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[发明专利]一种对射频离子源线圈耦合效率的估算优化方法-CN202311094153.2在审
发明人：张洪国;夏益伟;唐继远;徐冉;王旭敏 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种对射频离子源线圈耦合效率的估算优化方法，包括使用等离子变压器模型，其优化步骤如下：确定线圈几何形状和放电室几何形状，确定相关参数和确定射频频率；计算出线圈电感值和电阻值；计算出品质因子Q，计算出射频离子源最大功率转换效率；判断射频离子源最大功率转换效率是否满足设计要求；若满足要求，则输出线圈及放电室几何形状和相关参数值并进行下一步的仿真设计；若不满足设计要求，则对线圈的几何形状及参数进行优化，重复上述步骤对射频离子源最大功率转换效率再计算，直至满足设计要求。本发明的有益效果是：通过对射频离子源最大功率转换效率的计算，判断是否满足设计要求，实现对射频离子源线圈耦合效率的估算优化。
一种射频离子源线圈耦合效率估算优化方法

[发明专利]一种射频离子源放电室内气体电离临界条件的计算方法-CN202311094179.7在审
发明人：张洪国;夏益伟;张浩宇;周同亮;唐继远;王旭敏 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F17/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频离子源放电室内气体电离临界条件的计算方法，包括如下步骤：确定线圈几何形状及其相关参数，确定射频频率，确定放电室内的压强值p，计算出线圈内均匀磁场#imgabs0#和磁通#imgabs1#，计算出电动势V的值，确定线圈内在#imgabs2#的方向上的感应电场#imgabs3#，建立放电室内气体电离临界条件的模型#imgabs4#，计算出线圈中通入直流电流#imgabs5#的临界范围，判断临界范围的最小值是否满足#imgabs6#，如不满足则重复上述步骤，直至临界范围的最小值满足要求。本发明的有益效果是：解决了射频离子源设计与运行过程中放电室内气体电离临界条件不可知的问题，实现对线圈的几何形状及相关参数的不断优化，实现指导射频离子源的设计。
一种射频离子源放电室内气体电离临界条件计算方法

[发明专利]离子发生装置及粒子移除方法-CN202311093023.7在审
发明人：张洪国;唐继远;张浩宇;周同亮;汤晨宇 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子发生装置及粒子移除方法，所述离子发生装置包括：本体，其内设有收容腔，所述收容腔用于收容衬底；离子源，收容于所述收容腔中，并与所述衬底相对设置；第一栅网和第二栅网，相互连接；栅网驱动机构，连接并驱动所述第一栅网和第二栅网在第一方向上运动，以使所述第一栅网和第二栅网中的任意一个遮掩于所述离子源和衬底之间；离子源驱动机构，连接并驱动所述离子源在第二方向上运动，以使所述离子源靠近或远离所述衬底；所述第一栅网上的图案与所述第二栅网上的图案互补；所述粒子移除方法采用了上述的离子发生装置。本发明解决了半导体制程中对于材料的定向移除的精度不高的问题。
离子发生装置粒子方法

[发明专利]固态前驱体源升华装置-CN202310384764.4有效
发明人：张洪国;夏益伟;郎陈子航;刘磊;唐继远;王旭敏 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态前驱体源升华装置，包括固态源瓶主体，固态源瓶主体顶部的上盖板上设置有填料管以及进气管、出气管，出气管的下端终止于上盖板的下端面，其上端通过管路连通薄膜沉积腔体，管路上包裹有加热套；固态源瓶主体内设置有铜衬套，铜衬套卡接密封在上盖板与固态源瓶主体的底壁之间，固态源瓶主体内设置有缠绕在铜衬套外部的加热线圈；铜衬套内的中部设置有丝网过滤垫；铜衬套的底部设置有粉末防漏垫、气体分流板，填料管的下端穿过丝网过滤垫、终止于粉末防漏垫上方；气体分流板下端面设置有气道以及多个与气道连通的出气孔，进气管下端与气道连通。本发明能够更好的有助于固态源的升华，提高了固态源的使用效率。
固态前驱升华装置

