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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种密码狗防护结构-CN202321259182.5有效
发明人：浦湘凯;周孝邦;何义斌;王彬;郭凯;陈泽华;马景尧 -专利权人：中建材环保研究院（江苏）有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F21/85 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种密码狗防护结构，包括套箍、防护罩和锁鼻，套箍呈方型结构，在套箍两侧板内壁上对应黏贴有两橡胶垫，在套箍前板上还开设有与主机上USB孔对应的多个插入孔；防护罩用于罩住插入孔，一端与套箍前板外壁一侧铰接，另一端安装有锁叶；锁鼻安装在套箍前端外壁另一侧；锁叶与锁鼻扣合后，用挂锁锁定。本实用新型通过防护罩对插入主机上的密码狗进行防护，并通过挂锁锁定，能够防止人员误拔密码狗，继而保证了系统的正常调试或运行以及单位财产安全。
一种密码防护结构

[发明专利]一种水泥窑烟气SCR脱硝装置-CN202310950105.2在审
发明人：浦湘凯;朱建;王彬;刘松;刘炜;周孝邦;郑美玲;马景尧;孟令坤 -专利权人：中建材环保研究院（江苏）有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B01D53/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种水泥窑烟气SCR脱硝装置，包括安装在烟氨混合管道进气端的多个喷氨管道，多个所述喷氨管道环绕烟氨混合管道的轴心均匀分布，且位于烟氨混合管道内的喷氨管道朝向烟氨混合管道侧壁延伸，喷氨管道末端喷嘴水平设置；每个喷氨管道均与烟氨混合管道进气端端部转动并密封连接，并在位于烟氨混合管道外的喷氨管道外周体上均安装有外齿轮，在烟氨混合管道外端轴心处安装有往复电机，所述往复电机的执行端安装有与所述外齿轮相互啮合的主动齿轮；通过往复电机带动多个喷氨管道转动，以使氨能够与烟气更充分接触，促进了管道内烟气反应的均匀性，提高了脱硝效率。
一种水泥烟气 scr 装置

[发明专利]具有外延层的半导体结构及其制作方法-CN201811517688.5有效
发明人： 周孝邦;刘鸿辉;卢明昌;林进富;童宇诚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有外延层的半导体结构及其制作方法，该具有外延层的半导体结构包含一基底、一阻挡层位于该基底上、多个凹槽形成在该基底中，其中该凹槽沿着该基底的111晶面分布、以及一外延层，位于该阻挡层上，其中该外延层具有形成在每个该凹槽中的埋入部位以及形成在该阻挡层上的表面部位。
具有外延半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201710953109.0有效
发明人：刘志建;谢朝景;杨玉如;周孝邦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一基底，该基底中包含有一扩散区，一晶体管结构，位于该基底上，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)位于该基底上，其中该电阻式随机存取存储器包含有至少一金属硅化物层直接接触该扩散区，以及一下电极、一电阻转换层与一上电极依序位于该金属硅化物层上。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]金属栅极结构的制作方法-CN201410351939.2有效
发明人：林静龄;黄志森;邹世芳;林建廷;陈意维;林世雄;陈俊隆;廖琨垣;张峰溢;周孝邦;吕佳霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种金属栅极结构的制作方法，包括首先提供基底，基底上设置有介电层，第一沟槽和第二沟槽设置介电层中，第一金属层和第二金属层分别填满第一沟槽和第二沟槽，其中该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度。之后，形成掩模层，以完全覆盖第二沟槽。在掩模层的覆盖下，进行第一蚀刻制作工艺以去除部分第一金属层。最后进行第二蚀刻制作工艺，以同时去除部分第一金属层和部分第二金属层。
金属栅极结构制作方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201710998624.0在审
发明人：杨玉如;刘志建;谢朝景;周孝邦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一鳍状晶体管，位于一基底上，该鳍状晶体管包含有一栅极结构跨越于一鳍状结构上，以及至少一源/漏极区，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)，包含一下电极、一电阻转换层与一上电极依序位于该源/漏极区上并电连接于该鳍状晶体管。
半导体结构鳍状晶体管源/漏极电极电阻式随机存取存储器电阻转换栅极结构鳍状结构电连接基底鳍状制作

[发明专利]开口及接触窗的制造方法-CN200510129715.8有效
发明人：郑懿芳;周孝邦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-12-01 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种开口及接触窗的制造方法。在开口的制造过程中，在于介电层上形成光致抗蚀剂层以定义开口图案之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与光致抗蚀剂层产生反应，进而造成显影不完全的问题。另一方面，在形成接触窗的制造过程中，在接触窗开口表面形成一阻障层之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与阻障层产生反应，进而使阻障层产生缺陷的问题。
开口接触制造方法

[发明专利]介层洞优先双镶嵌制程-CN03156535.2有效
发明人：吴至宁;刘名馨;周孝邦;林清标;王培仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-09-03 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种介层洞优先双镶嵌制程，包含下列步骤：提供一半导体基底，其上形成有导电结构以及介电层设于该半导体基底上，其中该介电层包含有一介层洞开孔，暴露出部分该导电结构；于该介层洞开孔内填满填缝高分子材料(GFP)，并形成一填缝高分子层于该介电层上；回蚀刻该填缝高分子层一预定深度，使该填缝高分子层的表面低于该介电层的表面，形成凹槽，借此暴露出部分该介层洞开孔的侧壁；以及进行一表面处理手段，用以改变该介层洞开孔的侧壁与该填缝高分子层的表面的特性，借此避免后续填入该凹槽的深紫外线(DUV)光阻与该介层洞开孔的侧壁或与该填缝高分子层的表面发生任何物理或化学作用。
介层洞优先镶嵌

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