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- [发明专利]太赫兹元件、半导体装置-CN201880042706.0有效
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向井俊和;金在瑛;外山智一郎
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罗姆股份有限公司
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2018-06-26
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2023-09-12
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H01L21/822
- 本发明的一方案提供的太赫兹元件具备半导体基板、第一导电层、第二导电层、能动元件。上述第一导电层以及第二导电层分别形成于上述半导体基板且相互绝缘。上述能动元件形成于上述半导体基板并与上述第一导电层以及上述第二导电层导通。上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角上相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部、连接于上述第一电容部的第一导电部。上述第二方向与上述厚度方向和上述第一方向正交。上述第二导电层包括第二电容部。上述第二电容部层叠于上述第一电容部且从上述第一电容部绝缘。上述半导体基板包括从上述第一电容部以及上述第二电容部露出的露出部。上述第一导电部具有在上述厚度方向视角上隔着上述露出部从上述第一天线部向上述第二方向离开的部位。
- 赫兹元件半导体装置
- [发明专利]LED封装-CN201811116886.0有效
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高洋介;外山智一郎;板井顺一
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罗姆股份有限公司
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2018-09-21
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2022-11-29
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H01L33/62
- 本发明提供一种LED封装，既能确保使用时的可靠性，又能应用更高输出型的LED芯片。所述LED封装具备：LED芯片(30)，具有在厚度方向z上相互朝向相反侧的表面(30A)及背面(30B)以及设置在背面(30B)的第1背面电极(302A)；第1端子(201)，与第1背面电极(302A)导通；以及第1接合层(311)，将第1背面电极(302A)与第1端子(201)接合；且第1接合层(311)的组成为包含Au的金属共晶，在厚度方向z上观察LED芯片(30)时，在第1接合层(311)，形成有朝向第1背面电极(302A)的周缘的内侧陷入的第1弯曲部(311A)。
- led封装
- [发明专利]半导体器件-CN202180023324.5在审
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外山智一郎
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罗姆股份有限公司
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2021-02-24
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2022-11-08
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H01L33/62
- 半导体器件包括：支承部件，其具有包含裸片焊盘的配线；与所述裸片焊盘接合的半导体元件；与所述配线和所述半导体元件接合的导线；和具有导电性并且将所述裸片焊盘与所述半导体元件接合的接合层。沿所述半导体元件的厚度方向看，所述裸片焊盘具有：包含于所述半导体元件的周缘内的第1区域；和与所述第1区域相连且从所述半导体元件的所述周缘向外方伸出的第2区域。沿所述厚度方向看，所述导线位于离开所述第2区域的位置。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体发光装置-CN202111139743.3在审
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外山智一郎
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罗姆股份有限公司
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2021-09-27
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2022-05-27
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H01L33/62
- 本发明的目的在于抑制半导体发光装置相对于电路衬底倾斜。本发明的侧面发光型半导体发光装置1具备：多层衬底10，具有多个基材10A～10C与多个导电层31、32；及半导体发光元件60A、60B。多层衬底10具有：主面11，安装着半导体发光元件60A、60B；背面12，朝向主面11的相反侧，且形成着外部电极50；及安装面13，与主面11及背面12这两个面交叉。多个导电层31、32具有从安装面13露出的导电露出部33s、33r、34s、34r、35sb、35rb、36sb、36rb。
- 半导体发光装置
- [发明专利]半导体发光器件-CN201811544410.7有效
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外山智一郎;安齐秀晃;桥本健矢;谷田贝亮
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罗姆股份有限公司
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2018-12-17
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2021-06-25
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H01L33/50
- 本发明提供一种半导体发光器件，其能够抑制树脂部形状的偏差。半导体发光器件(A1)包括：具有基材(11)、导体层(12)以及绝缘层(13)的衬底(1)；半导体发光元件(2)；和树脂部(3)，基材(11)具有一对基材第一侧面(113)和一对基材第三侧面(115)，导体层(12)具有正面部(121)和侧面部(123)，正面部(121)具有正面第一部(1211)，绝缘层(13)具有绝缘层第一部(131)和绝缘层第二部(132)，树脂部(3)覆盖绝缘层(13)的绝缘层第一部(131)和绝缘层第二部(132)，绝缘层第一部(131)的厚度即第一厚度(t1)大于绝缘层第二部(132)的厚度即第二厚度(t2)。
- 半导体发光器件