[发明专利]一种射频离子源实现阻抗匹配网络设计的优化方法-CN202310623759.4在审
发明人：张洪国;夏益伟;周同亮;唐继远;张浩宇;徐冉;汤晨宇 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频离子源实现阻抗匹配网络设计的优化方法，包括给两个真空电容器分别设定一个初始电容值；测量输入阻抗的值并且确定其实部和虚部的值；求出射频离子源等效阻抗实部、虚部及阻抗的值；求出两个真空电容器相对应的实际电容值，按照所求的实际电容值反过来调节相对应的两个真空电容器的电容值，求出射频离子源实际的等效阻抗实部、虚部以及阻抗的值；判断阻抗匹配网络是否匹配成功；若阻抗匹配网络匹配成功，则输出实际电容值及等效阻抗的值；若匹配不成功，将求出的实际电容值作为初始电容值，然后重复上述步骤。本发明的有益效果是：实现对阻抗匹配网络匹配的判断，实现对阻抗匹配网络设计的优化，解决功率损耗较大的问题。
一种射频离子源实现阻抗匹配网络设计优化方法

[发明专利]V型槽的径向密封结构-CN202310390185.0在审
发明人：张洪国;夏益伟;周同亮;唐继远;刘磊 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： F16J15/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种V型槽的径向密封结构，包括第一压环，第一压环的下端面具有压环斜面；第二压环，第二压环的内壁上设置有斜面台阶，形成第一内壁、第二内壁，第一内壁的口径大于第二内壁的口径，第一压环装配于第一内壁上，斜面台阶与压环斜面之间留有间隙；轴密封环，轴密封环位于间隙内，轴密封环的上、下端面分别设置有上斜面、下斜面，上斜面与压环斜面、下斜面与斜面台阶均形成V型槽；两根密封圈，两根密封圈位于分别位于两圈V型槽内；进气筒，进气筒的外壁与第一压环、第二压环装配连接，进气筒的外壁迫使两根密封圈分别向V型槽挤压，并挤压固定轴密封环。该径向密封结构有利于密封圈的压缩、使得密封效果更好、便于安装和拆卸。
径向密封结构

[实用新型]一种等离子体发生装置-CN202320166414.6有效
发明人：张洪国;唐继远;刘磊;周同亮;夏益伟 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种等离子体发生装置，包括外筒和气体扩散桶，外筒和气体扩散桶通过CF法兰密封连通，外筒上安装有等离子发生器，外筒底部通过螺栓固定有石英筒固定板，外筒内密封设有用于传输等离子气体的石英筒，外筒顶部设有用于通入等离子气体、且与所示石英筒连通的第一通孔，石英筒外侧设有沿竖直方向上位移的射频线圈，射频线圈与等离子发生器电性连接，气体扩散桶包括上气体扩散桶和下气体扩散桶，上气体扩散桶外侧分别连通有第二通孔、第三通孔和第四通孔，射频线圈可以进行手动上下调整，从而更加具体精确的控制等离子体到基片的高度，达到更好的刻蚀及沉积效果。
一种等离子体发生装置

[实用新型]原子层刻蚀机-CN202320041868.0有效
发明人：张洪国;刘磊;唐继远 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本实用新型的实施例公开了一种原子层刻蚀机，包括：腔室；离子源装置，用于在腔室内的整个区域中形成离子束；以及设置在腔室内并用于承载衬底的承载平台；其中，离子源装置包括：射频离子源；以及多级栅网，设置在腔室内，多级栅网设置有相对的输入端和输出端，输入端对准射频离子源，输出端对准承载平台的衬底。根据本实用新型，实现离子束的精准调控。
原子刻蚀

[实用新型]一种原子层沉积反应装置-CN202222267111.1有效
发明人：刘磊;唐继远;张洪国 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型的实施例公开了一种原子层沉积反应装置，应用于粉末镀膜，其包括：反应罐体，其内部中空以形成一反应腔体；以及旋转驱动组件，其布置于所述反应罐体的外周，且所述旋转驱动组件与所述反应罐体传动连接；其中，所述反应腔体包括依次连通的第一反应室及第二反应室，所述第一反应室与所述第二反应室内均设置有吹料件，所述吹料件的表面开设有至少两个吹料孔，所述吹料孔的一端与所述第一反应室或第二反应室相连通，所述吹料孔的另一端与外部的气源设备相连通。根据本实用新型，其使得待镀膜的粉末在每个反应室内均处于悬浮状态，进而使得前驱体与粉末表面能够充分接触，保证原子层沉积反应的充分进行，提升了粉末表面镀膜的包覆效果。
一种原子沉积反应装置

