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- [发明专利]一种带隙基准电路-CN201610446721.4有效
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周泽坤;马亚东;卢璐;石跃;张波
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电子科技大学
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2016-06-20
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2017-05-03
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G05F1/56
- 本发明属于模拟集成电路技术领域,涉及一种带隙基准电路。本发明中运算放大器的输入对管采用三极管,将输入对管的失调电压设计成PTAT电压,通过电压‑电流变换器,将PTAT失调电压转换成PTAT电流。由失调电压VOS产生的PTAT电流流过二极管连接的三极管和串联电阻,通过设计串联电阻的阻值使得输出电压为一个与温度无关的基准电压。本发明的有益效果为,利用运算放大器输入对管的失调电压产生PTAT电流,实现三极管复用的带隙基准源架构,降低了基准源的功耗。
- 一种基准电路
- [发明专利]一种低压CMOS基准源-CN201510712883.3有效
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周泽坤;马亚东;艾鑫;石跃;王卓;张波
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电子科技大学
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2015-10-28
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2017-02-15
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G05F1/56
- 本发明属于模拟电路技术领域,具体的说涉及一种低压CMOS基准源。本发明的电路主要包括启动电路、正温电流产生电路和电压叠加电路,其中,第五PMOS管MP5、第五NMOS管MN5和电容C构成启动电路;第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第四PMOS管MP4、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4构成正温电流产生电路;第三PMOS管MP3、第八PMOS管MP8构成电压叠加电路,主要原理为。本发明的有益效果为,电路结构简单,可以通过很少的器件实现;相对于传统基准电路而言,本发明不包含三极管和电阻,完全通过MOS器件实现,这极大的较低了电路面积;同时,MOS基准电路可以在更低的电压和电流下工作,从而极大降低了电路功耗。
- 一种低压cmos基准
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