卡盘的制造方法和静电卡盘。在该静电卡盘的制造方法中，该静电卡盘通过向第一电极层施加电压来吸附基板，所述静电卡盘的制造方法包括以下步骤：在基台上的第一树脂层上形成所述第一电极层的步骤；以及向所述第一电极层上喷镀陶瓷或含有陶瓷的物质，其中，喷镀所述陶瓷或含有陶瓷的物质的步骤包括以下步骤：利用等离子体生成气体来运送从给料机投入到喷嘴内的喷镀材料的粉末，从喷嘴的前端部的开口喷射该粉末；利用500W～10kW的电力使所喷射的等离子体生成气体解离，来生成与所述喷嘴具有共同的轴芯的等离子体；以及利用生成的等离子体使喷镀材料的粉末以液状在所述第一电极层上成膜。
静电卡盘制造方法

[发明专利]基板载置台及基板处理装置-CN201911314810.3在审
发明人： 多贺敏;佐藤直行;西田辰夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1层上。第2层设置于电极层上。中间层设置于第2层与包覆层之间，且与第2层和包覆层紧贴。第2层为树脂层。包覆层为陶瓷。
基板载置台处理装置

[发明专利]基板处理装置和载置台-CN201410035060.7有效
发明人： 多贺敏;小林义之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，提高载置台的温度响应性。该基板处理装置包括腔室；设置于上述腔室内，用于载置基板的载置台；施加高频电力的高频电源；和对上述腔室内供给所期望的气体的气体供给源，上述载置台包括形成有流通冷媒的流路的第一陶瓷基材；形成在上述第一陶瓷基材的载置基板的一侧的主面和侧面的第一导电层；和层叠在上述第一导电层上，静电吸附所载置的基板的静电吸盘，上述流路的体积为上述第一陶瓷基材的体积以上，利用施加在上述第一导电层上的高频电力，从上述所期望的气体生成等离子体，利用该等离子体对上述载置的基板进行等离子体处理。
处理装置载置台

[发明专利]成膜装置-CN201180007205.7有效
发明人：原正道;山本薰;五味淳;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：使用包括有机金属化合物的原料气体形成薄膜的成膜装置具备：内部能够真空排气的处理容器（22）；载置被处理体（W），并且设置有对被处理体（W）进行加热的加热器（34）的载置台（28）；在载置台（28）的上方与载置台（28）相对设置，向着载置台（28）上的被处理体（W）外周端更外侧的区域导入原料气体的气体导入机构（80）；包围载置台（28）的上方的处理空间（S），划分处理空间的内外，并且以其下端部接近载置台（28）的方式设置，在下端部与载置台（28）的周边部之间形成气体出口（92）的内部划分壁（90）；在内部划分壁（90）的下端部，向着载置台（28）的半径方向的内方延伸设置，在与载置台（28）的周边部之间形成与气体出口（92）连通的孔口部（98）的孔口形成部件（96）。
装置

[发明专利]载置台结构、成膜装置和原料回收方法-CN201080010695.1无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;山本薰;多贺敏;安室千晃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及为了在能够真空排气的处理容器内，使用包含有机金属化合物的原料的原料气体在被处理体的表面形成薄膜而载置该被处理体的载置台结构。根据本发明的载置台结构，其特征在于，具备：载置台主体，载置被处理体并且在内部设置有加热器；和基台，以包围上述载置台主体的侧面和底面的状态支撑上述载置台主体，并且在内部设置有流通致冷剂的致冷剂通路，维持在低于原料气体的分解温度且在原料气体的凝固温度或液化温度以上的温度范围。
载置台结构装置原料回收方法

[发明专利]载置台构造-CN200980129915.X无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;山本薰;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：本发明提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。
载置台构造

[发明专利]成膜方法及成膜装置、计算机可读存储介质-CN200980110270.5有效
发明人：原正道;水泽宁;多贺敏;五味淳;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的区域流动，从所述处理气体流使所述羰基金属向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行金属膜的成膜。
方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质-CN200880106639.0有效
发明人：原正道;五味淳;前川伸次;多贺敏;山本薰 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-03 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质。基板载置机构载置被处理基板，包括：加热器板21，其具有被处理基板载置面21a，并且埋设有将被处理基板W加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体21b；和调温护套22，其以至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的表面的方式形成，并且其温度为低于成膜温度的非成膜温度。
基板载置机构处理装置抑制堆积方法存储介质

[发明专利]基板载置机构和基板处理装置-CN200880106580.5有效
发明人：原正道;五味淳;前川伸次;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-03 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种载置有被处理基板的基板载置机构，具备：加热板(21)，其具有被处理基板载置面(21a)，埋设有将被处理基板(W)加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备具有宽径部(94b)和窄径部(94a)的第一升降销插通孔(81a)；调温套，其被形成为至少覆盖被处理基板载置面(21a)以外的表面的，温度为不足成膜温度的非成膜温度，具备具有宽径部(92b)和窄径部(92a)的第二升降销插通孔(81c)；具备能够插通宽径部(94b)的盖部(93b)和能够插通宽径部(94b)和窄径部(94a)双方的轴部(93a)的第一升降销(24b-1)；具备能够插通宽径部(92b)的盖部(91b)和能够插通宽径部(92b)和窄径部(92a)双方的轴部(91a)的第二升降销(24b-2)。
基板载置机构处理装置

[发明专利]原料气体的供给系统以及成膜装置-CN200880100433.7无效
发明人：原正道;五味淳;前川伸次;山本薰;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：原料气体供给系统(6)，对成为减压环境的气体使用系统(2)供给原料气体。系统具有：存留液体原料或者固体原料的原料罐(40)、一端与原料罐连接而另一端与气体使用系统连接的原料通路(46)、向原料罐内供给运载气体的运载气体供给机构(54)、在原料通路的中途设置的开闭阀(48，50)、加热原料通路以及开闭阀的加热器(64)、控制加热器的温度控制部(92)。原料通路以及上述开闭阀使用具有良好导热性的金属材料形成。
原料气体供给系统以及装置

[发明专利]气体供给方法和气体供给装置-CN200880009952.2无效
发明人：原正道;五味淳;横山敦;田中利昌;前川伸次;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种气体供给方法，其用于将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给方法的特征在于，包括：工序(a)，使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；工序(b)，对上述原料容器内的固体原料进行加热，产生原料气体；工序(c)，将与上述工序(a)相同流量的载气供给至上述原料容器内，使上述原料气体与该载气一起在上述处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；和工序(d)，根据在上述工序(a)中取得的压力测定值、在上述工序(c)中取得的压力测定值和载气流量，计算上述原料气体的流量。
气体供给方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200880000148.8有效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;横山敦;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。
方法装置

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