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[发明专利]半导体纳米晶体及其制备方法-CN201811016576.1有效
发明人：张孟;李霞;张超 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体纳米晶体的制备方法，包括：提供至少包含第一阳离子前驱体、第二阳离子前驱体的阳离子前驱体溶液；提供至少包含阴离子前驱体的阴离子前驱体溶液；将所述阳离子前驱体溶液与所述阴离子前驱体溶液混合反应，获得半导体纳米晶体。较之现有技术，本发明公开的半导体纳米晶体的制备方法，摆脱了斯托克斯位移小的缺陷，有效提升了半导体纳米晶体的效率并减少了能耗；同时简化了制备步骤，仅通过一次投料的单个过程即可获得目标半导体纳米晶体，促进了工业化的进展。
半导体纳米晶体及其制备方法

[发明专利]光致发光薄膜及其制备方法与应用-CN201811179235.6有效
发明人：张孟;周群刚;汪红;王明元;郑然 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司;苏州市中心血站
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开一种光致发光薄膜及其制备方法与应用，光致发光薄膜的制备方法包括：至少使一种以上量子点、光引发剂、光散射粒子及树脂混合，在避光条件下固化，制得光致发光薄膜。本发明通过将自由基引发剂引入量子点薄膜中，制得光致发光薄膜。利用自由基引发剂经过光照射分解形成的自由基来破坏混合量子点，使得其中单一量子点破坏来实现光色转变，通过控制量子点合成工艺来实现量子点稳定性差异从而实现定量化控制光致发光薄膜的色彩，从而实现间接定量光照能量。通过光源在不同强度、不同距离下照射光致发光薄膜，实现光致发光薄膜缓慢变色，从而实现定量化控制光照能量。
光致发光薄膜及其制备方法应用

[发明专利]电致发光器件及其制备方法-CN201811540228.4有效
发明人：张孟;李霞 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种电致发光器件的制备方法，包括：通过雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，其中，制备空穴传输层具体包括：将空穴传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；制备量子点发光层具体包括：将量子点墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；制备电子传输层具体包括：将电子传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜。本发明的电致发光器件的制备方法，利用雾化沉积方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，与掩模版相配合来实现空穴传输层、量子点发光层及电子传输层的像素化，实现高像素显示，像素可达1000PPI。
电致发光器件及其制备方法

[发明专利]电子传输层、其制备方法及半导体光电器件-CN201810787238.1有效
发明人：陈雨 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种电子传输层，所述电子传输层的材质包括n型半导体材料，所述n型半导体材料为掺杂高价态金属元素的钙钛矿材料，所述高价态金属元素的价态为+3价以上。所述电子传输层的制备方法包括：将M1X、M2X及有机溶剂混合反应得到混合反应液；形成薄膜层；一次退火处理；薄膜层置入含AX的有机溶液，经清洗、二次退火处理，形成电子传输层。本发明还公开一种半导体光电器件，所述半导体光电器件包括电子传输层。本发明另公开一种半导体光电器件的制备方法，包括制备电子传输层的步骤，并公开一种量子点发光二极管器件的制作方法，包括制备第一电极、电子传输层、空穴阻挡层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及第二电极的步骤。
电子传输制备方法半导体光电器件

[实用新型]量子点生产用荧光特性实时监测装置-CN201921982651.X有效
发明人：张孟;段永杰;雷双全 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种量子点生产用荧光特性实时监测装置，涉及化工生产领域，其技术方案要点是：包括用于激发目标监测物料产生荧光的激发光源、用于获取荧光的光学感应装置、连接于光学感应装置的输出端的光学测试装置以及电信号连接于光学测试装置输出端的监测终端。本实用新型的量子点生产用荧光特性实时监测装置，其可用于对量子点的荧光特性做实时监测，以便工作人员对量子点加工参数调整，提高量子点质量。
量子生产荧光特性实时监测装置

