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[发明专利]包括以轴向配置的三维半导体结构的光电子设备-CN201880055485.0有效
发明人： 埃里克·普尔基耶 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子设备(10)，其包括附接到第二电子电路(14)的第一光电子电路(12)。第二电子电路(14)包括导电垫(62)。针对每个像素，第一光电子电路包括：至少第一和第二三维半导体元件(20，22)，其在第一导电层上延伸并且具有相同的高度(H)；第一有源区，其位于第一半导体元件上并适合于发射或接收第一电磁辐射；第二有源区，其位于第二半导体元件上并适合于发射或接收第二电磁辐射；以及第二、第三和第四导电层(42，44，48)，其被电连接到导电垫(62)，第二、第三和第四导电层被分别连接到第一有源区、第二有源区和第一导电层。
包括轴向配置三维半导体结构光电子设备

[发明专利]光电器件-CN202180067052.9在审
发明人：伊万-克里斯多夫·罗宾;埃里克·普尔基耶;布鲁诺·莫雷 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本描述涉及一种光电器件(11)，其包括第一电路(13)，第一电路(13)包括从第一电路的第一表面(13i)发射的至少一个发光二极管(LED)并且包括第一和第二电极(23、24)；用于控制发光二极管的第二电路(15)，其被定位在第一电路的与第一表面相对的第二表面(13s)上，包括第一和第二导电垫(31)；以及位于第一和第二电路之间的交界处的导电层(17)，导电层(17)被划分成与第一和第二电路的堆叠正交的第一和第二部分，第一电极经由导电层的第一部分电连接到第一导电垫，并且第二电极经由导电层的第二部分电连接到第二导电垫。
光电器件

[发明专利]用于制造光电器件的方法-CN202180052739.5在审
发明人：格扎维埃·于贡;埃里克·普尔基耶;弗雷德里克·马耶尔;托马斯·拉卡夫;菲利普·吉贝尔;迈克尔·勒博;伊曼纽尔·佩蒂普雷兹 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造光电器件(1)的方法，该方法包括：‑提供支撑件(3)，所述支撑件(3)支撑多个三维半导体结构(2)；‑在多个三维半导体结构(2)的第一组(21)的3D结构(2a)下方形成牺牲部(30)；‑围绕牺牲部(30)形成阻挡部(50)，该阻挡部(50)具有在牺牲部(30)下方延伸的基壁(51)和在牺牲部(30)的边缘处延伸的横向壁(52)；‑形成沟槽(132)，该沟槽(132)用于尽可能接入牺牲部(30)，接入沟槽(132)沿阻挡部(50)的横向壁(52)连续延伸；‑从接入沟槽(132)蚀刻牺牲部(30)；‑将第一组(21)的3D结构(2a)去除。
用于制造光电器件方法

[发明专利]用于制造包含光刻胶的光致发光垫的光电器件的方法-CN201780087300.X有效
发明人： 埃里克·普尔基耶;菲利普·吉莱;张樱蓝 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造光电器件(1)的方法，该光电器件包括发光二极管(4)的矩阵和多个光致发光垫(61、62、63......)，每个光致发光垫面向所述发光二极管(4)的至少一部分，所述方法包括以下步骤：‑通过光刻法由包含光致发光颗粒的至少一个光刻胶(51、52、53......)形成所述多个光致发光垫(61、62、63......)，所述光刻胶预先沉积在支撑表面(3；3')上；‑通过在侧面(81、82、83......)上沉积至少一个薄层部分(91、92、93......)来形成覆盖所述光致发光垫(61、62、63......)的侧面(81、82、83......)的反射壁(101、102、103......)。
用于制造包含光刻光致发光光电器件方法

[发明专利]包括蚀刻生长衬底后部面的步骤的用于制造光电设备的方法-CN201780080471.X有效
发明人： 埃里克·普尔基耶 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造光电设备(1)的方法，其包括以下步骤：a)提供由半导体材料制成的生长衬底(10)；b)形成多个二极管(20)，每个二极管包括下部面(20i)；c)移除衬底的至少一部分(12；13)以空出下部面(20i)；其中：‑步骤a)包括产生衬底的下部部分和上部部分，该上部部分(12)具有均匀厚度(eref)和低于下部部分掺杂水平的掺杂水平；‑步骤c)包括通过相对于上部部分(12)的选择性化学蚀刻来移除下部部分(11)。
包括蚀刻生长衬底后部步骤用于制造光电设备方法

[发明专利]制造光电子器件的方法-CN202080070583.9在审
发明人：马克西姆·博伊斯塔德;菲力浦·吉贝尔;弗雷德里克·马耶尔;埃里克·普尔基耶;希尔维亚·斯卡林盖拉;克莱曼斯·塔莱 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2020-10-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本公开涉及一种制造光电子器件(5)的方法，该光电子器件包括具有第一组件和第二组件的发光二极管(LED)的组件，以及由第一光致发光材料制成的第一块(32)，每个第一块覆盖第一组件中的一个。该方法包括形成覆盖第一组件和第二组件的层，在该层中界定第一开口以暴露第一组件，用第一材料填充第一开口，以及执行化学机械抛光以界定第一块。
制造光电子器件方法

[发明专利]具有变薄前挖空的接触孔的彩色图像传感器的制造方法-CN02817072.5有效
发明人： 埃里克·普尔基耶 -专利权人： ATMEL格勒诺布尔公司
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造图像传感器的方法。该方法包括：在半导体晶片(10)的前面上形成一系列有源区，这些有源区包括若干个图像检测电路，每个图像检测电路对应于相应的图像传感器，每个有源区由若干个输入/输出焊盘(22)环绕；传递该晶片，以其前面贴着支撑衬底(20)的前面；除去该半导体晶片的厚度的主要部分，在该衬底上留下已变薄的半导体薄膜。此外该方法包括：在变薄的半导体晶片上沉积若干滤色片层(18)并进行蚀刻；在传递该半导体晶片到该衬底之前，在该晶片的前面上形成若干个镀金属的孔(25)，并使其延伸而比在该半导体晶片表面上形成的图像检测电路之元件更深，该变薄步骤包括从后面除去镀金属孔的镀金属(22)。
具有变薄挖空接触彩色图像传感器制造方法

[发明专利]位于透明基片上的彩色图像传感器及其制造方法-CN02817042.3无效
发明人：路易·布里索;埃里克·普尔基耶 -专利权人： ATMEL格勒诺布尔公司
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种可以应用于微型摄像机中的彩色传感器及其相应的制造方法。该图像传感器包括透明基片(40)、在透明基片(40)的上部依次叠加有彩色滤光片(18)的镶嵌面，包括光敏区的非常薄的单晶半导层(30)，以及限定有图像检测电路的层叠的传导层(14)和绝缘层(16)，电路能通过透明基片由光照射光敏区产生电荷的集合。其制造方法包括：在硅片上产生光敏电路，将硅片传送给到临时基片上，将硅片薄化至大约3－30微米的厚度，在余下的硅片层表面上沉积彩色滤光片，将该结构传送给永久透明基片，然后去除临时基片。
位于透明基片上彩色图像传感器及其制造方法

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