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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种晶体管外延结构及防止晶体管TGV刻蚀过度的方法-CN202310868663.4在审
发明人：张雪;冯猛;周韧林;杨焕荣;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管外延结构及防止晶体管TGV刻蚀过度的方法，晶体管外延结构包括：依次设置的硅衬底、隔离薄膜、外延层、以及贯穿所述外延层和所述隔离薄膜的玻璃通孔，所述玻璃通孔通过TGV刻蚀得到，所述TGV刻蚀采用当刻蚀至所述隔离薄膜时，将剩余刻蚀时间缩短至预设的薄膜刻蚀时间的方式进行，所述薄膜刻蚀时间为依据隔离薄膜的刻蚀速率得到的时间。本发明中的晶体管外延结构能够较好地避免晶体管TGV刻蚀过度或过量，使得硅衬底表面台面高低基本一致，降低器件间电流泄露的可能性。
一种晶体管外延结构防止 tgv 刻蚀过度方法

[发明专利]晶圆及晶圆的制备方法-CN202310869048.5在审
发明人： 周韧林;杨焕荣;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆及晶圆的制备方法，属于半导体技术领域，包括：在衬底上向上外延沉积有至少一氮化铝层、至少一氮化铝镓层和至少一氮化镓层；在沉积至少一层氮化铝镓层时，控制氮化铝镓层中氮化铝的占比，以使得晶圆的翘曲度的绝对值小于预设值。本发明通过控制氮化铝镓层中的氮化铝的占比，以控制在降温处理过程中产生的张应力，进而降低晶圆的翘曲度，降低后续加工工艺的复杂度，可有效克服翘曲度过高导致晶圆生成裂纹甚至破片的问题。
制备方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件-CN202310828871.1在审
发明人： 周韧林;杨焕荣;张雪;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件的制造方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上形成外延层；在外延层上形成第一掩膜层，第一掩膜层中镂空设置有凹陷区域；在无H原子的环境下，在第一掩膜层上覆盖p型氮化物层；p型氮化物层与外延层接触形成栅极；去除位于第一掩膜层非凹陷区域上部的p型氮化物层以及第一掩膜层。通过上述方式，降低了p型氮化物层的氢元素含量，提高p型氮化物层的空穴浓度和迁移率，且无需采用刻蚀工艺即可制备栅极，避免出现刻蚀损伤，提高了半导体器件的性能。
半导体器件制造方法

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