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[发明专利]放大器-CN201880086885.8有效
发明人： 堀口健一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03F3/60 文献下载
摘要：具有：输入分配部，其具有将输入信号进行分支的第1路径和第2路径，该第1路径的通过相位与该第2路径的通过相位不同；第1放大元件，其对输入至该第1路径的信号进行放大；第2放大元件，其对输入至该第2路径的信号进行放大；输出合成部，其利用传输该第1放大元件的输出的第3路径和传输该第2放大元件的输出的第4路径将该第1放大元件和该第2放大元件的输出合成，该第3路径和该第4路径的通过相位不同；以及电磁耦合部，其使通过该输入分配部而输入至该第1放大元件和该第2放大元件的2个信号、或从该第1放大元件和该第2放大元件输出而输入至该输出合成部的2个信号电磁耦合。
放大器

[发明专利]半导体装置、高频功率放大器及半导体装置的制造方法-CN201780095120.6在审
发明人：浅田智之;野上洋一;堀口健一;山部滋生;美保谕志;向井谦治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：发挥锚固效应，并且实现与半导体元件连接的引线的低阻抗化。半导体装置具有：散热器(101)；半导体元件(102)；引线(104)，其配置于散热器的上方；以及模塑材料(109)，其覆盖引线、散热器和半导体元件而形成。在散热器的俯视观察时与引线重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的第1凸部(101a)，在散热器的俯视观察时不与引线重叠的位置的上表面的缘部形成比该位置的下表面的缘部更加凸出的第2凸部(101c)。
半导体装置高频功率放大器制造方法

[发明专利]放大器-CN201610827446.0有效
发明人：小坂尚希;今井翔平;冈村笃司;三轮真一;长明健一郎;佐佐木善伸;堀口健一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。
放大器

[发明专利]场效应晶体管-CN201610281369.3有效
发明人：野上洋一;堀口健一;东坂范雄;渡边伸介;北野俊明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。
场效应晶体管

[发明专利]模拟反馈放大器-CN201280075850.7有效
发明人：小滨达夫;山口裕太郎;新田直子;向井谦治;大塚浩志;堀口健一;桧枝护重;山中宏治;美保谕志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：设置有比较器(13)，其检测由检波器(12)检波后的高频信号与从比较器(11)输出的反馈信号(A)之间的差分；比较器(14)，其检测由比较器(13)检测出的差分与从加法器(18)输出的反馈信号(B)之间的差分；以及环路滤波器(15)，其仅使比较器(14)的输出信号中规定的低频频带通过，振幅灵敏度调整器(16)根据环路滤波器(15)的通过信号的变化率来调整可变增益放大器(3)的振幅灵敏度，由此控制可变增益放大器(3)的增益。
模拟反馈放大器

[发明专利]共源共栅放大器-CN201280076909.4在审
发明人：嘉藤胜也;宫下美代;冈俊英;堀口健一;森一富;向井谦治;藤原孝信 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：多个源极接地晶体管(3)相互并联连接，多个栅极接地晶体管(4)相互并联连接。多个栅极接地晶体管(4)的源极(4s)分别与多个源极接地晶体管(3)的漏极(3d)连接。多个接地焊盘(5)与多个源极接地晶体管(3)的源极(3s)连接。多个接地电容(6)连接在多个栅极接地晶体管(4)的栅极(4g)和接地焊盘(5)之间。在接地焊盘(5)与多个栅极接地晶体管(4)之间交替配置有多个源极接地晶体管(3)和多个接地电容(6)。
共源共栅放大器

[发明专利]半导体装置-CN201410503154.2在审
发明人： 堀口健一;广部正和;美保谕志;佐佐木善伸;山本和也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种适合于小型化的半导体装置。该半导体装置的特征在于，具有：将多个频带的RF信号进行放大的功率放大器(16)；与该功率放大器的输出连接的输出匹配电路(18)；一端与该输出匹配电路的输出连接的第1电容器(30)；多条输出路径(34)；与该第1电容器的另一端连接，并根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条的开关(32)；以及具有多个分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器的多个第2电容器(40)，该第1电容器和该多个第2电容器中的至少一方与该开关由同一MMIC(46)构成。
半导体装置

[发明专利]级联放大器以及放大电路-CN201380019028.3在审
发明人：新田直子;嘉藤胜也;向井谦治;堀口健一;桧枝护重;森一富;山本和也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：构成为FET2的端子间耐压(耐压B)比FET1的端子间耐压(耐压A)高，且FET1的栅极宽度(Wg1)比FET2的栅极宽度(Wg2)小。由此，能够确保高输出功率，并且能够提高增益。另外，由于连接至输入端子3的FET1的栅极宽度(Wg1)小，所以能够力求级联放大器的小型化。
级联放大器以及放大电路