[发明专利]异质结结构量子点及其合成方法与应用-CN201811016494.7有效
发明人：张超;李霞;张孟 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结结构量子点的合成方法，包括：提供第一导电类型的第一量子点；在所述第一量子点表面形成第二导电类型的第二纳米粒子，并使所述第二纳米粒子与第一量子点配合形成异质结。本发明还公开了一种量子点发光二极管器件及其制作方法，包括制作第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤。较之现有技术，本发明运用纳米粒子与量子点配合形成异质结结构，提高量子点层与空穴传输层的匹配度和空穴量，从而提高QLED器件的空穴传输和空穴数量，提高电子与空穴的复合率，改善电子与空穴的注入平衡，使得QDs层与空穴传输层有着更好的结合，解决QLED器件问题。
异质结结构量子及其合成方法应用

[发明专利]空穴传输层、其制备方法及半导体光电器件-CN201810787349.2有效
发明人：陈雨 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种空穴传输层，所述空穴传输层的材质包括P型半导体材料，所述p型半导体材料为掺杂低价态金属元素的钙钛矿材料，所述低价态金属元素的价态为+1价。所述空穴传输层的制备方法包括：将M1X2、M2X及有机溶剂混合反应得到混合反应液；形成薄膜层；一次退火处理；薄膜层置入含AX的有机溶液，经清洗、二次退火处理，形成空穴传输层。本发明还公开了一种半导体光电器件，所述半导体光电器件包括空穴传输层。本发明另公开了一种半导体光电器件的制备方法，包括制备空穴传输层的步骤，并公开一种量子点发光二极管器件的制作方法，包括制备第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤。
空穴传输制备方法半导体光电器件

[实用新型]量子点制备用加料装置-CN201921319924.2有效
发明人：雷双全;段永杰 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种量子点制备用加料装置，特别涉及量子点制备技术领域，包括筒体、塞体及驱动器；筒体设有腔室及与腔室连通的出料口；塞体可滑动地安装于腔室内，塞体与腔室的内壁密封配合，塞体与腔室的内壁围成与出料口连通的储料室；驱动器用于驱动塞体滑动以改变储料室的容积；使用时，先将原料灌装于筒体内，再利用出料口将反应釜与储料室连通，最后启动驱动器，驱动器驱动塞体相对腔室滑动，滑动的塞体使储料室的容积减小，储料室内的原料通过出料口进入反应釜中。本实用新型能够在保证量子点生产品质的同时解决原料残余问题。
量子制备加料装置

[实用新型]正压存储装置-CN201921338635.7有效
发明人：段永杰;雷双全 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2019-08-17 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B65D88/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种正压存储装置，涉及正负压生产领域，旨在解决一些易受空气中水氧或其他成分影响而改变形状甚至其他诸如自燃等剧烈反应的物料储存问题，其技术方案要点是：包括容器，所述容器设有内腔，所述内腔连通有抽气装置、充气装置以及进出料机构，所述容器固定连接有用于检测内腔中压力的压力感应机构。本实用新型的正压存储装置，其可相对安全可靠的对物料存储且其取用相对更为方便。
正压存储装置

[实用新型]发光标签-CN201921565511.2有效
发明人：席玉坤;张孟;华艺存 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光标签，其包括发光源、反光膜以及设置在所述反光膜上的导光膜组，所述导光膜组包括柔性导光膜和设置在所述柔性导光膜正面的荧光标签，所述发光源设置在所述柔性导光膜的背面与反光膜之间。本实用新型提供的发光标签采用柔性导光膜代替现有技术中的注塑导光板，使得该发光标签能应用于不同形状的包装产品上，提高了标签的适用性；同时相比导光板，柔性导光膜更加轻薄，且导光性能更好，可以降低发光标签的厚度、提高出光强度。
发光标签

[发明专利]量子点合成方案调控方法及其光学特性采样子系统-CN201911119747.8在审
发明人：张孟;雷双全;段永杰 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点合成方案调控方法及其光学特性采样子系统，涉及化工生产加工领域，其技术方案要点是：步骤一、构建光学特性采样子系统，其包括激发光源、光学感应装置、光学测试装置以及监测终端；步骤二、获取量子点合成调整工艺；步骤三、构建实时控制系统，其包括S32、设置生产总控终端，将生产总控终端和改造后的量子点合成设备的控制器或执行器连接，将生产总控终端和监测终端连接；S33、在生产总控终端预设基于调整工艺的自调控软体；步骤四、应用生产，其包括监测终端反馈监测数据到生产总控终端，生产总控终端根据监测数据控制量子点合成设备修正加工参数。本发明可提高加工出的量子点的质量。
量子合成方案调控方法及其光学特性采样子系统

