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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置和半导体装置的操作方法-CN201910826428.4有效
发明人： 周瀚洙;徐智贤;李熙烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：半导体装置和半导体装置的操作方法，该半导体装置包括：存储器串，所述存储器串联接在公共源极线和位线之间；以及外围电路，所述外围电路通过多条字线和虚设字线联接到所述存储器串，并且被配置为在执行读取操作之前设置所述字线和所述虚设字线的偏置，其中，所述外围电路在将所述第一通过电压施加到所述字线的同时将比第一通过电压低的初始电压施加到所述虚设字线，并且将所述第一通过电压和所述初始电压增加到第二通过电压以设置所述字线和所述虚设字线的偏置。
半导体装置操作方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的操作方法-CN201910961509.5有效
发明人：徐智贤;朴凤烈;李熙烈;周瀚洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：半导体装置及半导体装置的操作方法。一种存储器装置包括各自具有多个存储器单元的串。串联接在公共源极线和位线之间。一种操作半导体装置的方法包括将预编程电压施加到与被选存储器单元联接的被选字线以及与多个存储器单元当中的与被选存储器单元相邻的未选存储器单元联接的未选字线。该方法还包括将第一编程电压施加到被选字线。
半导体装置操作方法

[发明专利]半导体装置及其操作方法-CN201910738386.9有效
发明人： 周瀚洙;朴凤烈;徐智贤;李熙烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：半导体装置及其操作方法。一种半导体装置包括存储器串，该存储器串包括多个存储器单元并且联接在源线和位线之间。一种用于操作半导体装置的方法可以包括以下步骤：对存储器串的沟道区域中的第一沟道区域进行升压，其中，沟道区域包括位于被选存储器单元的一侧的第一沟道区域和位于被选存储器单元的另一侧的第二沟道区域；将预编程偏压施加到被选存储器单元的栅极，以使电子注入到被选存储器单元的空间区域中；以及将编程偏压施加到所述栅极。
半导体装置及其操作方法

[发明专利]存储器设备和操作该存储器设备的方法-CN202210819645.2在审
发明人： 周瀚洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法。根据本公开的一个实施例，存储器设备包括：被配置为执行包括多个编程循环的编程操作的外围电路；以及控制逻辑，被配置为在编程操作的多个循环中的一些循环中，控制外围电路向被选择的字线施加编程电压，向与被选择的字线相邻的相邻字线施加第一通过电压，并且然后在预定时间点处向相邻字线施加第二通过电压，其中第二通过电压与第一通过电压相比具有不同的幅度，并且控制逻辑被配置为在编程操作的多个循环中的其余循环中，控制外围电路从被选择的循环，在与预定时间点不同的时间点处向相邻字线施加第二通过电压。
存储器设备操作方法

[发明专利]半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法-CN202010823760.8在审
发明人：赵诚勋;沈载星;周瀚洙;蔡熙昶;崔世卿 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本文可以提供一种半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置可包括：存储块，其包括上页、中央页和下页；外围电路，其被配置为对存储块执行读操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路执行读操作，并且控制外围电路使得在读操作期间，基于所述多个页当中的所选页的位置，要施加到在第一方向上与所选页相邻设置的第一相邻页的通过电压不同于要施加到在第二方向上与所选页相邻设置的第二相邻页的通过电压。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]半导体存储器件及其操作方法-CN201310039701.1有效
发明人： 周瀚洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体存储器件及其操作方法。所述半导体存储器件包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括耦接在位线与公共源极线之间的单元串，每个单元串包括层叠在衬底之上的多个存储器单元。所述半导体存储器件还包括外围电路，所述外围电路被配置成将负电压供应给与单元串耦接的一个或更多个字线，并且将正电压供应给公共源极线，其中，在执行编程操作之前，外围电路供应正电压和负电压。
半导体存储器件及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201210560867.3无效
发明人：崔相武;周瀚洙;朴丙洙;吴尚炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种可以利用栅致漏极泄漏（GIDL）电流在擦除操作期间提高擦除操作效率的三维非易失性存储器件以及制造所述三维非易失性存储器件的方法。所述非易失性存储器件包括：沟道结构，所述沟道结构形成在衬底之上，衬底包括交替地层叠的多个层间电介质层和多个沟道层；以及布置在沟道结构的第一侧和第二侧的第一选择栅和第二选择栅，其中第一选择栅和第二选择栅分别与多个沟道层的侧壁接触，其中，形成第一选择栅的材料的功函数与形成第二选择栅的材料的功函数不同。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201210022325.0无效
发明人： 周瀚洙;朴梄珍 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器件，包括：栅结构，所述栅结构包括在衬底之上与控制栅层交替地层叠的第一绝缘层，其中，所述栅结构沿着第一方向延伸；沟道线，所述沟道线每个都沿着不同于第一方向的第二方向在栅结构之上延伸；存储层，所述存储层被形成在栅结构与沟道线之间，并被设置成通过将栅结构与沟道线电绝缘来俘获电荷；位线接触，所述位线接触形成行并与沟道线的顶表面接触，每行沿着第一方向延伸；源极线，所述源极线每个都沿着第一方向延伸并与沟道线的顶表面接触，其中，源极线与位线接触的行交替；以及位线，所述位线每个都形成在位线接触之上并沿着第二方向延伸。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]制造3D非易失性存储器件的方法-CN201110140015.4有效
发明人： 周瀚洙;朴梄珍;吴尚炫 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种制造3D非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成次沟道；在衬底之上形成叠层，所述叠层包括与导电层交替层叠的多个层间电介质层；选择性地刻蚀叠层以形成暴露出次沟道的第一开放区；形成主沟道导电层以间隙填充第一开放区；选择性地刻蚀叠层和主沟道导电层以形成限定出多个主沟道的第二开放区；以及形成隔离层以间隙填充第二开放区。
制造非易失性存储器方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201110325261.7在审
发明人： 周瀚洙;李东基;吴尚炫 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法。所述方法包括以下步骤：在衬底之上形成沟道连接层和包围沟道连接层的隔离层；在沟道连接层和隔离层之上形成具有与栅电极层交替层叠的层间电介质层的层叠结构；以及形成贯穿层叠结构与沟道连接层连接的一对沟道以及插入在沟道与层叠结构之间的存储层。
非易失性存储器及其制造方法

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