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[发明专利]一种硅基三维微电池纳米电极结构-CN201310101495.2有效
发明人：李静;岳闯;吴孙桃 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基复合三维微电池纳米电极结构。该纳米电极结构包括硅纳米柱阵列以及复合于硅纳米柱外层的材料层。制作方法包括将清洗、活化处理后的硅衬底上采用旋涂法自组装单层六方密排的聚苯乙烯纳米球；将单层聚苯乙烯纳米球做为掩膜，利用掩膜和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀；依次用有机溶剂及标准清洗硅片工艺去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物；最后利用薄膜沉积、材料生长技术得到瓶状硅基复合纳米柱阵列三维电极结构。这种结构一方面可以在硅纳米柱外层沉积锂离子阻挡层，进而形成硅衬底不参与锂离子嵌入/脱出的一种三维微电池的结构支撑，另一方面形成的硅或者硅复合材料，可以作为锂离子电池的阳极材料参与电极反应。
一种三维电池纳米电极结构

[发明专利]一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法-CN201210125332.3无效
发明人：李静;岳闯;尹君;臧雅姝;何绪;吴孙桃 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法，涉及一种Si纳米结构。将硅片清洗后，利用反应离子刻蚀系统对硅片进行活化处理，获得具有亲水性的硅片表面；在硅衬底上采用旋涂法自组装单层聚苯乙烯纳米球；利用反应离子刻蚀系统调控单层聚苯乙烯纳米球的直径，得到不同直径的单层聚苯乙烯纳米球；将单层聚苯乙烯纳米球作为掩膜，利用掩模和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀，交替使用SF6和C4F8进行刻蚀和侧壁的保护；用有机试剂去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物，最终得到硅纳米柱阵列。
一种基于纳米刻蚀技术制备阵列方法

[发明专利]微型锂电池的制备方法-CN201010111609.8有效
发明人：董全峰;宋杰;郑明森;吴孙桃;吴启辉 -专利权人：厦门大学
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：微型锂电池的制备方法，涉及一种锂电池。提供一种易实现，且与微加工技术兼容的微型锂电池的制备方法。微型锂电池由基片、阴极集流体、阴极膜、固体电解质膜、阳极膜、下层阳极集流体和上层阳极集流体构成。在基片上通过化学沉积方法或物理沉积方法沉积一层金属膜作为阴极集流体和下层阳极集流体；在阴极集流体上用光刻胶限定出阴极图形，然后采用物理沉积方法沉积阴极薄膜，再用惰性溶剂剥离的方法去除剩余的光刻胶，得到限定图形的阴极薄膜，再退火处理；用光刻胶限定出所需固体电解质膜和阳极膜的结构；使用光刻胶作为牺牲层4限定固体电解质膜和阳极膜的结构；制备固体电解质膜、阳极膜和上层阳极集流体；剥离牺牲层后即得微型锂离子电池。
微型锂电池制备方法

[实用新型]一种非线性校正的CMOS集成温度传感器-CN200520006611.3无效
发明人：林凡;吴孙桃;郭东辉 -专利权人：厦门大学
申请日： 2005-12-27 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：一种非线性校正的CMOS集成温度传感器，涉及一种温度传感器，尤其是涉及一种非线性校正的CMOS集成温度传感器。提供一种不增加额外芯片面积，没有额外功耗的一种非线性校正的CMOS集成温度传感器。设有温度传感电路，温度传感电路设有电源输入端口、地电位输入端口和温度传感输出端口；启动电路，启动电路的输出端接温度传感电路的镜像电流源结构的栅极控制端；输入输出静电放电保护电路，输入输出静电放电保护电路由2个二极管串接组成，第1个二极管的负极接温度传感电路的电源输入端口，第2个二极管的正极接温度传感电路的地电位输入端口，第1个二极管的正极与第2个二极管的负极的连接点接温度传感电路的温度传感输出端口。
一种非线性校正 cmos 集成温度传感器

[发明专利]集成电路反剥离光刻方法-CN200510048367.1无效
发明人：钟灿;林凡;李静;吴孙桃;罗仲梓 -专利权人：厦门大学
申请日： 2005-12-31 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：集成电路反剥离光刻方法，涉及一种集成电路光刻方法，尤其是涉及一种采用改进的反剥离工艺的集成电路光刻方法。提供一种改进的集成电路反剥离光刻方法。其步骤为在硅片表面先后涂增粘剂层和反转光刻胶层后烘胶，烘胶后在硅片表面再次涂反转光刻胶层，前烘后掩膜曝光，用掩膜板遮挡；反转烘后泛曝光，再显影，淀积金层，金厚度为2μm；将溅射好金的硅片用丙酮浸泡至少4h；将浸泡过丙酮的硅片放入超声仪中进行超声剥离。解决了业内一直没有解决的在金膜较厚情况下反剥离工艺技术问题，通过工艺流程与工艺条件的改进，尤其是在涂胶工艺中，采用先涂一层胶，然后烘干后再涂第二层的工艺，显著地加厚了光刻胶的厚度，使反剥离工艺得到改进。
集成电路剥离光刻方法

[发明专利]PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺-CN200510018649.7无效
发明人：于映;吴孙桃;罗仲梓;钟灿;吴清鑫 -专利权人：福州大学
申请日： 2005-04-27 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本发明涉及PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其步骤为(1)采用正性光刻胶旋涂于基片上，干后，取出置于掩膜之下，在曝光台上曝光，放置到碱性溶液中显影，待显出所需图形后取出，冲洗，干后即可。(2)把带有光刻胶的基片放入PECVD沉积室中，进行沉积SiN薄膜。(3)将基片取出放置于酮类溶液中，待光刻胶脱离基片后，冲洗并烘干，即可。采用本发明工艺加工PECVD沉积SiN薄膜的图形，使SiN薄膜能够方便地成为所需要的图形和结构，避免了干法刻蚀对SiN薄膜和光刻胶的损伤、侵蚀和破坏。本发明的PECVD沉积SiN薄膜可作为MEMS器件绝缘层、隔离层，具有较好的绝缘强度，厚度约为0.1～0.4μm。
pecvd 沉积 sin 薄膜剥离工艺