[实用新型]一种原子层刻蚀装置-CN202222675490.8有效
发明人： 唐继远;刘磊;杨磊;张洪国 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型的实施例公开了一种原子层刻蚀装置，其包括：反应腔体，其内部中空以形成一反应腔室，所述反应腔体具有轴向及围绕所述轴向的周向；加热盘，其设置于所述反应腔室内；以及承载盘，其安装于所述加热盘上；其中，所述反应腔体内具有沿周向布置的内壁，所述反应腔室内还设置有衬板，所述衬板与所述反应腔体的内壁相抵接，所述衬板的表面设置有经阳极氧化等特殊处理形成的涂层。本实用新型，其通过在反应腔体的反应腔室内设置衬板，同时对衬板的表面进行阳极氧化等特殊处理以形成涂层，从而在反应腔室内进行刻蚀反应时，衬板表面的涂层对腐蚀性气体进行防护，还可以直接更换衬板，从而有效延长腔体的使用寿命，保证了刻蚀装置的刻蚀品质。
一种原子刻蚀装置

[实用新型]远程控制装置-CN202222943687.5有效
发明人：汤晨宇;刘磊;唐继远;张洪国 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G05B19/05 文献下载
摘要：本实用新型的实施例公开了一种远程控制装置，包括采集组件，采集组件包括温控结构和气控结构，温控结构和气控结构用于电连接原子层沉积设备；前端组件、数据处理组件和终端组件，前端组件与温控结构电连接，前端组件通过数据处理组件与气控结构电连接，前端组件和终端组件电连接。根据本实用新型，实现远程控制原子层沉积设备。
远程控制装置

[实用新型]原子层沉积或刻蚀装置-CN202222383055.8有效
发明人：刘磊;唐继远;张洪国 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种原子层沉积或刻蚀装置，通过在容纳空间内设置至少两喷射单元，至少两喷射单元被布置成沿容纳空间的长度方向前进或者后退，而且一喷射单元被布置成在沿长度方向前进的过程中喷射第一反应气体，另一喷射单元被布置成在沿长度方向后退的过程中喷射第二反应气体，从而完成对基片表面的一次原子层沉积或一次原子层刻蚀，第一反应气体和第二反应气体分开喷射，避免交叉污染，两喷射单元沿长度方向往复运行一次，即可完成一次原子层沉积或一次原子层刻蚀，有效提升沉积或可是效率和产能。
原子沉积刻蚀装置

[发明专利]原子层刻蚀反应装置及刻蚀方法-CN202211208673.7在审
发明人：刘磊;唐继远;张洪国 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种原子层刻蚀反应装置，其中原子层刻蚀反应装置包括：真空机构，真空机构为原子层刻蚀反应提供场所；离子源，与真空机构相连通，离子源用于在真空机构内部产生离子场，形成一定的离子束流分布；平台总成，平台总成设置在真空机构内部并用于承载基片；其中，在平台总成的带动下，基片在离子场中按照预设路径变换位置以按预设图案被刻蚀。根据本发明，以精准调控基片表面离子或中性粒子的能量，实现基片的原子层刻蚀。本发明还公开了一种刻蚀方法。
原子刻蚀反应装置方法

[发明专利]原子层刻蚀装置及刻蚀方法-CN202211081424.6有效
发明人：张洪国;刘磊;唐继远 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种原子层刻蚀装置及刻蚀方法，通过设置刻蚀空间，在刻蚀空间内设置环形穿梭路径，穿梭盘沿穿梭路径循环往复运行，每条穿梭路径上布置有偶数个内反应腔，穿梭盘在传动机构的驱动下依次穿过相应穿梭路径上的所有内反应腔，使得每个穿梭盘每转过一周其上承载的待刻蚀基片承受至少一次原子层刻蚀，控制穿梭盘沿穿梭路径运行的速度、圈数，就能在待刻蚀基片表面得到一定的刻蚀深度，控制穿梭盘的数量，就可以控制单位时间刻蚀的基片的数量，提升刻蚀速率和产能，而且，在两间隔设置的内反应腔之间的吹扫路径的上方设置吹扫件，对在吹扫路径上运行的基片进行吹扫，提高吹扫的效率，加快刻蚀的速率。
原子刻蚀装置方法

[发明专利]用于原子层刻蚀设备的连接端子及接线方式-CN202211204059.3在审
发明人：汤晨宇;刘磊;唐继远;张洪国 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种用于原子层刻蚀设备的连接端子，其中用于原子层刻蚀设备的连接端子包括：主体部，主体部上开设有直线通道，直线通道的其中一端可设置固定结构，另一端则设为压接区，一个真空电极能安装至固定结构，一个电线能安装至压接区，一个真空电极与一个电线成功对接；耐高温绝缘部，耐高温绝缘部设置于主体部的外表面。根据本发明，实现真空电极与电线连接，保护真空电极，消除安全隐患。本发明还公开了一种接线方式。
用于原子刻蚀设备连接端子接线方式

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