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[发明专利]一种基于Bi2-CN202310003297.6在审
发明人：戚逸帆;王伟;周子唯 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于Bi2Se3‑掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器及数据读写方法，所述存储器的结构包括从上至下依次设置的顶电极、SOT‑MTJ和衬底，所述SOT‑MTJ包括从上至下依次设置的参考层、隧穿层、重金属层和自由层，所述衬底为Bi2Se3和掺杂锂原子的石墨烯异质结的结构。此种存储器的衬底采用Bi2Se3和掺杂锂原子的石墨烯异质结的结构，相比未掺杂的石墨烯衬底，提高了衬底的透射系数，并且锂原子掺杂在石墨烯表面和掺杂在石墨烯内部时透射系数不同，可以实现“0”和“1”两种逻辑；另外，在器件外施加磁场偏转也可以进一步改变该衬底的透射系数，能够解决现有技术中磁性随机存储器存在自旋霍尔角较小、稳定性差且不能实现读写分离的问题。
一种基于 bi base sub

[发明专利]基于压控磁各项异性效应的自旋轨道转矩磁存储器-CN202211657289.5在审
发明人： 周子唯;王伟;戚逸帆 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于压控磁各项异性效应的自旋轨道转矩磁存储器，该磁性存储器从上到下包括电极层、SOT‑MTJ(垂直自旋轨道矩磁隧道结)，所述SOT‑MTJ包括从上到下依次层叠的人工反铁磁耦合层、参考层、隧穿层、自由层以及反铁磁层。所述SOT‑MTJ中，椭圆形上层长轴方向与底层X轴方向形成夹角，以产生效应场Heff的通道，辅助磁矩更易翻转。底层反铁磁层采用IrMn或PtMn材料，具有相当大的自旋霍尔角，有利于高效地产生自旋轨道力矩来翻转磁矩，同时IrMn和PtMn反铁磁材料能够提供交换耦合场来代替相干磁开关所需的外部场。此外，在磁存储器的顶部和底部外接电压，通过施加极短的电压脉冲，降低甚至消除磁化切换期间的能量势垒，来诱导自由层更快地实现SOT确定性切换。
基于压控磁各项异性效应自旋轨道转矩磁存储器

[发明专利]一种实用的楼宇垃圾排倒管道-CN201811188287.X在审
发明人：陈婷婷;李阿磊;周子唯 -专利权人：安徽信息工程学院
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： E04F17/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种实用的楼宇垃圾排倒管道，所述楼宇垃圾排倒管道安装在楼宇墙体上，所述楼宇垃圾排倒管道包括主体管道、分支管道以及垃圾收集箱，所述主体管道的下端与垃圾收集箱相连，主体管道通过分支管道与楼宇每层相连，并在主体管道内设有缓冲挡板。该楼宇垃圾排倒管道结构设计合理，可以实现不下楼便可以将垃圾带到楼下，减轻城市环境污染，方便人们生活，结构简单，便于安装。
楼宇垃圾主体管道垃圾收集箱分支管道楼宇城市环境污染便于安装管道安装管道结构缓冲挡板墙体下端垃圾