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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310766982.4有效
发明人：夏初晴;郑凯;苏悦阳;周亦康 -专利权人：北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括若干器件区和包围每个器件区的切割道区，所述SOI衬底上还包括第一介质层；位于所述第一介质层表面的第二介质层以及位于所述第二介质层中的第一波导结构，部分第一波导结构位于所述切割道区，任意相邻器件区的光路通过所述切割道区的第一波导结构连通。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，通过设置于切割道区的第一波导结构实现全片光互连并且降低器件延迟和功耗。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法、电子设备-CN202310563569.8在审
发明人： 周亦康;吴旭升;郑凯 -专利权人：北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、电子设备。该半导体结构包括：衬底；有源器件，所述有源器件设置在所述衬底的一侧；介质层，所述介质层形成在所述衬底的相对的两侧，并覆盖所述有源器件，在所述介质层内设置有导通结构，所述导通结构与所述有源器件连接，在所述导通结构的靠近所述衬底的一侧设置有刻蚀停止层；金属通孔，所述金属通孔贯穿所述衬底的两侧的所述介质层以及所述刻蚀停止层，并与所述导通结构连接。氮化硅层为刻蚀停止层。即刻蚀贯通孔时，刻蚀到氮化硅层时刻蚀停止，以控制刻蚀的深度，从而防止导通结构被刻蚀，以发生金属反溅现象。
半导体结构及其制备方法电子设备

[发明专利]半导体结构及其制备方法、电子设备-CN202310321243.4在审
发明人： 周亦康;吴旭升;郑凯 -专利权人：北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、电子设备。该电子设备包括：衬底；硬质掩模板，所述硬质掩模板形成在所述衬底上；贯穿所述硬质掩模板并延伸至所述衬底的通孔，在所述通孔内填充有第一导体材料，第一导体材料经腐蚀回刻设定深度，以形成所述通孔的开口，在所述通孔的开口处形成有隔离层，所述隔离层覆盖在所述第一导体材料的边缘，所述第一导体材料暴露于所述隔离层的中部；以及第二导体材料，所述第二导体材料填充在所述隔离层的中部，在所述第一导体材料和所述第二导体材料之间设置有阻挡粘附层。
半导体结构及其制备方法电子设备

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