[发明专利]高频放大器模块及高频放大器模块单元-CN201280046746.5无效
发明人：向井谦治;堀口健一;桧枝护重;嘉藤胜也;平野嘉仁;山本和也;上马弘敬;紫村辉之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：包括：驱动级放大器3，放大从RF输入端子1输入的RF信号；以及最终级放大器5，放大由该驱动级放大器3放大的信号，并输出放大后的信号至RF输出端子7，其中，该驱动级放大器3在硅基板11上形成，该最终级放大器5在砷化镓基板上形成。因此，能够在维持与模块的整体在砷化镓基板71上形成时同等的高频特性的同时，实现低成本化。
高频放大器模块单元

[发明专利]模拟反馈放大器-CN201180072429.6无效
发明人：小滨达夫;堀口健一;桧枝护重 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：得到模拟反馈放大器，通过利用振幅调整器（21）以及延迟线路（24），使得不出现群延迟要素的影响，从而能够抑制不需要的相位的变动而实现宽带化。
模拟反馈放大器

[发明专利]前端放大器-CN201280031516.1无效
发明人： 堀口健一;嘉藤胜也;向井谦治;松永直子;桧枝护重;森一富 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：置阻抗检测器10，根据由功率放大器2输出的高频信号和由天线7反射的高频信号，来检测从功率放大器2观察天线7侧时的阻抗，控制电路11判别由阻抗检测器10检测到的阻抗是否属于特定区域，在该阻抗属于特定区域时，控制功率放大器2的偏置条件或可变匹配电路5的阻抗的至少一方。
前端放大器

[发明专利]输出模式切换放大器-CN201180065311.0无效
发明人：松永直子;堀口健一;大塚浩志;中山正敏;弥政和宏;山本和也;井上晃 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：获得一种实现所期望的增益、且抑制了接收带噪声的劣化的输出模式切换放大器。具备：N个放大器，经由切换单元来串联连接；以及控制电路（80A），根据多个输出模式来切换控制N个放大器的连接状态以及接通/断开状态。N个放大器中的P个放大器构成驱动放大器（1）、并且构成包含使自身的输出信号负反馈到自身的输入侧的反馈电路（100）的负反馈型放大器（10）。N-P个放大器构成对负反馈型放大器（10）可分开地串联连接的最末级放大器（2）。控制电路（80A）在第1输出模式中将最末级放大器（2）从负反馈型放大器（10）分开并且使反馈电路（10）无效、在第2输出模式中将最末级放大器（2）串联连接到负反馈型放大器（10）并且使反馈电路（100）有效。
输出模式切换放大器

[发明专利]输出模式切换放大器-CN201080068918.X无效
发明人： 堀口健一;松永直子;大塚浩志;中山正敏;弥政和宏;井上晃 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：一种输出模式切换放大器，具备：信号放大用的晶体管（3），连接在输入侧的第1节点（10）与输出侧的第2节点（12）之间；旁通路径（10、8、13），在所述第1节点与第2节点之间绕过所述晶体管；电压控制电路（9），对所述晶体管施加偏置电压，来切换是通过所述晶体管放大发送信号、还是不通过所述晶体管放大发送信号而经由所述旁通路径输出发送信号；以及二次谐波反射电路（16），反射与所述旁通路径连接的发送信号的二次谐波。
输出模式切换放大器

[发明专利]低失真放大器以及使用低失真放大器的多尔蒂放大器-CN200880128182.3有效
发明人：山内和久;能登一二三;井上晃;浜田伦一;中山正敏;堀口健一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-03-25 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：提供一种低失真放大器，能够同时实现晶体管附近的设置空间的确保和低阻抗化。低失真放大器具备通过高频短路用元件以及低频短路用元件使前端短路的短截线，短截线连接到晶体管的栅极端子或者漏极端子中的至少一方的附近，并且短截线由分支为多个的线路构成，通过高频短路用元件以及低频短路用元件使所分支的各个线路的前端短路。
失真放大器以及使用多尔蒂

[发明专利]前置补偿器-CN200880124815.3有效
发明人： 堀口健一;松永直子;林亮司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：提供一种对在通信装置中使用的放大器中产生的记忆效应、特别是电记忆效应进行补偿的前置补偿器。一种前置补偿器，具有用于对由放大器(3)产生的非线性失真进行补偿的失真补偿电路(8)，将从上述失真补偿电路输出的前置补偿信号输入到放大器，其中，在上述失真补偿电路与上述放大器之间，连接了用于对包括放大器的模拟电路整体中产生的信号分量中出现的频率特性进行补偿的第1滤波器单元(21)，在上述失真补偿电路与上述第1滤波器单元之间或者上述第1滤波器单元与上述放大器之间，连接了用于对放大器中产生的失真分量中出现的频率特性进行补偿的第2滤波器单元(22)。
前置补偿

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