[发明专利]电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法-CN201810622589.7有效
发明人：雷双全;蒋秀琴 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法。所述电子传输层的制作方法包括：在保护性气氛中，使包含锌源、甲基金属化合物、硅醇化合物和溶剂的均匀混合反应体系反应，得到Zn
电子传输层纳米粒子发光二极管器件甲基金属化合物量子点前驱体制作金属元素掺杂器件制作过程硅醇化合物金属元素退火处理退火过程直接形成制作工艺电极溶剂锌源施加

[实用新型]化工生产用进料装置-CN201821454080.8有效
发明人：张孟;李霞;张超 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化工生产用进料装置，涉及化工生产加工设备，旨在解决现有的化工生产时添加原料的方式，存在一定安全隐患，且添加效果不佳的问题，其技术方案要点是：包括进料机构，所述进料机构包括进料管道以及推送件，所述进料管道开设有端部呈开口结构的原料通道，所述原料通道的出料口朝下，所述推送件滑移连接于原料通道，所述推送件上设置有料槽，所述料槽朝向原料通道内壁的侧面呈开口结构，所述料槽朝向的原料通道出料口的底面设置有用于引导原料脱离料槽的倾斜面，所述倾斜面朝上，且朝向料槽外侧。本实用新型的化工生产用进料装置，可以更好的在化工生产时向反应体系中添加原料，改善原料添加效果，且使用方便。
化工生产原料通道料槽进料装置推送件本实用新型进料管道进料机构开口结构出料口倾斜面化工生产加工技术方案要点安全隐患滑移连接原料添加朝上底面内壁侧面脱离

[发明专利]量子点发光层原料制备方法以及应用该方法的发光器件-CN201811033600.2在审
发明人：张孟;李霞;张超 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点发光层原料制备方法以及应用该方法的发光器件，旨在解决现有的QLED器件中载流子注入不平衡等影响器件光电效应的问题，其技术方案要点是：包括：一，选择量子点的核，所述核包括II‑V族化合物半导体、III‑V族化合物半导体、IV‑VI族化合物半导体中的一种或多种；二，确定需要生成的量子点的壳，所述壳包括ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdZnS、CdZnSe、CdZnSeS中的一种或几种；三，配置量子点及纳米颗粒一锅合成法，根据步骤一选择的核、步骤二确定的壳，按照量子点及纳米颗粒一锅合成法制备出量子点发光层原料。本发明的量子点发光层原料制备方法以及应用该方法的发光器件，可以改善QLED器件载流子注入不平衡、漏电流高的问题，以加强光电效应。
量子点发光层发光器件原料制备载流子一锅合成法光电效应纳米颗粒半导体化合物半导体技术方案要点应用影响器件漏电流制备配置

[实用新型]量子点彩色滤光片的制作系统及掩模板-CN201821284597.7有效
发明人：汪红 -专利权人： 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开一种应用于制备量子点彩色滤光片的掩模板，包括掩模板基体，所述基体上间隔分布有复数个沉积孔，每一沉积孔与至少一像素坑对应设置，其中至少两个相邻沉积孔之间为遮挡部，所述遮挡部具有凸起结构，凸起结构能够将沉积到遮挡部上的量子点墨水引流至相邻沉积孔内。本实用新型还公开一种量子点彩色滤光片的制作系统，包括雾化模块和掩模板，雾化模块其至少用于对量子点墨水进行雾化处理，并且雾化模块的雾化物输出方向朝向所述掩模板，掩模板掩盖在基板上，基板上分布有复数个像素坑。相较于现有技术，本实用新型利用量子点墨水实现像素化制作，利用量子点墨水雾化沉积，与掩模板配合实现QDCF像素化，像素高达1000PPI。
量子点掩模板沉积本实用新型彩色滤光片雾化模块像素墨水遮挡凸起结构制作系统像素化复数基板引流间隔分布输出方向雾化处理水雾化雾化物制备掩盖制作配合应用

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