- [发明专利]半导体器件-CN201710256632.8有效
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小早川正彦;外山智一郎
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罗姆股份有限公司
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2017-04-19
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2020-05-19
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H01L43/04
- 本发明提供能够实现小型化的半导体器件。半导体器件(A1)包括：具有在z方向上彼此朝向相反侧的主面(11)和背面(12)以及连接主面(11)和背面(12)的侧面(13)的基材(1)；形成于基材(1)的配线部(2)；与配线部(2)导通并且配置于基材(1)的主面(11)侧半导体元件(3)；覆盖半导体元件(3)的树脂封装体(5)，其中，配线部(2)包含形成于主面(11)的主面部(21)、形成于背面(12)的背面部(22)和连接主面部(21)和背面部(22)的贯通部(23)，贯通部(23)具有从基材(1)的侧面(13)露出的露出面(231)、在z方向观察时位于比露出面(231)靠内侧且x方向尺寸比露出面(231)的x尺寸大的扩大部(232)。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN201710565645.3在审
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小早川正彦;外山智一郎
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罗姆股份有限公司
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2017-07-12
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2018-01-23
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H01L33/54
- 本发明提供半导体发光器件及其制造方法，包括基材、半导体发光元件和透光性树脂密封部。基材包括在第一方向上彼此离开的基材主面和基材背面、在与第一方向正交的第二方向上彼此离开的一对第一侧面、在与第一方向和第二方向正交的第三方向上彼此离开的一对第二侧面。半导体发光元件搭载在基材主面。树脂密封部覆盖半导体发光元件、且在第一方向看时比基材尺寸小。在基材形成有与半导体发光元件电连接的配线图案，其包括形成于基材主面的主面电极。在基材形成绝缘性的抗蚀剂层，其包括在第一方向看时与主面电极重叠的图案覆盖部。图案覆盖部包括树脂流出防止部，在第一方向看时其配置在树脂密封部的外侧，且从一对第二侧面的一方到另一方连续延伸。
- 半导体发光器件及其制造方法
- [发明专利]半导体激光器-CN200710002036.3有效
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外山智一郎
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罗姆股份有限公司
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2005-02-17
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2007-07-04
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H01S5/227
- 本发明提供一种半导体激光器：具有：半导体基板；以叠层在所述半导体基板上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层而形成的半导体叠层部；在所述半导体叠层部的所述条形状发光区域的一端部，以成为规定的反射率的方式形成的第1电介质膜；在所述条形状发光区域的另一端部，以达到与所述第1电介质膜相比更高的高反射率的方式形成的第2电介质膜；而且，所述第1电介质膜由氧化铝膜形成，且所述氧化铝膜的厚度是满足以下条件的厚度，即，达到所要求的反射率，并且，当相对于光的波长的所述反射率变化的曲线中振荡波长成为所述λ时斜率为负，同时按光学距离为0.6λ以上的厚度。
- 半导体激光器
- [发明专利]半导体激光器-CN200510009063.4有效
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外山智一郎
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罗姆股份有限公司
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2005-02-17
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2005-08-31
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H01S5/227
- 本发明提供一种半导体激光器。以叠层在半导体基板(1)上，形成条形状发光区域，进行激光振荡的方式，叠层半导体层，从而形成半导体叠层部(9)；在其一端部，以降低反射率而达到规定的反射率的方式，形成第1电介质膜(17)；在另一端部形成第2电介质膜(18)。第1电介质膜具有满足以下条件的膜厚，即，在将激光振荡的振荡波长λ设定在一定值的、相对于氧化铝膜的厚度的反射率的变化曲线中，达到所要求的反射率，并且，在该反射率变化的曲线的斜率为正，或相对于波长的反射率变化的曲线的斜率为负，同时按光学距离为0.6λ以上的厚度。这样即使温度升高且振动波长变化也能够使输出稳定化，同时即使是高输出用也能够提高其COD能级。
- 半导体激光器
- [发明专利]半导体激光器-CN200410094973.2无效
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外山智一郎
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罗姆股份有限公司
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2004-11-19
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2005-05-25
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H01S5/00
- 本发明提供一种半导体激光器，在半导体基板(1)上叠层包含n型包覆层(2)、活性层(3)及p型包覆层(4)、(6)的发光层形成部(8)，在发光层形成部上，叠层由晶格常数及热膨胀系数与半导体基板大致相同的材料构成的接触层(9)。在将该接触层的厚度设为d1，将发光层形成部的厚度设为d2时，以达到1.5≤(d1/d2)≤2.8的方式，形成发光层形成部及接触层。其结果，能够得到高输出用的、即使是发光层形成部的厚度达4μm以上的厚半导体激光器也能够提高CVD级别、延长寿命的半导体激光器。
- 半导体激光器
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